SIC
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離散半導体製品（ 13379）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
GBJ2002-F Diodes Incorporated GBJ2002-F 1.7000
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - チューブ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、gbj GBJ2002 標準 GBJ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.10.0080 15 1.05 V @ 10 a 10 µA @ 200 v 20 a 単相 200 v
GBJ810-F Diodes Incorporated GBJ810-F 2.0100
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - チューブ アクティブ -65°C〜150°C 穴を通して 4-sip、gbj GBJ810 標準 GBJ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.10.0080 15 1 V @ 4 a 5 µA @ 1000 v 8 a 単相 1 kV
MB156W Diodes Incorporated MB156W -
RFQ
 ECAD 4223 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して 4 平方、MB-W MB156 標準 MB-W ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 7.5 a 10 µA @ 600 V 15 a 単相 600 V
DF10M Diodes Incorporated DF10M 0.4800
RFQ
 ECAD 77 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - チューブ アクティブ -65°C〜150°C 穴を通して 4-EDIP （0.300 "、7.62mm） DF10 標準 DFM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた df10mdi ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 1 a 10 µA @ 1000 v 1 a 単相 1 kV
GBL410 Diodes Incorporated GBL410 0.9300
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - チューブ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、GBL GBL410 標準 GBL ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.10.0080 25 1 V @ 2 a 5 µA @ 1000 v 4 a 単相 1 kV
KBJ602G Diodes Incorporated KBJ602G -
RFQ
 ECAD 9883 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - チューブ 廃止 -65°C〜150°C 穴を通して 4-sip 、KBJ 標準 KBJ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.10.0080 20 1 V @ 3 a 5 µA @ 200 V 6 a 単相 200 v
PB61 Diodes Incorporated PB61 -
RFQ
 ECAD 8249 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - バルク 廃止 -65°C〜150°C 穴を通して 4 平方、PB-6 PB61 標準 PB-6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた PB61DI ear99 8541.10.0080 200 1.1 V @ 3 a 10 µA @ 100 V 6 a 単相 100 V
PB64 Diodes Incorporated PB64 -
RFQ
 ECAD 7970 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - バルク 廃止 -65°C〜150°C 穴を通して 4 平方、PB-6 PB64 標準 PB-6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.10.0080 200 1.1 V @ 3 a 10 µA @ 400 V 6 a 単相 400 V
GBJ810 Diodes Incorporated GBJ810 -
RFQ
 ECAD 9153 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - チューブ sicで中止されました -65°C〜150°C 穴を通して 4-sip、gbj 標準 GBJ ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない GBJ810DI ear99 8541.10.0080 15 1 V @ 4 a 5 µA @ 1000 v 8 a 単相 1 kV
GBPC2510 Diodes Incorporated GBPC2510 -
RFQ
 ECAD 9846 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - トレイ 廃止 -65°C〜150°C QC端子 4 平方、GBPC GBPC2510 標準 GBPC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 12.5 a 5 µA @ 1000 v 25 a 単相 1 kV
HD01-T Diodes Incorporated HD01-T 0.4300
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 4-SMD 、カモメの翼 HD01 標準 4-minidip ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.10.0080 3,000 1 V @ 400 Ma 5 µA @ 100 V 800 Ma 単相 100 V
RS403L Diodes Incorporated RS403L -
RFQ
 ECAD 9642 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip rs-4l RS403 標準 RS-4L ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.10.0080 500 1 V @ 3 a 10 µA @ 200 v 4 a 単相 200 v
DMTH45M5SPDW-13 Diodes Incorporated DMTH45M5SPDW-13 1.2200
RFQ
 ECAD 5621 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント 8-powertdfn DMTH45M モスフェット（金属酸化物） 3.3W （TA ）、60W（TC） PowerDi5060-8 - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 2 nチャンネル（デュアル） 40V 79a（tc） 5.5mohm @ 25a 、10V 3.5V @ 250µA 13.2NC @ 10V 1083pf @ 20V 標準
BAT54LP-7B-2477 Diodes Incorporated BAT54LP-7B-2477 -
RFQ
 ECAD 7166 0.00000000 ダイオードが組み込まれています aec-q101 バルク 前回購入します 表面マウント 0402 （1006メトリック） ショットキー x1-dfn1006-2 - 31-BAT54LP-7B-2477 1 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 30 V 1 V @ 100 MA 5 ns 2 µA @ 25 V -65°C〜125°C 200mA 10pf @ 1V、1MHz
GBJ602 Diodes Incorporated GBJ602 -
RFQ
 ECAD 5205 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - チューブ sicで中止されました -65°C〜150°C 穴を通して 4-sip、gbj 標準 GBJ ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない GBJ602DI ear99 8541.10.0080 15 1 V @ 3 a 5 µA @ 200 V 6 a 単相 200 v
GBU601 Diodes Incorporated GBU601 1.3200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - チューブ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、gbu GBU601 標準 GBU ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた GBU601DI ear99 8541.10.0080 20 1 V @ 3 a 5 µA @ 100 V 6 a 単相 100 V
GBPC3502 Diodes Incorporated GBPC3502 -
RFQ
 ECAD 9727 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - トレイ 廃止 -65°C〜150°C QC端子 4 平方、GBPC GBPC3502 標準 GBPC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた GBPC3502DI ear99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 17.5 a 5 µA @ 200 V 35 a 単相 200 v
DMP26M7UFG-7 Diodes Incorporated DMP26M7UFG-7 0.8300
RFQ
 ECAD 43 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-POWERVDFN DMP26 モスフェット（金属酸化物） PowerDi3333-8 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 2,000 pチャネル 20 v 18a（タタ）、40a（tc） 1.8V 、4.5V 6.7mohm @ 15a 、4.5V 1V @ 250µA 156 NC @ 10 V ±10V 5940 PF @ 10 V - 2.3W
BZX84C6V8Q-13-F Diodes Incorporated BZX84C6V8Q-13-F 0.0280
RFQ
 ECAD 6236 0.00000000 ダイオードが組み込まれています aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ ±5.88％ -65°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 BZX84 300 MW SOT-23-3 ダウンロード 影響を受けていない 31-BZX84C6V8Q-13-FTR ear99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 Ma 2 µA @ 4 V 6.8 v 15オーム
B130L-13-F-2477 Diodes Incorporated B130L-13-F-2-2477 -
RFQ
 ECAD 3740 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - バルク 前回購入します 表面マウント DO-214AC、SMA ショットキー SMA - 31-B130L-13-F-2-2477 1 高速回復= <500ns 30 V 410 mv @ 1 a 1 mA @ 30 v -55°C〜125°C 1a 110pf @ 4V、1MHz
ZXMN6A25DN8TA Diodes Incorporated ZXMN6A25DN8TA 1.3100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） ZXMN6 モスフェット（金属酸化物） 1.8W 8-SO ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 500 2 nチャンネル（デュアル） 60V 3.8a 50mohm @ 3.6a 、10V 1V @ 250µA 20.4NC @ 10V 1063pf @ 30V ロジックレベルゲート
SDM40E20LAQ-7-52 Diodes Incorporated SDM40E20LA​​ Q-7-52 0.1550
RFQ
 ECAD 9823 0.00000000 ダイオードが組み込まれています aec-q101 バルク アクティブ 表面マウント TO-236-3 SDM40 ショットキー SOT-23-3 ダウンロード 31-SDM40E20LA​​ Q-7-52 ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 20 v 400mA 310 mv @ 100 Ma 250 µA @ 20 V -65°C〜125°C
MMBTA55Q-13-F Diodes Incorporated MMBTA55Q-13-F 0.0507
RFQ
 ECAD 5780 0.00000000 ダイオードが組み込まれています aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 310 MW SOT-23-3 - 影響を受けていない 31-MMBTA55Q-13-FTR ear99 8541.21.0095 10,000 60 V 500 Ma 100NA PNP 250MV @ 10MA 、100mA 100 @ 100MA、1V 50MHz
GBJ2502-F Diodes Incorporated GBJ2502-F 1.6693
RFQ
 ECAD 2633 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - チューブ アクティブ -65°C〜150°C 穴を通して 4-sip、gbj GBJ2502 標準 GBJ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.10.0080 15 1.05 V @ 12.5 a 10 µA @ 200 v 25 a 単相 200 v
BAT54TW-7-F-2477 Diodes Incorporated BAT54TW-7-F-2-2477 -
RFQ
 ECAD 7556 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - バルク 前回購入します 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 ショットキー SOT-363 - 31-BAT54TW-7-F-2-2477 1 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 3独立 30 V 200mA 1 V @ 100 MA 5 ns 2 µA @ 25 V -65°C〜150°C
DMN3008SFGQ-13 Diodes Incorporated DMN3008SFGQ-13 0.3426
RFQ
 ECAD 7208 0.00000000 ダイオードが組み込まれています aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-POWERVDFN DMN3008 モスフェット（金属酸化物） PowerDi3333-8 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 30 V 17.6a 4.5V 、10V 4.4mohm @ 13.5a 、10V 2.3V @ 250µA 86 NC @ 10 V ±20V 3690 PF @ 10 V - 900MW
DF08S-T Diodes Incorporated DF08S-T 0.4800
RFQ
 ECAD 111 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - テープ＆リール（ tr） アクティブ -65°C〜150°C 表面マウント 4-SMD 、カモメの翼 DF08 標準 DF-S ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.10.0080 1,500 1.1 V @ 1 a 10 µA @ 800 V 1 a 単相 800 V
SBR2U150SA-13-50 Diodes Incorporated SBR2U150SA-13-50 0.1370
RFQ
 ECAD 8129 0.00000000 ダイオードが組み込まれています SBR® バルク アクティブ 表面マウント DO-214AC、SMA SBR2U150 スーパーバリア SMA ダウンロード 31-SBR2U150SA-13-50 ear99 8541.10.0080 5,000 標準回復> 500ns 150 v 800 mV @ 2 a 75 µA @ 150 v -65°C〜175°C 2a -
MMSZ5238BS-7-F Diodes Incorporated MMSZ5238BS-7-F 0.0483
RFQ
 ECAD 7146 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±5％ -65°C〜150°C 表面マウント SC-76、SOD-323 MMSZ5238 200 MW SOD-323 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 3 µA @ 6.5 v 8.7 v 8オーム
GBJ608-F Diodes Incorporated GBJ608-F 1.3353
RFQ
 ECAD 5026 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - チューブ アクティブ -65°C〜150°C 穴を通して 4-sip、gbj GBJ608 標準 GBJ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.10.0080 15 1 V @ 3 a 5 µA @ 800 V 6 a 単相 800 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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