画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース(r1) | 抵抗 -エミッターベース(r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | EDZVT2R5.1B | 0.3000 | ![]() | 90 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | edzv | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | EDZVT2 | 150 MW | EMD2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 2 µA @ 1.5 v | 5.1 v | 80オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||
SH8K51GZETB | - | ![]() | 6567 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | SH8K51 | モスフェット(金属酸化物) | 1.4W | 8ソップ | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 nチャンネル(デュアル) | 35V | 4a(ta) | 58mohm @ 4a 、10V | 2.8V @ 1MA | 5.6NC @ 5V | 300pf @ 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VT6T11T2R | 0.4200 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 前回購入します | 150°C (TJ) | 表面マウント | 6-SMD 、フラットリード | VT6T11 | 150MW | VMT6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 20V | 200mA | 100na(icbo) | 2 PNP (デュアル) | 300MV @ 10MA 、100mA | 120 @ 1MA 、2V | 350MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB522S-30TE61 | - | ![]() | 2850 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 846-RB522S-30TE61TR | 廃止 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SH8K2TB1 | 0.5586 | ![]() | 6554 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-SMD 、カモメの翼 | SH8K2 | モスフェット(金属酸化物) | 2W | 8 ソップ(5.0x6.0 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 nチャンネル(デュアル) | 30V | 6a | 30mohm @ 6a 、10V | 2.5V @ 1MA | 10.1NC @ 5V | 520pf @ 10V | ロジックレベルゲート | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | rs1g180mntb | 1.5900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-powertdfn | rs1g | モスフェット(金属酸化物) | 8-HSOP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 40 v | 18a(タタ)、 80a(tc) | 4.5V 、10V | 7mohm @ 18a 、10v | 2.5V @ 1MA | 19.5 NC @ 10 V | ±20V | 1293 PF @ 20 V | - | 3W (TA )、30W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB481Y9HKT2R | - | ![]() | 8457 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | SC-75-4 、SOT-543 | ショットキー | EMD4 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-RB481Y9HKT2RTR | 廃止 | 8,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 2独立 | 30 V | 100mA | 430 mV @ 100 Ma | 30 µA @ 10 V | 125°C (最大) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR587D3TL1 | 1.5300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | 10 W | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-2SCR587D3TL1CT | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 120 v | 3 a | 1µa(icbo) | npn | 120MV @ 100MA、1A | 120 @ 100MA 、5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TT8K2TR | 0.8900 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-SMD 、フラットリード | TT8K2 | モスフェット(金属酸化物) | 1.25W | 8-tsst | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 nチャンネル(デュアル) | 30V | 2.5a | 90mohm @ 2.5a 、4.5V | 1.5V @ 1MA | 3.2NC @ 4.5V | 180pf @ 10V | ロジックレベルゲート | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTB123ECT116 | 0.3700 | ![]() | 349 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | DTB123 | 200 MW | SST3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 500 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 300MV @ 2.5MA 、50mA | 39 @ 50ma 、5v | 200 MHz | 2.2 KOHMS | 2.2 KOHMS | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | rd3p02battl1 | 1.6100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | RD3P02 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | 1 (無制限) | 2,500 | pチャネル | 100 V | 20a(ta) | 6V 、10V | 116mohm @ 10a 、10v | 4V @ 1MA | 39 NC @ 10 V | ±20V | 1480 PF @ 50 V | - | 56W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB168LAM-60TR | 0.4200 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-128 | RB168 | ショットキー | PMDTM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 60 V | 680 mV @ 1 a | 1.5 µA @ 60 V | 150°C (最大) | 1a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDZT2R11B | 0.0928 | ![]() | 3521 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | CDZ | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-923 | CDZT2 | 100 MW | VMN2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 100 Na @ 8 V | 11 v | 30オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||
RLS4150TE-11 | - | ![]() | 8547 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | RLS4150 | 標準 | LLDS | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 2,500 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 50 v | 1 V @ 200 mA | 4 ns | 100 Na @ 50 V | -65°C〜200°C | 200mA | 2.5pf @ 0V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC123JU3T106 | 0.2000 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | DTC123 | 200 MW | UMT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 100 Ma | - | npn-バイアス化 | 300MV @ 250µA 、5MA | 80 @ 10ma 、5v | 250 MHz | 2.2 KOHMS | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCT2160KEC | - | ![]() | 1614 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | 廃止 | 175°C (TJ) | 穴を通して | TO-247-3 | SCT2160 | sicfet (炭化シリコン) | TO-247 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | SCT2160KECU | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | nチャネル | 1200 v | 22a(tc) | 18V | 208mohm @ 7a、18V | 4V @ 2.5MA | 62 NC @ 18 V | +22V、-6V | 1200 pf @ 800 v | - | 165W | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DTD523YETL | 0.4800 | ![]() | 223 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | DTD523 | 150 MW | EMT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 12 v | 500 Ma | 500na | npn-バイアス化 | 300MV @ 5MA 、100mA | 140 @ 100MA 、2V | 260 MHz | 2.2 KOHMS | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB168VWM150TR | 0.4700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 2-SMD 、フラットリード | RB168 | ショットキー | PMDE | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-RB168VWM150TRDKR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 150 v | 890 mV @ 1 a | 1 µA @ 150 V | 175°C | 1a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | rbq20bm45atl | 1.6400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 表面マウント | to-252-3 | RBQ20 | ショットキー | TO-252 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 10a | 590 mV @ 10 a | 200 µA @ 45 V | 150°C | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ru1l002sntl | 0.4000 | ![]() | 39 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-85 | RU1L002 | モスフェット(金属酸化物) | umt3f | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | nチャネル | 60 V | 250ma(ta) | 2.5V 、10V | 2.4OHM @ 250MA 、10V | 2.3V @ 1MA | ±20V | 15 pf @ 25 v | - | 200MW | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | EM6K6T2R | 0.5000 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOT-563、SOT-666 | EM6K6 | モスフェット(金属酸化物) | 150MW | EMT6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 2 nチャンネル(デュアル) | 20V | 300mA | 1OHM @ 300MA 、4V | 1V @ 1MA | - | 25pf @ 10V | ロジックレベルゲート | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | umd5ntr | 0.4500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | UMD5 | 150MW、120MW | UMT6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 500na | 1 npn、1 pnp- バイアス前(デュアル) | 300MV @ 500µA 、10mA | 68 @ 5MA 、5v / 30 @ 10ma 、5v | 250MHz | 47kohms 、4.7kohms | 47kohms 、10kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD2704KT146 | 0.3800 | ![]() | 51 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | 2SD2704 | 200 MW | SMT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 20 v | 300 Ma | 100na(icbo) | npn | 100MV @ 3MA 、30MA | 820 @ 4MA 、2V | 35MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RX3P12BATC16 | 6.8300 | ![]() | 1682 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | RX3P12 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220AB | ダウンロード | 1 (無制限) | 846-RX3P12BATC16 | 50 | pチャネル | 100 V | 120a(ta) | 6V 、10V | 12.3mohm @ 60a 、10V | 4V @ 1MA | 385 NC @ 10 V | ±20V | 16600 PF @ 50 V | - | 201W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDZVT2R7.5B | 0.2700 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | 150°C | 表面マウント | 2-SMD 、フラットリード | CDZVT2 | 100 MW | VMN2M | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 500 NA @ 4 V | 7.5 v | 30オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | YFZVFHTR16B | 0.4300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2.52% | 150°C (TJ) | 表面マウント | 2-SMD 、フラットリード | yfzvfhtr16 | 500 MW | tumd2m | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 200 Na @ 12 v | 15.65 v | 18オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84B20VLYT116 | 0.4500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | 250 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 Na @ 14 V | 20 v | 55オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | dap222wmfhtl | 0.3600 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 表面マウント | SC-89 、SOT-490 | DAP222 | 標準 | EMD3F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 1ペア共通アノード | 80 v | 100mA | 1.2 V @ 100 MA | 4 ns | 100 Na @ 70 V | 150°C (最大) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LSS040P03FP8TB1 | - | ![]() | 1711 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 846-LSS040P03FP8TB1TR | 廃止 | 2,500 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RSQ020N03HZGTR | 0.6800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 | RSQ020 | モスフェット(金属酸化物) | TSMT6(SC-95) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 2a(ta) | 4V 、10V | 134mohm @ 2a 、10V | 2.5V @ 1MA | 3.1 NC @ 5 V | ±20V | 110 PF @ 10 V | - | 950MW |
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