画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | 入力タイプ | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | フェットタイプ | テスト条件 | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | IGBTタイプ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターパルス( icm) | vce(on max) @ vge | エネルギーの切り替え | ゲートチャージ | TD (オン/オフ) @ 25°C | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース(r1) | 抵抗 -エミッターベース(r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RB531SM-40T2R | 0.3900 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | RB531 | ショットキー | EMD2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 40 v | 610 mv @ 100 Ma | 100 µA @ 40 V | 125°C | 100mA | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB531CM-30T2R | 0.3800 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-923 | RB531 | ショットキー | VMN2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 30 V | 370 mV @ 10 ma | 7 µA @ 10 V | 125°C | 100mA | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFN10NS8DTL | 2.9300 | ![]() | 995 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | RFN10 | 標準 | LPDS | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 800 V | 2.1 V @ 5 a | 40 ns | 10 µA @ 800 V | 150°C | 10a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB205T-90NZC9 | 2.6800 | ![]() | 999 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3フルパック | RB205 | ショットキー | TO-220FN | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-RB205T-90NZC9 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 90 v | 15a | 780 mV @ 7.5 a | 300 µA @ 90 V | 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RBE1KA20ATR | 0.6300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 6-smd(5 リード)、フラットリード | RBE1 | ショットキー | tumd5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 2独立 | 20 v | 1a | 430 mv @ 500 Ma | 200 µA @ 20 V | 125°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC115EUBTL | 0.3700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-85 | DTC115 | 200 MW | umt3f | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | npn-バイアス化 | 300MV @ 250µA 、5MA | 82 @ 5MA 、5V | 250 MHz | 100 Kohms | 100 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFL60TZ6SGC13 | 7.6400 | ![]() | 653 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | RFL60 | 標準 | TO-247GE | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-RFL60TZ6SGC13 | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 高速回復= <500ns | 650 V | 1.5 V @ 60 a | 75 ns | 10 µA @ 650 v | 175°C | 60a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RS3E130ATTB1 | 2.0500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | RS3E | モスフェット(金属酸化物) | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | pチャネル | 30 V | 13a(ta) | 4.5V 、10V | 8.5mohm @ 13a 、10V | 2.5V @ 2MA | 83 NC @ 10 V | ±20V | 3730 PF @ 15 V | - | 1.4W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFN6T2DNZC9 | 1.6900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3フルパック | RFN6 | 標準 | TO-220FN | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-RFN6T2DNZC9 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 6a | 980 mV @ 3 a | 25 ns | 10 µA @ 200 v | 150°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGS00TS65EHRC11 | 9.6400 | ![]() | 7821 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜175°C | 穴を通して | TO-247-3 | RGS00 | 標準 | 326 w | TO-247N | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-RGS00TS65EHRC11 | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V、50a 、10ohm15V | 113 ns | トレンチフィールドストップ | 650 V | 88 a | 150 a | 2.1V @ 15V 、50a | - | 58 NC | 36ns/115ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA124TCAT116 | 0.3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | DTA124 | 200 MW | SST3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na(icbo) | pnp-前バイアス | 300mv @ 500µa 、5ma | 100 @ 1MA 、5V | 250 MHz | 22 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UFZVTE-179.1B | 0.3900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2.66% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | 500 MW | UMD2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 500 NA @ 6 V | 8.87 v | 8オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UMZ30NT106 | 0.5300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2.5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | umz30 | 200 MW | UMD3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1ペア共通アノード | 100 Na @ 23 V | 30 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC123TCAT116 | 0.3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | DTC123 | 200 MW | SST3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na(icbo) | npn-バイアス化 | 300MV @ 250µA 、5MA | 100 @ 1MA 、5V | 250 MHz | 2.2 KOHMS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RQ3E100BNTB1 | 1.0700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-POWERVDFN | RQ3E100 | モスフェット(金属酸化物) | 8-HSMT (3.2x3) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 10a(タタ21a(tc) | 4.5V 、10V | 10.4mohm @ 10a 、10v | 2.5V @ 1MA | 22 NC @ 10 V | ±20V | 1100 PF @ 15 V | - | 2W (TA )、15W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RXL035N03TCR | 0.7800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 6-SMD 、フラットリード | RXL035 | モスフェット(金属酸化物) | tumt6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 3.5a(ta) | 4V 、10V | 50mohm @ 3.5a 、10V | 2.5V @ 1MA | 3.3 NC @ 5 V | ±20V | 180 pf @ 10 v | - | 910MW | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RQ3E070BNTB1 | 0.9300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-POWERVDFN | RQ3E070 | モスフェット(金属酸化物) | 8-HSMT (3.2x3) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 7a(タタ)、 15a(tc) | 4.5V 、10V | 27mohm @ 7a 、10V | 2.5V @ 1MA | 8.9 NC @ 10 V | ±20V | 410 PF @ 15 V | - | 2W (TA )、 13W (TC | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGW40TK65GVC11 | 5.4100 | ![]() | 1287 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜175°C | 穴を通して | to-3pfm、SC-93-3 | RGW40 | 標準 | 61 w | to-3pfm | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-RGW40TK65GVC11 | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V 、20a 、10ohm15V | トレンチフィールドストップ | 650 V | 27 a | 80 a | 1.9V @ 15V 、20a | 330µj(オン)、300µj(オフ) | 59 NC | 33ns/76ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGTH60TS65GC13 | 5.2100 | ![]() | 8180 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜175°C | 穴を通して | TO-247-3 | RGTH60 | 標準 | 194 w | TO-247 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-RGTH60TS65GC13 | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V、30A 、10OHM15V | トレンチフィールドストップ | 650 V | 58 a | 120 a | 2.1V @ 15V 、30a | - | 58 NC | 27ns/105ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
RSS070N05HZGTB | 1.9900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | RSS070 | モスフェット(金属酸化物) | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-RSS070N05HZGTBCT | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 45 v | 7a(ta) | 4V 、10V | 25mohm @ 7a 、10V | 2.5V @ 1MA | 16.8 NC @ 5 V | ±20V | 1000 pf @ 10 V | - | 1.4W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGW40TK65DGVC11 | 6.3500 | ![]() | 3728 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜175°C | 穴を通して | to-3pfm、SC-93-3 | RGW40 | 標準 | 61 w | to-3pfm | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-RGW40TK65DGVC11 | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V 、20a 、10ohm15V | 92 ns | トレンチフィールドストップ | 650 V | 27 a | 80 a | 1.9V @ 15V 、20a | - | 59 NC | 33ns/76ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||
RXH090N03TB1 | 1.4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | RXH090 | モスフェット(金属酸化物) | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 30 V | 9a(ta) | 4V 、10V | 17mohm @ 9a 、10v | 2.5V @ 1MA | 6.8 NC @ 5 V | ±20V | 440 PF @ 10 V | - | 2W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
RXH100N03TB1 | 1.5300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | RXH100 | モスフェット(金属酸化物) | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 30 V | 10a(ta) | 4V 、10V | 13mohm @ 10a 、10v | 2.5V @ 1MA | 11 NC @ 5 V | ±20V | 800 PF @ 10 V | - | 2W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DA228WMTL | 0.4400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-89 、SOT-490 | DA228 | 標準 | EMD3F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 1ペアシリーズ接続 | 80 v | 100mA | 1.2 V @ 100 MA | 100 Na @ 80 V | 150°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RW4E045AJTCL1 | 1.1000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 6-powerufdfn | RW4E045 | モスフェット(金属酸化物) | DFN1616-7T | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 4.5a(ta) | 2.5V 、4.5V | 40mohm @ 4.5a 、4.5V | 1.5V @ 1MA | 4 NC @ 4.5 v | ±12V | 450 PF @ 15 V | - | 1.5W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R5205PND3FRATL | 2.2800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | R5205 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 525 v | 5a(tc) | 10V | 1.6OHM @ 2.5A 、10V | 4.5V @ 1MA | 10.8 NC @ 10 V | ±30V | 320 PF @ 25 V | - | 65W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UT6J3TCR1 | 1.0700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-powerudfn | UT6J3 | モスフェット(金属酸化物) | 2W (TA) | DFN2020-8D | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 P-Channel (デュアル) | 20V | 3a(ta) | 85mohm @ 3a 、4.5V | 1V @ 1MA | 8.5NC @ 4.5V | 2000pf @ 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UFZVTE-1736B | 0.3900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2.61% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | 500 MW | UMD2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 200 Na @ 27 V | 34.12 v | 75オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UFZVTE-173.6B | 0.3900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±3.56% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | 500 MW | UMD2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 10 µA @ 1 V | 3.6 v | 60オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UFZVTE-1722B | 0.3900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2.69% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | 500 MW | UMD2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 200 Na @ 17 V | 21.35 v | 30オーム |
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