RFQ
ボム
お問い合わせ

Tel： +86-0755-83501315

メール：sales@sic-components.com

サインイン

日本語

離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	フェットタイプ	電源（ VDSS ）への排水	ciss ）（ max @ vds	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -破壊（ V	現在の - ドレイン（IDSS @ vds（vgs = 0）	電圧-Cutoff（ VGSオフ） @ id	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
469-5	-	RFQ	4676	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/469	バルク	アクティブ		-65°C〜150°C	シャーシマウント	4スケア		シリコンカーバイドショットキー		MD	-		影響を受けていない	150-469-5	ear99	8541.10.0080	100												単相
jans1n4492d	343.5150	RFQ	9490	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO041、軸			1.5 w	DO-41	-		影響を受けていない	150-jans1n4492d	ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 1 a		250 Na @ 104 v								130 v	500オーム
2N4416A	74.1300	RFQ	2906	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206af、to-72-4金属缶			300 MW	to-72	-	1 （無制限）	影響を受けていない	150-2N4416A	ear99	8541.21.0095	1		nチャネル	35 v	4PF @ 15V									35 v	5 ma @ 15 v	2.5 V @ 1 Na
1N3968	62.1150	RFQ	4339	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド		標準		do-5（do-203ab）	ダウンロード		影響を受けていない	150-1N3968	ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns				200 v	1.25 V @ 200 a		25 µA @ 200 V	-65°C〜200°C	70a	-
S4215	102.2400	RFQ	7695	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ									-		影響を受けていない	150-S4215			1
CDLL5273C	6.7200	RFQ	9837	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±20％	-65°C〜200°C	表面マウント	DO-213AA				DO-213AA	-		影響を受けていない	150-CDLL5273C	ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 86 v								120 v	900オーム
1N5539	1.8150	RFQ	8512	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±20％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-		影響を受けていない	150-1N5539	ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 16 V								19 v
janhca1n4614d	-	RFQ	6794	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	死ぬ			500 MW	死ぬ	-		影響を受けていない	150-janhca1n4614d	ear99	8541.10.0050	100						1.1 V @ 200 mA		7.5 µA @ 1 V								1.8 v	1200オーム
CD4696D	-	RFQ	4467	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	死ぬ			500 MW	死ぬ	-		影響を受けていない	150-CD4696D	ear99	8541.10.0050	100						1.5 V @ 200 mA		1 µA @ 6.9 v								9.1 v
1N5521D	5.6850	RFQ	5758	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-		影響を受けていない	150-1N5521D	ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		3 µA @ 1.5 v								4.3 v	18オーム
jantxv1n6332c	37.5300	RFQ	9319	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-		影響を受けていない	150-jantxv1n6332c	ear99	8541.10.0050	1						1.4 V @ 1 a		50 Na @ 17 V								22 v	20オーム
1N2987RB	36.9900	RFQ	8474	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	スタッドマウント	do-203aa	1N2987		10 W	DO-4 （DO-203AA）	ダウンロード		影響を受けていない	150-1N2987RB	ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 2 a		10 µA @ 18.2 v								25 v	6オーム
UZ856	22.4400	RFQ	4007	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-	-65°C〜175°C	穴を通して	A 、軸			3 W	A 、軸	-		影響を受けていない	150-UZ856	ear99	8541.10.0050	1
UZ5810	32.2650	RFQ	8960	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	穴を通して	b 、軸			5 W	b 、軸	-		影響を受けていない	150-UZ5810	ear99	8541.10.0050	1								75 µA @ 7.6 v								10 v	2オーム
JANKCA1N4127C	-	RFQ	9422	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	死ぬ			500 MW	死ぬ	-		影響を受けていない	150-jankca1n4127c	ear99	8541.10.0050	100						1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 42.6 v								56 v	300オーム
jantxv1n4971c	22000	RFQ	5834	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	E 、軸			5 W	E 、軸	-		影響を受けていない	150-jantxv1n4971c	ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 1 a		2 µA @ 27.4 v								36 v	11オーム
jantxv1n4969cus	40.8900	RFQ	9107	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b			5 W	e-melf	-		影響を受けていない	150-jantxv1n4969cus	ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 1 a		2 µA @ 22.8 v								30 V	8オーム
jantxv1n4464dus	38.6100	RFQ	8249	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf、a			1.5 w	D-5a	-		影響を受けていない	150-jantxv1n4464dus	ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 1 a		300 NA @ 5.46 v								9.1 v	4オーム
1N2438	102.2400	RFQ	5945	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	DO-205AA		標準		do-205aa	ダウンロード		影響を受けていない	150-1N2438	ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns				150 v	1.1 V @ 200 a		50 µA @ 150 v	-65°C〜200°C	150a	-
S2025	33.4500	RFQ	2146	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ									-		影響を受けていない	150-S2025			1
S31150	49.0050	RFQ	7980	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ									-		影響を受けていない	150-S31150			1
S30410	49.0050	RFQ	7671	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド		標準		do-5（do-203ab）	-		影響を受けていない	150-S30410	ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns				100 V	1.19 V @ 90 a	5 µs	40 µA @ 100 V	-65°C〜200°C	40a	-
1N5265	2.1000	RFQ	1453	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-		影響を受けていない	150-1N5265	ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 45 V								62 v	185オーム
S20180	33.4500	RFQ	2018年	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ									-		影響を受けていない	150-S20180			1
S32120	49.0050	RFQ	9921	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ									-		影響を受けていない	150-S32120			1
R3205	49.0050	RFQ	4724	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ									-		影響を受けていない	150-R3205			1
S30450	49.0050	RFQ	1778	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ									-		影響を受けていない	150-S30450			1
1N5065	23.4000	RFQ	6358	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	軸			3 W	軸	-		影響を受けていない	150-1N5065	ear99	8541.10.0050	1								200 µA @ 6.2 v								8.2 v	3オーム
CDLL4983	11.1450	RFQ	2066	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ									-		影響を受けていない	150-CDLL4983	ear99	8541.10.0050	1
CDLL5232C	6.7200	RFQ	9514	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA			10 MW	DO-213AA	-		影響を受けていない	150-CDLL5232C	ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 3 V								5.6 v	11オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²