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離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
1N2133ra	74.5200	RFQ	1394	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド		標準、逆極性		do-5（do-203ab）	ダウンロード			影響を受けていない	150-1N2133ra	ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns													300 V		1.25 V @ 200 a		25 µA @ 300 V	-65°C〜200°C	70a	-
jan1n4481cus/tr	27.8250	RFQ	1530	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/406	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf、a			1.5 w	D-5a	-				150-jan1n4481cus/tr	ear99	8541.10.0050	100																	1.5 V @ 1 a		50 Na @ 37.6 v							47 v	50オーム
1N5822G	14.8950	RFQ	6247	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			穴を通して	軸		ショットキー		b	-			影響を受けていない	150-1N5822G			1		-																		-	-	-
jan1n3343b	-	RFQ	4982	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/358	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド			50 W	DO-5	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																	1.5 V @ 10 a		10 µA @ 91.2 v							120 v	40オーム
1N5353E3/TR8	2.6250	RFQ	7663	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±20％	-65°C〜150°C	穴を通して	T-18 、軸	1N5353		5 W	T-18	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,000																	1.2 V @ 1 a		1 µA @ 11.5 v							16 v	2.5オーム
1N823/tr	4.3050	RFQ	5565	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N823/tr	ear99	8541.10.0050	1																			2 µA @ 3 V							6.2 v	15オーム
1N4479US/TR	11.6100	RFQ	4996	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf、a			1.5 w	D-5a	-					ear99	8541.10.0050	100																	1.5 V @ 1 a		50 Na @ 31.2 v							39 v	30オーム
Jan1n3024b-1	-	RFQ	7240	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	バルク	sicで中止されました	±5％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸			1 W	DO-41	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																	1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 11.4 v							15 V	14オーム
1N4759APE3/TR12	0.9450	RFQ	5434	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4759		1 W	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	4,000																	1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 47.1 v							62 v	125オーム
jan1n4484cus/tr	27.8250	RFQ	9489	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/406	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf、a			1.5 w	D-5a	-				150-jan1n4484cus/tr	ear99	8541.10.0050	100																	1.5 V @ 1 a		250 Na @ 49.6 v							62 v	80オーム
UFT3250C	63.7050	RFQ	6659	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			穴を通して	to-204aa、to-3		標準		to-204aa	-			影響を受けていない	150-UFT3250C	ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns												1ペア共通カソード	500 V	30a	1.2 V @ 15 a	60 ns	15 µA @ 500 V	-65°C〜175°C
UZ8760	22.4400	RFQ	7359	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	A 、軸			1 W	A 、軸	-			影響を受けていない	150-UZ8760	ear99	8541.10.0050	1																			500 NA @ 45.6 v							60 V	125オーム
jankcal2n3636	-	RFQ	3356	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/357	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶			1 W	to-39	-			影響を受けていない	150-JankCal2N3636			100																							175 v	1 a	10µA			PNP	600mv @ 5ma 、50ma	50 @ 50ma 、10V	-
cdll5542/tr	5.9052	RFQ	4831	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±20％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ			500 MW	DO-213AB	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-cdll5542/tr	ear99	8541.10.0050	1																	1.1 V @ 200 mA		10 na @ 20 v							24 v	100オーム
jan1n410444ur-1/tr	5.1870	RFQ	1366	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）				DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n4104ur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1																	1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 7.6 v							10 v	200オーム
cdll965b-1/tr	3.0300	RFQ	7750	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-			影響を受けていない	150-CDLL965B-1/TR	ear99	8541.10.0050	313																	1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 11 V							15 V	16オーム
jan1n2831rb	-	RFQ	1447	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	To-204ad	1N2831		10 W	TO-204AD（to-3）	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																	1.5 V @ 2 a		10 µA @ 38.8 v							51 v	5.2オーム
1N3142	245.8350	RFQ	6593	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	DO-205AA		標準		do-205aa	ダウンロード			影響を受けていない	150-1N3142	ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns													200 v		1.2 V @ 200 a		50 µA @ 200 V	-65°C〜200°C	100a	-
jantx1n4112dur-1	45.5700	RFQ	6061	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N4112		500 MW	DO-35	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																	1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 13.7 v							18 v	100オーム
APT25M100J	33.9300	RFQ	3255	マイクロチップテクノロジー	Power Mos 8™	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	APT25M100	モスフェット（金属酸化物）		ISOTOP®	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1			nチャネル	1000 V	25a（tc）	10V	330mohm @ 18a 、10V	5V @ 2.5MA	305 NC @ 10 V	±30V	9835 PF @ 25 V	-	545W （TC）
1N2135AR	74.5200	RFQ	4906	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド		標準、逆極性		do-5（do-203ab）	ダウンロード			影響を受けていない	150-1N2135AR	ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns													400 V		1.25 V @ 200 a		25 µA @ 400 V	-65°C〜200°C	70a	-
jan1n4486cus/tr	27.8250	RFQ	1223	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/406	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf、a			1.5 w	D-5a	-				150-jan1n4486cus/tr	ear99	8541.10.0050	100																	1.5 V @ 1 a		250 na @ 60 v							75 v	130オーム
2C3637-MSCL	7.3650	RFQ	3596	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ									-			影響を受けていない	150-2C3637-MSCL			1
2N3752	273.7050	RFQ	5125	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	スタッドマウント	TO-11-4 、スタッド			30 W	TO-111	-			影響を受けていない	150-2N3752	ear99	8541.29.0095	1																							80 v	5 a	-			PNP	250MV @ 100µA、1MA	-	-
2N2946	24.6450	RFQ	7242	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ									-			影響を受けていない	150-2N2946			1
jansd2n3700	34.6500	RFQ	6540	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/391	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206aa			500 MW	TO-18（to-206aa	-			影響を受けていない	150-jansd2n3700			1																							80 v	1 a	10na			npn	500MV @ 50MA 、500MA	100 @ 150ma 、10V	-
jantxv1n5807urs/tr	25.4850	RFQ	8290	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/477	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	sq-melf b		標準		B、sq-melf	-				150-jantxv1n5807urs/tr			100		高速回復= <500ns													50 v		875 mV @ 4 a	30 ns	5 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	3a	60pf @ 10V、1MHz
jantx1n4984us	13.5750	RFQ	3682	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf e	1N4984		5 W	D-5B	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																	1.5 V @ 1 a		2 µA @ 91.2 v							120 v	170オーム
1N4622-1	2.6400	RFQ	8700	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AA	1N4622		500 MW	DO-7	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																	1.1 V @ 200 mA		2.5 µA @ 2 V							3.9 v	1650オーム
DN2625DK6-G	3.3500	RFQ	1871年	マイクロチップテクノロジー	-	トレイ	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	8-vdfn露出パッド	DN2625	モスフェット（金属酸化物）	-	8-dfn （5x5）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	490	2 nチャンネル（デュアル）			250V	1.1a		3.5OHM @ 1A 、0V	-	7.04NC @ 1.5V		1000pf @ 25V	枯渇モード

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²