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離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
jan1n4486cus/tr	27.8250	RFQ	1223	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/406	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf、a			1.5 w	D-5a	-				150-jan1n4486cus/tr	ear99	8541.10.0050	100													1.5 V @ 1 a		250 na @ 60 v							75 v	130オーム
2C3637-MSCL	7.3650	RFQ	3596	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ									-			影響を受けていない	150-2C3637-MSCL			1
2N3752	273.7050	RFQ	5125	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	スタッドマウント	TO-11-4 、スタッド			30 W	TO-111	-			影響を受けていない	150-2N3752	ear99	8541.29.0095	1																			80 v	5 a	-			PNP	250MV @ 100µA、1MA	-	-
2N2946	24.6450	RFQ	7242	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ									-			影響を受けていない	150-2N2946			1
jansd2n3700	34.6500	RFQ	6540	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/391	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206aa			500 MW	TO-18（to-206aa	-			影響を受けていない	150-jansd2n3700			1																			80 v	1 a	10na			npn	500MV @ 50MA 、500MA	100 @ 150ma 、10V	-
jantxv1n5807urs/tr	25.4850	RFQ	8290	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/477	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	sq-melf b		標準		B、sq-melf	-				150-jantxv1n5807urs/tr			100		高速回復= <500ns									50 v		875 mV @ 4 a	30 ns	5 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	3a	60pf @ 10V、1MHz
jantx1n4984us	13.5750	RFQ	3682	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf e	1N4984		5 W	D-5B	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.5 V @ 1 a		2 µA @ 91.2 v							120 v	170オーム
1N4622-1	2.6400	RFQ	8700	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AA	1N4622		500 MW	DO-7	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 mA		2.5 µA @ 2 V							3.9 v	1650オーム
DN2625DK6-G	3.3500	RFQ	1871年	マイクロチップテクノロジー	-	トレイ	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	8-vdfn露出パッド	DN2625	モスフェット（金属酸化物）	-	8-dfn （5x5）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	490	2 nチャンネル（デュアル）		250V	1.1a	3.5OHM @ 1A 、0V	-	7.04NC @ 1.5V	1000pf @ 25V	枯渇モード
SMAJ4756CE3/TR13	0.6450	RFQ	9531	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	SMAJ4756		2 W	DO-214AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	7,500													1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 35.8 v							47 v	80オーム
TC8020K6-G	10.9800	RFQ	2111	マイクロチップテクノロジー	-	トレイ	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	56-VFQFN露出パッド	TC8020	モスフェット（金属酸化物）	-	56-QFN （8x8）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	250	6nおよび6pチャネル		200V	-	8ohm @ 1a 、10V	2.4V @ 1MA	-	50pf @ 25V	-
Jan1n4116d-1	13.1400	RFQ	5982	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N4116			do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 18.3 v							24 v	150オーム
1N4685	3.9300	RFQ	7175	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C（タタ	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード			影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 mA		7.5 µA @ 2 V							3.6 v
JANTX1N4115DUR-1	30.4050	RFQ	9757	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N4115		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 16.8 v							22 v	150オーム
1n6311us/tr	14.7900	RFQ	5785	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b			500 MW	B、sq-melf	-					ear99	8541.10.0050	100													1.4 V @ 1 a		30 µA @ 1 V							3 v	29オーム
CDLL4621	3.3000	RFQ	9173	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA	CDLL4621		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 mA		3.5 µA @ 2 V							3.6 v	1700オーム
JANKCCD2N3501	-	RFQ	2984	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/366	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶			1 W	to-39	-			影響を受けていない	150-jankccd2n3501			100																			150 v	300 Ma	10µa（icbo）			npn	400MV @ 15MA、150MA	100 @ 150ma 、10V	-
2N222222AUBC/TR	28.8750	RFQ	1762	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし			500 MW	UBC	-			影響を受けていない	150-2N222222AUBC/TR	ear99	8541.21.0095	100																			50 v	800 Ma	50NA			npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
jan1n4370cur-1/tr	16.5984	RFQ	9107	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/127	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）				DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n4370cur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 mA		100 µA @ 1 V							2.4 v	30オーム
jan1n6625us/tr	14.3400	RFQ	4533	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/585	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	sq-melf、a		標準		a sq-melf	-				150-jan1n6625us/tr			100		高速回復= <500ns									1000 V		1.75 V @ 1 a	80 ns	1 µA @ 1000 V	-65°C〜150°C	1a	-
jantxv1n6490dus/tr	-	RFQ	6502	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/406	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf、a			1.5 w	D-5a	ダウンロード				150-jantxv1n6490dus/tr	ear99	8541.10.0050	1													1.5 V @ 1 a		1 µA @ 1 V							5.1 v	7オーム
681-6	280.3200	RFQ	2006年年	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			シャーシマウント	nd	681-6	標準		nd	ダウンロード			影響を受けていない	150-681-6	ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns								1独立	600 V	15a	1.2 V @ 10 a		10 µA @ 600 V	-65°C〜150°C
CDLL3027A	15.3000	RFQ	2669	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-55°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL3027		1 W	DO-213AB	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 15.2 v							20 v	22オーム
JANSP2N5152	95.9904	RFQ	3181	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/544	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶			1 W	to-39	-			影響を受けていない	150-JANSP2N5152			1																			80 v	2 a	50µA			npn	1.5V @ 500MA 、5a	30 @ 2.5a 、5V	-
1N4992US	16.3350	RFQ	9207	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf e	1N4992		5 W	D-5B	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.5 V @ 1 a		2 µA @ 206 v							270 v	800オーム
Jan1n1188	58.1850	RFQ	5454	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/297	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	1N1188	標準		DO-5	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns									400 V		1.4 V @ 110 a		10 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	35a	-
1N5539bur-1	6.4800	RFQ	4461	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA	1N5539		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 17.1 v							19 v	100オーム
jantxv1n974cur-1/tr	17.3166	RFQ	2027	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n974cur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 27 V							36 v	70オーム
CD4101	1.3699	RFQ	2953	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	死ぬ			500 MW	死ぬ	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-CD4101	ear99	8541.10.0050	1													1.5 V @ 200 mA		1 µA @ 6.24 v							8.2 v	200オーム
jan1n4987dus/tr	42.5850	RFQ	2003年	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/356	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b			5 W	e-melf	-				150-jan1n4987dus/tr	ear99	8541.10.0050	100													1.5 V @ 1 a		2 µA @ 121.6 v							160 v	350オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²