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離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	アプリケーション	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	フェットタイプ	電源（ VDSS ）への排水	ciss ）（ max @ vds	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧 -破壊（ V	現在の - ドレイン（IDSS @ vds（vgs = 0）	電圧-Cutoff（ VGSオフ） @ id	現在 -コレクターカットオフ（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	抵抗-RDS （オン）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	静電容量比	静電容量比条件	Q @ vr、f	電圧 -アノード -カソード（ vak ）（最大）	レギュレータ電流（最大）	電圧 -制限（最大）
jan1n4100dur-1/tr	25.3232	RFQ	1750	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		表面マウント	do-213aa （ガラス）				DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n4100dur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		1 µA @ 5.7 v												7.5 v	200オーム
jantxv1n4100c-1	23.1600	RFQ	3957	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N4100		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		1 µA @ 5.7 v												7.5 v	200オーム
jantx1n3822d-1	27.4650	RFQ	8852	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N3822		1 W	DO-41	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.2 V @ 200 mA		75 µA @ 1 V												3.6 v	10オーム
MV2N5116	-	RFQ	6422	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		穴を通して	to-206aa	MV2N5116		500 MW	TO-18（to-206aa	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1		pチャネル	30 V	27pf @ 15V												30 V	25 ma @ 15 v	6 V @ 1 Na				100オーム
jantxv1n4103d-1	28.9500	RFQ	9826	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N4103		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 7 V												9.1 v	200オーム
janhca1n5284	-	RFQ	4482	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/463	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜175°C	-	穴を通して	DO-204AA			500MW	DO-7	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-janhca1n5284	ear99	8541.10.0070	1																														100V	264µA	1V
jantx1n6490	-	RFQ	7217	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		穴を通して	sq-melf、a	1N6490		1.5 w	D-5a	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 1 a		1 µA @ 1 V												5.1 v	7オーム
GC15005-00	-	RFQ	6295	マイクロチップテクノロジー	GC15000	トレイ	アクティブ		-55°C〜125°C		表面マウント	死ぬ				チップ	-			影響を受けていない	150-GC15005-00	ear99	8541.10.0040	1											2.4pf @ 20V、1MHz			シングル	22 v												8	C0/C15	900 @ 4V、50MHz
jantxv1n3011rb	-	RFQ	1190	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/124	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		スタッドマウント	do-203aa			10 W	do-213aa	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 2 a		10 µA @ 114 v												150 v	175オーム
SMBJ5350A/TR13	1.6350	RFQ	7456	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜150°C		表面マウント	DO-214AA、SMB	SMBJ5350		5 W	smbj（ do-214aa）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000						1.2 V @ 1 a		1 µA @ 9.4 v												13 v	2.5オーム
jantx1n3671a	54.1800	RFQ	2902	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/260	バルク	アクティブ				スタッドマウント	do-203aa	1N3671	標準		do-203aa	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns				800 V	2.3 V @ 240 a		5 µA @ 800 V	-65°C〜150°C	12a	-
1N5623E3	7.3350	RFQ	7833	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ										-	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1
DSB0.2A40	-	RFQ	2229	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ				穴を通して	do-204ah do-35 、軸	DSB0.2	ショットキー		DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	1	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度				20 v	510 mV @ 200 mA		5 µA @ 40 V	-65°C〜125°C	200mA	50pf @ 0V、1MHz
JANKCDR2N5152	-	RFQ	8425	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/544	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶			1 W	to-39	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jankcdr2n5152	ear99	8541.29.0095	1												80 v	2 a						50µA				npn	1.5V @ 500MA 、5a	30 @ 2.5a 、5V	-
CDLL5948D	11.7300	RFQ	6208	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL5948		1.25 w	DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 69.2 v												91 v	200オーム
1N968B	2.0700	RFQ	8660	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		穴を通して	DO-204AA	1N968		500 MW	DO-7	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	1N968bms	ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 15.2 v												20 v	25オーム
jan1n4960c	16.5600	RFQ	9333	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C		穴を通して	E 、軸			5 W	E 、軸	-			影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 1 a		10 µA @ 9.1 v												12 v	2.5オーム
cdll5538c/tr	12.3900	RFQ	8084	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C		表面マウント	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-			影響を受けていない	150-CDLL5538C/TR	ear99	8541.10.0050	100						1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 16.2 v												18 v	100オーム
jans1n4481us/tr	151.3604	RFQ	5375	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	sq-melf、a			1.5 w	a sq-melf	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jans1n4481us/tr	ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 1 a		50 Na @ 37.6 v												47 v	50オーム
jantx1n3037bur-1/tr	13.0739	RFQ	3645	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C		表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）			1 W	do-213ab	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n3037bur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1						1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 38.8 v												51 v	95オーム
1N3024B-1	-	RFQ	5042	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	sicで中止されました	±5％	-55°C〜175°C		穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N3024		1 W	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 11.4 v												15 V	14オーム
SMAJ4750CE3/TR13	0.6450	RFQ	9851	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C		表面マウント	DO-214AC、SMA	SMAJ4750		2 W	DO-214AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	7,500						1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 20.6 v												27 v	35オーム
JANSP2N2906AUB	148.2202	RFQ	9783	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/291	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C		表面マウント	3-SMD 、リードなし			500 MW	ub	-			影響を受けていない	150-JANSP2N2906AUB			1												60 V	600 Ma						50NA				PNP	1.6V @ 50ma 、500ma	40 @ 150ma 、10V	-
jan1n3042d-1/tr	26.4271	RFQ	8627	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-55°C〜175°C		穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸			1 W	DO-41	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n3042d-1/tr	ear99	8541.10.0050	1						1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 62.2 v												82 v	200オーム
jantxv1n6642ubcc	34.1700	RFQ	4075	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/578	バルク	アクティブ				表面マウント	3-SMD 、リードなし	1N6642	標準		ub	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	1	高速回復= <500ns				75 v	1.2 V @ 100 MA	20 ns	500 NA @ 75 V	-65°C〜175°C	300mA	-
UES1302E3	24.3450	RFQ	2887	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ				穴を通して	b 、軸		標準		b 、軸	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-US1302E3	ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns				100 V	925 mV @ 6 a	30 ns	5 µA @ 100 V	175°C	6a	-
GC2510-00	-	RFQ	7086	マイクロチップテクノロジー	-	トレイ	アクティブ		-55°C〜125°C		表面マウント	死ぬ				チップ	-			影響を受けていない	150-GC2510-00	ear99	8541.10.0040	1											0.4pf @ 6V、1MHz			シングル	15 V													-	-
jans1n6320cus	285.0750	RFQ	4843	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	トレイ	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C		表面マウント	sq-melf b	1N6320		500 MW	B、sq-melf	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.4 V @ 1 a		2 µA @ 4 V												6.8 v	3オーム
jantx1n3028cur-1	37.3500	RFQ	1564	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	バルク	アクティブ	±2％	-55°C〜175°C		表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	1N3028		1 W	do-213ab	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 16.7 v												22 v	23オーム
USD245C	61.6950	RFQ	4543	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ				穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶	USD245	ショットキー		to-39	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns				45 v	680 mV @ 4 a		2 MA @ 45 v	-65°C〜175°C	4a	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²