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離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
1N4575AUR-1/TR	5.7750	RFQ	9625	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA			500 MW		DO-213AA	ダウンロード			影響を受けていない	150-1N4575AUR-1/TR	ear99	8541.10.0050	164																			2 µA @ 3 V											50オーム
APT2X30D120J	28.1900	RFQ	2	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ			シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	Apt2x30	標準			ISOTOP®	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	10		高速回復= <500ns												2独立	1200 v	30a	2.5 V @ 30 a	370 ns	250 µA @ 1200 V	-55°C〜175°C
1N2135R	74.5200	RFQ	6566	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド		標準、逆極性			do-5（do-203ab）	ダウンロード			影響を受けていない	150-1N2135R	ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns													400 V		1.25 V @ 200 a		25 µA @ 400 V	-65°C〜200°C	70a	-
SMBG5354CE3/TR13	-	RFQ	1333	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-215AA	SMBG5354		5 W		SMBG （DO-215AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000																	1.2 V @ 1 a		500 NA @ 12.2 v										17 v	2.5オーム
CDS5518B-1/TR	-	RFQ	8256	マイクロチップテクノロジー	*	テープ＆リール（ tr）	アクティブ										-			影響を受けていない	150-CDS5518B-1/TR	ear99	8541.10.0050	50
APTGF180SK60TG	-	RFQ	2671	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	廃止		-	シャーシマウント	SP4			833 w	標準	SP4	ダウンロード		1 （無制限）			ear99	8541.29.0095	1	シングル																						npt	600 V	220 a	2.5V @ 15V 、180a	300 µA	はい			8.6 nf @ 25 v
1N5257/tr	2.2950	RFQ	8479	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW		do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-1N5257/tr	ear99	8541.10.0050	410																	1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 24 V										33 v	58オーム
janhca1n965d	-	RFQ	2205	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	死ぬ			500 MW		死ぬ	-			影響を受けていない	150-janhca1n965d	ear99	8541.10.0050	100																	1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 11.4 v										15 V	16オーム
1N5362CE3/TR12	3.3900	RFQ	8269	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	穴を通して	T-18 、軸	1N5362		5 W		T-18	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000																	1.2 V @ 1 a		500 NA @ 20.1 v										28 v	6オーム
jantx1n5526d-1/tr	19.5776	RFQ	5940	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW		do-35 （do-204ah）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n5526d-1/tr	ear99	8541.10.0050	1																	1.1 V @ 200 mA		1 µA @ 6.2 v										6.8 v	30オーム
1N4710/tr	3.6575	RFQ	3723	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AA			500 MW		do-7 （do-204aa）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N4710/tr	ear99	8541.10.0050	1																	1.1 V @ 200 mA		10 na @ 19 v										25 v
Jan2N4234L	39.7936	RFQ	8138	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶			1 W		to-39	-			影響を受けていない	150-JAN2N4234L	ear99	8541.29.0095	1																								40 v	1 a		1ma					PNP	600MV @ 100MA、1A	40 @ 100MA、1V	-
cdll935a/tr	4.2600	RFQ	7851	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜100°C	表面マウント	DO-213AA			500 MW		DO-213AA	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-CDLL935A/TR	ear99	8541.10.0050	1																													9 v	20オーム
CDLL5258B	2.8650	RFQ	7783	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL5258		10 MW		DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																	1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 27 V										36 v	70オーム
1 PMT5943CE3/TR13	-	RFQ	8386	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-216AA	1PMT5943		3 W		DO-216AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,000																	1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 42.6 v										56 v	86オーム
1N4702C/TR	8.0550	RFQ	6267	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AA			500 MW		DO-7	-			影響を受けていない	150-1N4702C/TR	ear99	8541.10.0050	118																	1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 11.4 v										15 V
jans1n5811	23.4750	RFQ	8777	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/477	バルク	アクティブ			穴を通して	b 、軸		標準			b 、軸	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns													150 v		875 mV @ 4 a	30 ns		-65°C〜175°C	6a	-
CDLL825AE3/TR	6.2250	RFQ	8950	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±4.84％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA			500 MW		DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-CDLL825AE3/TR	ear99	8541.10.0050	1																			2 µA @ 3 V										6.2 v	10オーム
JANKCA1N4574A	-	RFQ	1148	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/452	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜100°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW		do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jankca1n4574a	ear99	8541.10.0050	1																			2 µA @ 3 V										6.4 v	100オーム
1N4488	9.6750	RFQ	6979	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/406	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO041、軸	1N4488		1.5 w		DO-41	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない	1N4488MS	ear99	8541.10.0050	1																	1.5 V @ 1 a		250 Na @ 72.8 v										91 v	200オーム
jantxv1n3913r	-	RFQ	4894	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/308	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド		標準			DO-5	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns													400 V		1.4 V @ 50 a	200 ns		-65°C〜150°C	30a	-
jantx1n4486dus/tr	49.7250	RFQ	4482	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/406	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf、a			1.5 w		D-5a	-				150-jantx1n4486dus/tr	ear99	8541.10.0050	100																	1.5 V @ 1 a		250 na @ 60 v										75 v	130オーム
1N6621/tr	13.3800	RFQ	6642	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	A 、軸		標準			A 、軸	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N6621/tr	ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns													440 v		1.4 V @ 1.2 a	30 ns	500 NA @ 440 v	-65°C〜150°C	1.2a	10pf @ 10V、1MHz
SMBJ5342A/TR13	1.6350	RFQ	3339	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMBJ5342		5 W		smbj（ do-214aa）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000																	1.2 V @ 1 a		10 µA @ 4.9 v										6.8 v	1オーム
1N5233A	1.8600	RFQ	8314	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5233		500 MW		do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																	1.5 V @ 200 mA		5 µA @ 3.5 v										6 v	7オーム
jan1n758aur-1/tr	4.0831	RFQ	9564	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA			500 MW		DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n758aur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1																	1.1 V @ 200 mA		1 µA @ 8 V										10 v	17オーム
1N5280/tr	3.3000	RFQ	9068	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	do-204ah do-35 、軸					do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-1N5280/tr	ear99	8541.10.0050	286																	1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 137 v
jantxv1n5521d-1	29.2200	RFQ	8090	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5521		500 MW		do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																	1.1 V @ 200 mA		3 µA @ 1.5 v										4.3 v	18オーム
APTM50DAM19G	200.7200	RFQ	1400	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP6	APTM50	モスフェット（金属酸化物）			SP6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1			nチャネル	500 V	163a（tc）	10V	22.5mohm @ 81.5a 、10V	5V @ 10MA	492 NC @ 10 V	±30V	22400 PF @ 25 V	-	1136W
S40A4	70.0350	RFQ	2981	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド		標準			DO-5	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns													400 V		1.1 V @ 40 a	3 µs		-	40a	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²