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離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	フェットタイプ	テスト条件	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	現在 -コレクターカットオフ（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
jantx1n5522c-1/tr	16.3856	RFQ	2616	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸				500 MW	do-35 （do-204ah）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n5522c-1/tr	ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 mA		2 µA @ 2 V													4.7 v	22オーム
Jan1n6315c	24.3300	RFQ	3089	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N6315			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.4 V @ 1 a		2 µA @ 1 V													4.3 v	20オーム
1N5942PE3/TR8	0.9150	RFQ	5588	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±20％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N5942			1.5 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500													1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 38.8 v													51 v	70オーム
jan1n4984us/tr	13.1700	RFQ	5450	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/356	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b				5 W	e-melf	-				150-jan1n4984us/tr	ear99	8541.10.0050	100													1.5 V @ 1 a		2 µA @ 91.2 v													120 v	170オーム
APT5020BVFRG	10.6100	RFQ	6646	マイクロチップテクノロジー	PowerMosv®	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-247-3	APT5020		モスフェット（金属酸化物）		to-247 [b]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル			500 V	26a（tc）	200mohm @ 500ma 、10V	4V @ 1MA	225 NC @ 10 V	4440 PF @ 25 V	-
Jan1n5518b-1/tr	5.0407	RFQ	2147	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸				500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n5518b-1/tr	ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 1 V													3.3 v	26オーム
jantx1n943bur-1	-	RFQ	7132	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/157	バルク	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）				500 MW	DO-213AA	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1															15 µA @ 8 V													11.7 v	30オーム
jantxv1n4099d-1	25.7550	RFQ	5965	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N4099			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 mA		1 µA @ 5.2 v													6.8 v	200オーム
Jan1N6326	-	RFQ	1600	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	sicで中止されました	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸				500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.4 V @ 1 a		1 µA @ 9 V													12 v	7オーム
jan1n4968cus/tr	23.7000	RFQ	6843	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/356	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b				5 W	e-melf	-				150-jan1n4968cus/tr	ear99	8541.10.0050	100													1.5 V @ 1 a		2 µA @ 20.6 v													27 v	6オーム
MNS1N4568AUR-1/TR	21.7950	RFQ	1939年	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-55°C〜100°C	表面マウント	DO-213AA				500 MW	DO-213AA	-			影響を受けていない	150-MNS1N4568AUR-1/TR	ear99	8541.10.0050	1															2 µA @ 3 V													6.4 v	200オーム
1N759AUR-1	3.0300	RFQ	6094	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA	1N759			500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 mA		1 µA @ 9 V													12 v	10オーム
1N5246bur-1/tr	2.7132	RFQ	4584	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA				500 MW	DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N5246bur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 mA		100 na @ 12 v													16 v	17オーム
1N5923C	6.0300	RFQ	1420	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO041、軸	1N5923			1.25 w	DO-41	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 6.5 v													8.2 v	3.5オーム
jantx1n6872utk2cs/tr	413.5500	RFQ	4316	マイクロチップテクノロジー	*	テープ＆リール（ tr）	アクティブ										-			影響を受けていない	150-jantx1n6872utk2cs/tr			100
2N6182	287.8650	RFQ	1956年年	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	スタッドマウント	TO-210AA				60 W	to-59	-			影響を受けていない	150-2N6182	ear99	8541.29.0095	1																				80 v	10 a						-			PNP	700MV @ 200µA、2MA	-	-
JANSP2N2369AU	130.1402	RFQ	2691	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/317	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	6-SMD 、リードなし				500 MW	u	-			影響を受けていない	150-JANSP2N2369AU			1																				15 V							400na			npn	450mv @ 10ma 、100ma	40 @ 10ma、1V	-
2N1490	58.8900	RFQ	9306	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-204aa、to-3				75 W	TO-204AD（to-3）	-			影響を受けていない	150-2N1490	ear99	8541.29.0095	1																				55 v	6 a						25µa（icbo）			npn	3V @ 300MA 、1.5a	25 @ 1.5a 、4V	-
2N3996	273.7050	RFQ	3138	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	スタッドマウント	TO-11-4 、スタッド				2 W	TO-111	-			影響を受けていない	150-2N3996	ear99	8541.29.0095	1																				80 v	10 a						10µA			npn	2V @ 500MA 、5a	40 @ 1a 、2V	-
1n6636us/tr	13.8400	RFQ	8575	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b				5 W	e-melf	-					ear99	8541.10.0050	100													1.5 V @ 1 a		20 µA @ 1 V													4.7 v	2オーム
Jan1N5614	4.5150	RFQ	6168	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/427	バルク	アクティブ			穴を通して	A 、軸	1N5614		標準		A 、軸	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns											200 v	1.3 V @ 3 a	2 µs	500 NA @ 200 V	-65°C〜200°C	1a	-
MSASC25H30K/TR	-	RFQ	4250	マイクロチップテクノロジー	*	テープ＆リール（ tr）	アクティブ										-			影響を受けていない	150-MSASC25H30K/TR			100
JAN2N3743U4	-	RFQ	3270	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/397	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし				1 W	U4	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																				300 V	200 ma									PNP	1.2V @ 3MA 、30ma	50 @ 30ma 、10V	-
jantx1n5545d-1/tr	19.5776	RFQ	6614	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸				500 MW	do-35 （do-204ah）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n5545d-1/tr	ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 27 V													30 V	100オーム
1n6019ur/tr	3.7350	RFQ	2650	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA				500 MW	DO-213AA	-				150-1N6019ur/tr	ear99	8541.10.0050	264													1.1 V @ 200 mA															62 v
2N3799	11.8800	RFQ	2794	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206aa				1.2W	TO-18（to-206aa	-			影響を受けていない	150-2N3799	ear99	8541.29.0095	1				-																60V	50ma									npn		300 @ 500µA 、5V	-	-
APT68GA60B	8.0900	RFQ	6	マイクロチップテクノロジー	Power Mos 8™	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3	APT68GA60	標準		520 W	to-247 [b]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1			400V 、40a 、4.7OHM、15V																pt	600 V	121 a	202 a	2.5V @ 15V 、40a	715µj（on 607µj （オフ）	298 NC	21ns/133ns
BZV55C22/TR	2.7664	RFQ	4095	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）					DO-213AA	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-BZV55C22/TR	ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 15.4 v													22 v
2N6340	67.2980	RFQ	6892	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ					2N6340					-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1
JANTX1N4122CUR-1	24.3150	RFQ	1677	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N4122			500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 27.4 v													36 v	200オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²