画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | 入力 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | 電力散逸(最大) | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | IGBTタイプ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | vce(on max) @ vge | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | NTCサーミスタ | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | 入力容量( cies @ vce | @ @ if、f | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1N5528 | 1.8150 | ![]() | 9632 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±20% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | 150-1N5528 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 na @ 6.5 v | 8.2 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N2445 | 102.2400 | ![]() | 8950 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | DO-205AA | 標準 | do-205aa | ダウンロード | 影響を受けていない | 150-1N2445 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.1 V @ 200 a | 50 µA @ 600 V | -65°C〜200°C | 150a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv1n5527bur-1/tr | 25.1902 | ![]() | 6443 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n5527bur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 6.8 v | 7.5 v | 35オーム | |||||||||||||||||||||||||||||
CDLL5274B | 3.1350 | ![]() | 5617 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | CDLL5274 | DO-213AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 94 v | 130 v | 1100オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||
jantx1n4957/tr | 7.3051 | ![]() | 4115 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | E 、軸 | 5 W | E 、軸 | - | 影響を受けていない | 150-jantx1n4957/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 107 | 1.5 V @ 1 a | 25 µA @ 6.9 v | 9.1 v | 2オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UM6606A | - | ![]() | 6427 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | 軸 | 軸 | - | 影響を受けていない | 150-UM6606ATR | ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 6 W | 0.4pf @ 100V、1MHz | ピン -シングル | 800V | 2.5OHM @ 100MA 、100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
jan1n6631us/tr | 19.3500 | ![]() | 8503 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/590 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | sq-melf e | 標準 | D-5B | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n6631us/tr | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1100 v | 1.6 V @ 1.4 a | 60 ns | 4 µA @ 1100 v | -65°C〜150°C | 1.4a | 40pf @ 10V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
CDLL961A | 2.8650 | ![]() | 7264 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | CDLL961 | 500 MW | DO-213AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 2 µA @ 7.6 v | 10 v | 8.5オーム | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4575AUR-1/TR | 5.7750 | ![]() | 9625 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | 影響を受けていない | 150-1N4575AUR-1/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 164 | 2 µA @ 3 V | 50オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT2X30D120J | 28.1900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | Apt2x30 | 標準 | ISOTOP® | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 高速回復= <500ns | 2独立 | 1200 v | 30a | 2.5 V @ 30 a | 370 ns | 250 µA @ 1200 V | -55°C〜175°C | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N2135R | 74.5200 | ![]() | 6566 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 標準、逆極性 | do-5(do-203ab) | ダウンロード | 影響を受けていない | 150-1N2135R | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.25 V @ 200 a | 25 µA @ 400 V | -65°C〜200°C | 70a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG5354CE3/TR13 | - | ![]() | 1333 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-215AA | SMBG5354 | 5 W | SMBG (DO-215AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 12.2 v | 17 v | 2.5オーム | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDS5518B-1/TR | - | ![]() | 8256 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-CDS5518B-1/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGF180SK60TG | - | ![]() | 2671 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | 廃止 | - | シャーシマウント | SP4 | 833 w | 標準 | SP4 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | シングル | npt | 600 V | 220 a | 2.5V @ 15V 、180a | 300 µA | はい | 8.6 nf @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||
1N5257/tr | 2.2950 | ![]() | 8479 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | 150-1N5257/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 410 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 24 V | 33 v | 58オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | janhca1n965d | - | ![]() | 2205 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | 500 MW | 死ぬ | - | 影響を受けていない | 150-janhca1n965d | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 11.4 v | 15 V | 16オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5362CE3/TR12 | 3.3900 | ![]() | 8269 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 穴を通して | T-18 、軸 | 1N5362 | 5 W | T-18 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 20.1 v | 28 v | 6オーム | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CD6339 | 2.1014 | ![]() | 7931 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | - | 表面マウント | 死ぬ | 死ぬ | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-CD6339 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
jantx1n5526d-1/tr | 19.5776 | ![]() | 5940 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n5526d-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 6.2 v | 6.8 v | 30オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4710/tr | 3.6575 | ![]() | 3723 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AA | 500 MW | do-7 (do-204aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N4710/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 na @ 19 v | 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
Jan2N4234L | 39.7936 | ![]() | 8138 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-205ad、to-39-3金属缶 | 1 W | to-39 | - | 影響を受けていない | 150-JAN2N4234L | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 v | 1 a | 1ma | PNP | 600MV @ 100MA、1A | 40 @ 100MA、1V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | cdll935a/tr | 4.2600 | ![]() | 7851 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜100°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-CDLL935A/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 9 v | 20オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||
CDLL5258B | 2.8650 | ![]() | 7783 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | CDLL5258 | 10 MW | DO-213AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 27 V | 36 v | 70オーム | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1 PMT5943CE3/TR13 | - | ![]() | 8386 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT5943 | 3 W | DO-216AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 42.6 v | 56 v | 86オーム | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4702C/TR | 8.0550 | ![]() | 6267 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AA | 500 MW | DO-7 | - | 影響を受けていない | 150-1N4702C/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 118 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 11.4 v | 15 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jans1n5811 | 23.4750 | ![]() | 8777 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/477 | バルク | アクティブ | 穴を通して | b 、軸 | 標準 | b 、軸 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 150 v | 875 mV @ 4 a | 30 ns | -65°C〜175°C | 6a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL825AE3/TR | 6.2250 | ![]() | 8950 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±4.84% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-CDLL825AE3/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.2 v | 10オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||
JANKCA1N4574A | - | ![]() | 1148 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/452 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜100°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jankca1n4574a | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 v | 100オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4488 | 9.6750 | ![]() | 6979 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO041、軸 | 1N4488 | 1.5 w | DO-41 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | 1N4488MS | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 250 Na @ 72.8 v | 91 v | 200オーム | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv1n3913r | - | ![]() | 4894 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/308 | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 標準 | DO-5 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.4 V @ 50 a | 200 ns | -65°C〜150°C | 30a | - |
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