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離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	アプリケーション	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	電圧 -アノード -カソード（ vak ）（最大）	レギュレータ電流（最大）	電圧 -制限（最大）
aptgt35a120t1g	57.4906	RFQ	4889	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ		シャーシマウント	SP1	aptgt35		208 w	標準	SP1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	ハーフブリッジ								トレンチフィールドストップ	1200 v	55 a	2.1V @ 15V、35a			250 µA	はい			2.5 nf @ 25 v
Jan2N2906Aub	7.9667	RFQ	8560	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/291	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		表面マウント	4-SMD 、リードなし	2N2906		500 MW		ub	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1										60 V	600 Ma				50NA					PNP	1.6V @ 50ma 、500ma	40 @ 150ma 、10V	-
jantxv1n4972dus	51.1200	RFQ	2599	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		表面マウント	sq-melf b			5 W		e-melf	-			影響を受けていない	150-jantxv1n4972dus	ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 1 a	2 µA @ 29.7 v												39 v	14オーム
SBR8050	131.4300	RFQ	7579	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ				シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	SBR8050	ショットキー				ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SBR8050-NDR	ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns	50 v	740 mV @ 80 a	2 MA @ 50 V		80a	-
jan1n974dur-1/tr	12.7680	RFQ	7131	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW		DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n974dur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 mA	500 NA @ 27 V												36 v	70オーム
jantx1n5194/tr	-	RFQ	2677	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/118	テープ＆リール（ tr）	アクティブ				穴を通して	do-204ah do-35 、軸		標準			DO-35	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n5194/tr	ear99	8541.10.0070	1		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度	70 v	1 V @ 100 MA	25 Na @ 70 V	-65°C〜175°C	50ma	-
1N4739AP/TR12	1.8900	RFQ	1504	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C		穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4739		1 W		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	4,000				1.2 V @ 200 mA	10 µA @ 7 V												9.1 v	5オーム
jantxv1n3029cur-1	46.1250	RFQ	9161	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	バルク	アクティブ	±2％	-55°C〜175°C		表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	1N3029		1 W		do-213ab	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1				1.2 V @ 200 mA	10 µA @ 18.2 v												24 v	25オーム
1N5303UR-1	21.8250	RFQ	5030	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜175°C	-	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	1N5303		500MW		do-213ab	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	1																								100V	1.76ma	1.65V
2N5731	519.0900	RFQ	9155	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		スタッドマウント	TO-211MA			75 W		to-61	-			影響を受けていない	150-2N5731	ear99	8541.29.0095	1										80 v	20 a				-					PNP	-	-	-
jantxv1n4103cur-1/tr	29.5260	RFQ	1728	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C		表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW		DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n4103cur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 mA	500 NA @ 7 V												9.1 v	200オーム
CDLL3040	15.3000	RFQ	6048	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±20％	-55°C〜175°C		表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL3040		1 W		DO-213AB	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1				1.2 V @ 200 mA	500 NA @ 51.7 v												68 v	150オーム
1N944A-1E3	22.7850	RFQ	6455	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW		do-35 （do-204ah）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N944A-1E3	ear99	8541.10.0050	1					15 µA @ 8 V												11.7 v	30オーム
jantxv1n5537b-1/tr	8.2327	RFQ	6460	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW		do-35 （do-204ah）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n5537b-1/tr	ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 mA	10 Na @ 15.3 v												17 v	100オーム
jantx1n753c-1/tr	5.8387	RFQ	2747	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/127	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW		do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n753c-1/tr	ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 mA	5 µA @ 3.5 v												6.2 v	7オーム
2N5968	613.4700	RFQ	5083	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-		スタッドマウント	TO-211MB			220 W		to-63	-			影響を受けていない	150-2N5968	ear99	8541.29.0095	1										100 V	40 a				-					PNP	-	-	-
jantxv1n4974d	23.4600	RFQ	9905	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		穴を通して	E 、軸			5 W		E 、軸	-			影響を受けていない	150-jantxv1n4974d	ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 1 a	2 µA @ 35.8 v												47 v	25オーム
1N5921BPE3/TR8	0.9450	RFQ	2737	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C		穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N5921		1.5 w		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500				1.2 V @ 200 mA	5 µA @ 5.2 v												6.8 v	2.5オーム
CDLL5545D	16.2000	RFQ	7108	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		表面マウント	DO-213AA			500 MW		DO-213AA	-			影響を受けていない	150-CDLL5545D	ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 mA	10 Na @ 27 V												30 V	100オーム
jan1n4974dus/tr	29.6100	RFQ	5661	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/356	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		表面マウント	sq-melf b			5 W		e-melf	-				150-jan1n4974dus/tr	ear99	8541.10.0050	100				1.5 V @ 1 a	2 µA @ 35.8 v												47 v	25オーム
SMBG5357B/TR13	2.2500	RFQ	4175	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C		表面マウント	DO-215AA	SMBG5357		5 W		SMBG （DO-215AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000				1.2 V @ 1 a	500 NA @ 14.4 v												20 v	3オーム
JANKCBF2N3440	-	RFQ	4326	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/368	バルク	アクティブ		-55°C〜200°C		穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶			800 MW		to-39	-			影響を受けていない	150-jankcbf2n3440			100										250 v	1 a				2µA					npn	500MV @ 4MA 、50MA	40 @ 20MA 、10V	-
SMBG5383BE3/TR13	1.1400	RFQ	3031	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C		表面マウント	DO-215AA	SMBG5383		5 W		SMBG （DO-215AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000				1.2 V @ 1 a	500 NA @ 108 V												150 v	330オーム
MSCDC50H1201AG	103.8400	RFQ	3	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ		-40°C〜175°C		シャーシマウント	モジュール	MSCDC50	シリコンカーバイドショットキー			-	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	150-MSCDC50H1201AG	ear99	8541.10.0080	1				1.8 V @ 50 a	200 µA @ 1700 v		50 a						単相	1.2 kv
jansf2n3810u	342.7018	RFQ	2020	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/336	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		表面マウント	6-SMD 、リードなし	2N3810		350MW		6-SMD	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1										60V	50ma				10µa（icbo）					2 PNP （デュアル）	250MV @ 100µA、1MA	150 @ 1MA 、5V	-
1N5949D	8.2950	RFQ	4787	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		穴を通して	DO-204AL 、DO041、軸	1N5949		1.25 w		DO-41	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1				1.2 V @ 200 mA	1 µA @ 76 v												100 V	250オーム
jansh2n2218al	283.9200	RFQ	9370	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/251	バルク	アクティブ		-55°C〜200°C （TJ		穴を通して	to-205aa、to-5-3			800 MW		to-5aa	-			影響を受けていない	150-jansh2n2218al			1										50 v	800 Ma				10na					npn	1V @ 50ma 、500ma	40 @ 150ma 、10V	-
Jan1n3040c-1/tr	15.5078	RFQ	4631	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜175°C		穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸			1 W		DO-41	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n3040c-1/tr	ear99	8541.10.0050	1				1.2 V @ 200 mA	10 µA @ 51.7 v												68 v	150オーム
1N3346A	49.3800	RFQ	5970	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C		シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	1N3346		50 W		DO-5	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 10 a	10 µA @ 114 v												150 v	75オーム
jan1n6337dus/tr	49.8450	RFQ	9732	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		表面マウント	sq-melf b			500 MW		B、sq-melf	-			影響を受けていない	150-jan1n6337dus/tr	ear99	8541.10.0050	100				1.4 V @ 1 a	50 Na @ 27 V												36 v	50オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²