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離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
MSCSM70VR1M03CT6AG	727.0000	RFQ	1104	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	MSCSM70	炭化シリコン（原文）	1.625KW	-	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	150-MSCSM70VR1M03CT6AG	ear99	8541.29.0095	1	2 n チャネル（位相レッグ）		700V	585a	3.8mohm @ 200a 、20V	2.4V @ 20MA	1075NC @ 20V	22500PF @ 700V	-
jantxv1n4489us	16.5900	RFQ	8065	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf、a	1N4489		1.5 w	D-5a	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1 V @ 200 mA		250 na @ 80 v							100 V	250オーム
MSCDC150A120D1PAG	199.9800	RFQ	5	マイクロチップテクノロジー	-	箱	アクティブ			シャーシマウント	モジュール	MSCDC150	sic （炭化シリコン）ショットキー		D1p	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	150-MSCDC150A120D1PAG	ear99	8541.10.0080	1		回復時間なし> 500ma								1ペアシリーズ接続	1200 v	150a	1.8 V @ 150 a	0 ns	600 µA @ 1200 V	-40°C〜175°C
1N5927BE3/TR13	-	RFQ	4291	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N5927		1.5 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000													1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 9.1 v							12 v	6.5オーム
1N5069	23.4000	RFQ	3854	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	軸			3 W	軸	-			影響を受けていない	150-1N5069	ear99	8541.10.0050	1															10 µA @ 9.9 v							13 v	6オーム
DSB0.2A40/TR	-	RFQ	8490	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	do-204ah do-35 、軸		ショットキー		do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-dsb0.2a40/tr	ear99	8541.10.0070	228		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度									20 v		510 mV @ 200 mA		5 µA @ 40 V	-65°C〜125°C	200mA	50pf @ 0V、1MHz
1 PMT5953BE3/TR13	0.7350	RFQ	8268	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-216AA	1PMT5953		3 W	DO-216AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,000													1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 114 v							150 v	600オーム
jantxv1n7055-1	11.2350	RFQ	7753	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ									-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1
janhca1n4133	13.2734	RFQ	3662	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AA			500 MW	do-7 （do-204aa）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-janhca1n4133	ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 66.12 v							87 v	1000オーム
cdll6677/tr	6.4050	RFQ	4803	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-213AA		ショットキー		DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-cdll6677/tr	ear99	8541.10.0050	1		高速回復= <500ns									40 v		650 mV @ 500 Ma		10 µA @ 40 V	-65°C〜125°C	500mA	50pf @ 0V、1MHz
jantxv1n4475dus/tr	56.5650	RFQ	8152	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/406	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf、a			1.5 w	D-5a	-				150-jantxv1n4475dus/tr	ear99	8541.10.0050	100													1.5 V @ 1 a		50 Na @ 21.6 v							27 v	18オーム
jans1n4619-1/tr	55.5200	RFQ	4317	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jans1n4619-1/tr	ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 mA		400 na @ 1 v							3 v	1.6オーム
CD4479	4.3624	RFQ	4264	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-	表面マウント	死ぬ				死ぬ	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-CD4479	ear99	8541.10.0050	1
CDS759AUR-1	-	RFQ	2899	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ									-			影響を受けていない	150-CDS759AUR-1	ear99	8541.10.0050	50
jantxv1n751a-1/tr	6.4372	RFQ	9477	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/127	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	-	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n751a-1/tr	ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 2 V							5.1 v	14オーム
1N4744PE3/TR12	0.9150	RFQ	9378	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4744		1 W	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	4,000													1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 11.4 v							15 V	14オーム
CDLL0.5A40	2.9925	RFQ	6306	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			表面マウント	DO-213AA	CDLL0.5	ショットキー		DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	1		高速回復= <500ns									40 v		650 mV @ 500 Ma		10 µA @ 40 V	-65°C〜125°C	500mA	50pf @ 0V、1MHz
jantxv1n4113d-1/tr	25.8153	RFQ	6246	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n4113d-1/tr	ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 14.5 v							19 v	150オーム
Jan1n4125d-1	13.1400	RFQ	2573	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N4125			do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 35.8 v							47 v	250オーム
1N2996RB	36.9900	RFQ	2547	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	スタッドマウント	do-203aa	1N2996		10 W	DO-4 （DO-203AA）	ダウンロード			影響を受けていない	150-1N2996RB	ear99	8541.10.0050	1													1.5 V @ 2 a		10 µA @ 36 v							50 v	15オーム
jantxv1n6346d	46.9200	RFQ	6167	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-jantxv1n6346d	ear99	8541.10.0050	1													1.4 V @ 1 a		50 Na @ 62 v							82 v	220オーム
1N3620	44.1600	RFQ	9228	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-203aa		標準		do-203aa	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N3620	ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns									400 V		1.1 V @ 30 a		10 µA @ 400 V	-65°C〜200°C	25a	-
jans1n4133dur-1/tr	137.5900	RFQ	7008	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jans1n4133dur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 66.2 v							87 v	1オーム
1N5551US	7.5000	RFQ	6402	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			表面マウント	sq-melf e	1N5551	標準		D-5B	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns									400 V		1.2 V @ 9 a	2 µs	1 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	3a	-
SMBG5344C/TR13	2.8650	RFQ	7614	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-215AA	SMBG5344		5 W	SMBG （DO-215AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000													1.2 V @ 1 a		10 µA @ 5.9 v							8.2 v	1.5オーム
SMBJ4739/TR13	0.8700	RFQ	6676	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMBJ4739		2 W	smbj（ do-214aa）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000													1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 7 V							9.1 v	5オーム
Jan1n981c-1	4.8300	RFQ	3331	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N981		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 52 v							68 v	230オーム
Jan1n5542b-1/tr	5.0407	RFQ	8145	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n5542b-1/tr	ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 21.6 v							24 v	100オーム
2N5616	74.1300	RFQ	8759	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-	穴を通して	to-204aa、to-3			58 W	TO-204AD（to-3）	-			影響を受けていない	150-2N5616	ear99	8541.29.0095	1																			80 v	5 a	-			PNP	-	-	-
1N1346AR	38.3850	RFQ	6287	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-203aa		標準		DO-4 （DO-203AA）	ダウンロード			影響を受けていない	150-1N1346AR	ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns									400 V		1.3 V @ 30 a		10 µA @ 400 V	-65°C〜200°C	16a	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²