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離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
JANTX2N5154L	14.8295	RFQ	2357	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/544	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3	2N5154		1 W		to-5	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1													80 v	2 a		50µA					npn	1.5V @ 500MA 、5a	70 @ 2.5a 、5V	-
CDLL4103	3.5850	RFQ	3453	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL4103		500 MW		DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 7 V										9.1 v	200オーム
Apt30dq120kg	1.3100	RFQ	340	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3	APT30DQ120	標準			TO-220 [k]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns		1200 v		3.3 V @ 30 a	320 ns	100 µA @ 1200 V	-55°C〜175°C	30a	-
aptgl475da120d3g	250.4300	RFQ	1925年年	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜175°C	シャーシマウント	D-3モジュール	aptgl475		2080 w	標準	D3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	シングル											トレンチフィールドストップ	1200 v	610 a	2.2V @ 15V 、400A	5 Ma	いいえ			24.6 nf @ 25 v
jantx1n6773r	-	RFQ	8658	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			穴を通して	TO-257-3		標準			TO-257	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns		600 V		1.6 V @ 8 a	60 ns	10 µA @ 480 v	-	8a	200pf @ 5V、1MHz
1N6027D	6.9600	RFQ	5290	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N6027		500 MW		DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 99 v										130 v	950オーム
1N4621-1/TR	2.4871	RFQ	5829	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AA			500 MW		DO-7	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N4621-1/tr	ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		3.5 µA @ 2 V										3.6 v	1700オーム
1N4971	6.9800	RFQ	7926	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	E 、軸	1N4971		5 W			ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 1 a		2 µA @ 27.4 v										36 v	11オーム
1N759AUR-1	3.0300	RFQ	6094	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA	1N759		500 MW		DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		1 µA @ 9 V										12 v	10オーム
JANTX1N964C-1	5.6850	RFQ	9220	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	バルク	アクティブ	±2％	-55°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N964		500 MW		do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 9.9 v										13 v	13オーム
jantxv1n3768r	80.8200	RFQ	6149	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/297	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	1N3768	標準、逆極性			DO-5	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns		1000 V		1.4 V @ 110 a		10 µA @ 1000 v	-65°C〜175°C	35a	-
JANTX1N756DUR-1	17.8950	RFQ	9794	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/127	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N756		500 MW		DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		1 µA @ 6 V										8.2 v	8オーム
MSASC100W45HR	-	RFQ	2812	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			表面マウント	Thinkey™2		ショットキー、逆極性			Thinkey™2	-			影響を受けていない	150-MSASC100W45HR	ear99	8541.10.0080	100		高速回復= <500ns		45 v		800 mV @ 100 a		1 MA @ 45 v	-65°C〜175°C	100a	-
Jan1N5774	-	RFQ	6439	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/474	バルク	アクティブ			表面マウント	14-cflatpack		標準			14-cflatpack	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	1		高速回復= <500ns				1.5 V @ 500 Ma	20 ns	100 Na @ 40 V	-65°C〜150°C	300mA	8pf @ 0V、1MHz
JANKCA1N5523B	-	RFQ	5264	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AA			500 MW		do-7 （do-204aa）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jankca1n5523b	ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		2 µA @ 2.5 v										5.1 v	26オーム
jantxv1n982bur-1	7.5600	RFQ	6420	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N982		500 MW		DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 56 v										75 v	270オーム
JANTX1N5622	6.4600	RFQ	4581	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/427	バルク	アクティブ			穴を通して	A 、軸	1N5622	標準			A 、軸	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns		1000 V		1.3 V @ 3 a	2 µs	500 NA @ 1000 V	-65°C〜200°C	1a	-
APT100GN120JDQ4	55.6400	RFQ	4345	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	APT100		446 w	標準	ISOTOP®	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	シングル											トレンチフィールドストップ	1200 v	153 a	2.1V @ 15V 、100A	200 µA	いいえ			6.5 nf @ 25 v
1N5740C	3.7200	RFQ	7626	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5740		500 MW		DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 10 V										15 V	30オーム
jantxv1n4125ur-1/tr	10.1080	RFQ	9488	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW		DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n4125ur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 35.8 v										47 v	250オーム
Jan1n5553/tr	7.6650	RFQ	1142	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/420	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	b 、軸		標準			b 、軸	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n5553/tr	ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns		800 V		1.3 V @ 9 a	2 µs	1 µA @ 800 V	-65°C〜175°C	3a	-
jantx1n3035c-1	25.5600	RFQ	9006	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	バルク	アクティブ	±2％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N3035		1 W		DO-41	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 32.7 v										43 v	70オーム
1 PMT4133C/TR7	1.2450	RFQ	7248	マイクロチップテクノロジー	PowerMite®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-216AA	1PMT4133		1 W		DO-216	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000						1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 66.12 v										87 v	250オーム
SBT2535A	62.1000	RFQ	3943	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			穴を通して	to-204aa、to-3	SBT2535	ショットキー			to-204aa	-			影響を受けていない	150-SBT2535A	ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns	1ペア共通アノード	35 v	25a	580 mV @ 25 a		2 MA @ 35 v	-65°C〜150°C
1 PMT5941E3/TR7	0.7350	RFQ	5228	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±20％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-216AA	1PMT5941		3 W		DO-216AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000						1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 35.8 v										47 v	67オーム
1N6022C	4.1550	RFQ	4817	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N6022		500 MW		DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 62 v										82 v	280オーム
1N959A	2.7150	RFQ	3258	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AA			500 MW		DO-7	-			影響を受けていない	150-1N959A	ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		50 µA @ 6.2 v										8.2 v	6.5オーム
1N5258bur-1	2.8650	RFQ	5485	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA	1N5258		500 MW		DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 27 V										36 v	70オーム
jans1n4991us	115.5000	RFQ	7868	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf e			5 W		D-5B	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 1 a		2 µA @ 182 v										240 v	650オーム
1n712a/tr	1.8620	RFQ	6601	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			250 MW		DO-35	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N712A/TR	ear99	8541.10.0050	1																		8.2 v	6オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²