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離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	電圧 -定格	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	頻度	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	現在の評価（ amp）	電力 -出力	得	ノイズ図	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	電圧 -テスト	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	静電容量比	静電容量比条件	Q @ vr、f
jantxv1n2972b	-	RFQ	3561	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/124	バルク	アクティブ	±5％		-65°C〜175°C	スタッドマウント	do-203aa				10 W	do-213aa	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1								1.5 V @ 2 a		50 µA @ 6.2 v										8.2 v	1.5オーム
jantxv1n3334b	-	RFQ	1461	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/358	バルク	アクティブ	±5％		-65°C〜175°C	スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド				50 W	DO-5	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1								1.5 V @ 10 a		10 µA @ 42.6 v										56 v	6オーム
janhca1n5539d	-	RFQ	2728	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	バルク	アクティブ	±1％		-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸				500 MW	do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-janhca1n5539d	ear99	8541.10.0050	100								1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 17.1 v										19 v	100オーム
jan1n4129dur-1/tr	24.8843	RFQ	4055	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％		-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）					DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n4129dur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1								1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 47.1 v										62 v	500オーム
CDS5522D-1	-	RFQ	9976	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ											-			影響を受けていない	150-CDS5522D-1	ear99	8541.10.0050	50
jantxv1n6624	19.7550	RFQ	3434	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/585	バルク	アクティブ				穴を通して	A 、軸	1N6624		標準		A 、軸	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns					990 v	1.55 V @ 1 a	50 ns	500 NA @ 990 v	-65°C〜150°C	1a	-
MV2N4859UB	80.4916	RFQ	5348	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ						MV2N4859					-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1
1N5524D	5.6850	RFQ	5400	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±1％		-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸				500 MW	do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-1N5524D	ear99	8541.10.0050	1								1.1 V @ 200 mA		2 µA @ 3.5 v										5.6 v	30オーム
CDLL4120D	8.9700	RFQ	2907	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±1％		-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA				500 MW	DO-213AA	-			影響を受けていない	150-CDLL4120D	ear99	8541.10.0050	1								1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 22.8 v										30 V	200オーム
jantxv1n4568a-1/tr	12.0000	RFQ	8747	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/452	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％		-65°C〜175°C（タタ	穴を通して	do-204ah do-35 、軸				500 MW	do-35 （do-204ah）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n4568a-1/tr	ear99	8541.10.0050	1										2 µA @ 3 V										6.4 v	200オーム
jans1n4113d-1/tr	94.7000	RFQ	3911	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％		-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸				500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jans1n4113d-1/tr	ear99	8541.10.0050	1								1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 14.5 v										19 v	150オーム
jantx1n5619	5.2400	RFQ	9569	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/429	バルク	アクティブ				穴を通して	A 、軸	1N5619		標準		A 、軸	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns					600 V	1.6 V @ 3 a	250 ns	500 NA @ 600 V	-65°C〜175°C	1a	-
1N6491US/TR	12.4754	RFQ	2188	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％		-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf、a				1.5 w	a sq-melf	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N6491US/TR	ear99	8541.10.0050	1								1.5 V @ 1 a		500 NA @ 2 V										5.6 v	5オーム
1N4904	23.9700	RFQ	2087	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％		-25°C〜100°C	穴を通して	DO-204AA	1N4904			400 MW	DO-7	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																				12.8 v	100オーム
Jan1n4993d	38.7000	RFQ	6500	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±1％		-65°C〜175°C	穴を通して	E 、軸				5 W	E 、軸	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1								1.5 V @ 1 a		2 µA @ 228 v										300 V	950オーム
CDLL5247B	2.8950	RFQ	1312	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％		-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL5247			10 MW	DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1								1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 13 V										17 v	19オーム
jans2n5794u/tr	299.6420	RFQ	6670	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/495	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	6-SMD 、リードなし	2N5794			600MW	u	-			影響を受けていない	150-jans2n5794u/tr			50														40V	600MA				10µa（icbo）			2 NPN （デュアル）	900MV @ 30MA、300MA	100 @ 150ma 、10V	-
1N2841RB	96.0150	RFQ	8339	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％		-65°C〜175°C	穴を通して	To-204ad	1N2841			50 W	TO-204AD（to-3）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1								1.5 V @ 10 a		10 µA @ 91.2 v										120 v	40オーム
MV21001-150A	-	RFQ	9074	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			-55°C〜175°C	表面マウント	死ぬ					チップ	-			影響を受けていない	150-MV21001-150ATR	ear99	8541.10.0040	1													0.3pf @ 4V、1MHz				シングル	30 V								2.8	C0/C30	8000 @ 4V、50MHz
MSASC75W60F/TR	-	RFQ	2670	マイクロチップテクノロジー	*	テープ＆リール（ tr）	アクティブ											-			影響を受けていない	150-MSASC75W60F/TR			100
jantxv1n6637us/tr	-	RFQ	3205	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％		-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf e				5 W	D-5B	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n6637us/tr	ear99	8541.10.0050	1								1.5 V @ 1 a		5 µA @ 1 V										5.1 v	1.5オーム
S306120	39.0750	RFQ	8486	マイクロチップテクノロジー	S306	バルク	アクティブ				スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	S306120		標準		do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns					1200 v	1.25 V @ 200 a		25 µA @ 1200 V	-65°C〜200°C	70a	-
jantx1n3035dur-1/tr	41.5359	RFQ	8747	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％		-55°C〜175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）				1 W	do-213ab	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n3035dur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1								1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 32.7 v										43 v	70オーム
SMAJ5924E3/TR13	0.6450	RFQ	2628	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±20％		-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	SMAJ5924			3 W	do-214ac（smaj）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	7,500								1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 7 V										9.1 v	4オーム
JANKCA1N4100D	-	RFQ	9434	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±1％		-65°C〜175°C	表面マウント	死ぬ				500 MW	死ぬ	-			影響を受けていない	150-jankca1n4100d	ear99	8541.10.0050	100								1.1 V @ 200 mA		10 µA @ 5.7 v										7.5 v	200オーム
SMBJ4729AE3/TR13	0.4350	RFQ	3245	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％		-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMBJ4729			2 W	smbj（ do-214aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000								1.2 V @ 200 mA		100 µA @ 1 V										3.6 v	10オーム
1N821E3	3.9150	RFQ	1387	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％		-55°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸				500 MW	do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-1N821E3	ear99	8541.10.0050	1										2 µA @ 3 V										6.2 v	15オーム
1N646-1	-	RFQ	5013	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	sicで中止されました				穴を通して	do-204ah do-35 、軸			標準		DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	1		標準回復> 500ns					300 V	1 V @ 400 Ma		50 Na @ 300 v	-65°C〜175°C	400mA	-
ARF1519	-	RFQ	1730	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		1000 V			死ぬ	ARF1519	13.56MHz	モスフェット		死ぬ	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ARF1519ms	ear99	8541.29.0075	1	nチャネル		20a	750W	20db	-										200 v
MNS2N3637UB	12.1900	RFQ	6676	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ											-			影響を受けていない	150-MNS2N3637UB			1

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²