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離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	静電容量比	静電容量比条件	Q @ vr、f
1N4469US/TR	10.3341	RFQ	8989	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf、a			1.5 w	a sq-melf	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N4469US/TR	ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 a		50 na @ 12 v									15 V	9オーム
jantx1n3027dur-1/tr	41.5359	RFQ	1654	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-55°C〜175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）			1 W	do-213ab	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n3027dur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 15.2 v									20 v	22オーム
1N734A	3.7800	RFQ	3054	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N734		250 MW	DO-35	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1														68 v	200オーム
JANTX1N5543D-1	27.2250	RFQ	8324	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5543		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 22.4 v									25 v	100オーム
jantx1n3291	-	RFQ	4845	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/246	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	DO-205AA		標準		do-205aa	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度	400 V	1.55 V @ 310 a		10 mA @ 400 v	-65°C〜200°C	100a	-
jantx1n6325us/tr	18.4200	RFQ	4185	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/533	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b			500 MW	B、sq-melf	-				150-jantx1n6325us/tr	ear99	8541.10.0050	100			1.4 V @ 1 a		1 µA @ 8.5 v									11 v	7オーム
jans1n6637cus	-	RFQ	5775	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf e			5 W	D-5B	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 a		5 µA @ 1 V									5.1 v	1.5オーム
jan1n4621cur-1/tr	15.1487	RFQ	2090	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n4621cur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		3.5 µA @ 2 V									3.6 v	1700オーム
SMBG5375BE3/TR13	1.1400	RFQ	3489	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-215AA	SMBG5375		5 W	SMBG （DO-215AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 a		500 NA @ 59 v									82 v	65オーム
1 PMT4109CE3/TR13	0.4950	RFQ	9596	マイクロチップテクノロジー	PowerMite®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-216AA	1PMT4109		1 W	DO-216	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,000			1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 11.4 v									15 V	100オーム
89100-01TXV	-	RFQ	3166	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-	穴を通して	TO-213AA、to-66-2				to-66（to-213aa	-	ROHS非準拠		影響を受けていない			0000.00.0000	1													-			-	-	-	-
JAN2N5339U3	97.4491	RFQ	9130	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/560	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	TO-276AA			1 W	u-3（ to-276aa）	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1									100 V	100 µA			100µA			npn	1.2V @ 500MA 、5a	60 @ 2a 、2V	-
jantxv1n3049bur-1/tr	-	RFQ	9958	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/115	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）			1.5 w	do-213ab	-				150-jantxv1n3049bur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 121.6 v									160 v	1100オーム
Jan1n4109cur-1	14.5650	RFQ	2304	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N4109			DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 11.4 v									15 V	100オーム
CDLL5526A	6.4800	RFQ	3074	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL5526		500 MW	DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		1 µA @ 5.5 v									6.8 v	30オーム
cdll963d/tr	9.9750	RFQ	5583	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-			影響を受けていない	150-cdll963d/tr	ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 mA		1 µA @ 9.1 v									12 v	11.5オーム
1N5189	8.1000	RFQ	5135	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			穴を通して	b 、軸	1N5189	標準		b 、軸	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns	500 V	1.5 V @ 9 a	300 ns	2 µA @ 500 V	-65°C〜175°C	3a	-
USD245	23.4450	RFQ	5798	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ					USD245				-	ROHS非準拠		影響を受けていない			0000.00.0000	1
1N6013UR	3.5850	RFQ	8869	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ					1N6013				-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1
jansr2n2907aub/tr	59.7504	RFQ	8029	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/291	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし	2N2907		500 MW	ub	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-Jansr2N2907Aub/tr	ear99	8541.21.0095	1									60 V	600 Ma			50NA			PNP	1.6V @ 50ma 、500ma	100 @ 1ma 、10V	-
2N2920A	40.3050	RFQ	6360	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-78-6金属缶	2N2920		350MW	to-78-6	-			影響を受けていない	150-2N2920A	ear99	8541.21.0095	1									60V	30ma			10µa（icbo）			2 NPN （デュアル）	300MV @ 100µA、1MA	300 @ 1MA 、5V	-
SMAJ5940E3/TR13	0.6450	RFQ	7570	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±20％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	SMAJ5940		3 W	do-214ac（smaj）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	7,500			1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 32.7 v									43 v	53オーム
JANTX1N2810RB	-	RFQ	9800	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/114	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	To-204ad	1N2810		10 W	TO-204AD（to-3）	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 a		10 µA @ 9.1 v									12 v	1オーム
UFR3260	93.6300	RFQ	8615	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203aa	UFR3260	標準		DO-4	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns	600 V	1.35 V @ 30 a	60 ns	15 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	30a	-
JANTX1N4624-1	4.3950	RFQ	9850	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 3 V									4.7 v	1550オーム
BZV55C24	2.9400	RFQ	3459	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±6％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	BZV55C24			DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 16.8 v									24 v
1N2973RB	40.3200	RFQ	4542	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	シャーシ、スタッドマウント	do-203aa	1N2973		10 W	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 a		25 µA @ 6.9 v									9.1 v	2オーム
jans1n4570a-1	74.6250	RFQ	4658	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/452	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C（タタ	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V									6.4 v	100オーム
1N3996ra	44.2050	RFQ	8445	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	スタッドマウント	do-203aa	1N3996		10 W	do-203aa	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 a		10 µA @ 1 V									5.1 v	1.1オーム
MV21008-82	-	RFQ	6786	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	死ぬ				チップ	-			影響を受けていない	150-MV21008-82	ear99	8541.10.0060	1								1.5pf @ 4V、1MHz			シングル	30 V								4.3	C0/C30	5000 @ 4V、50MHz

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²