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離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	電圧 -破壊（ V	現在の - ドレイン（IDSS @ vds（vgs = 0）	電圧-Cutoff（ VGSオフ） @ id	現在 -コレクターカットオフ（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	抵抗-RDS （オン）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
jans1n5968c	-	RFQ	5967	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	E 、軸			5 W	E 、軸	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1												1.5 V @ 1 a	5 mA @ 4.28 v										5.6 v	1オーム
Jan1n4112c-1	10.5000	RFQ	5232	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N4112			do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1												1.1 V @ 200 mA	50 Na @ 13.7 v										18 v	100オーム
1N1581	38.3850	RFQ	6668	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-203aa		標準		DO-4 （DO-203AA）	ダウンロード			影響を受けていない	150-1N1581	ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns									50 v	1.3 V @ 30 a	10 µA @ 50 V	-65°C〜200°C	16a	-
1N6011C	4.1550	RFQ	9920	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N6011		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1												1.1 V @ 200 mA	100 Na @ 23 V										30 V	78オーム
cdll5227d/tr	8.5950	RFQ	5211	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA			10 MW	DO-213AA	-			影響を受けていない	150-CDLL5227D/TR	ear99	8541.10.0050	110												1.1 V @ 200 mA	15 µA @ 1 V										3.6 v	24オーム
JANTX2N6352	-	RFQ	6127	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/472	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	TO-213AA、to-66-2	2N6352		2 W	to-66（to-213aa	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																	80 v	5 a				-				npn-ダーリントン	1.5V @ 5MA 、5a	2000 @ 5a 、5V	-
40CDQ040	78.7200	RFQ	7310	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			穴を通して	to-204aa、to-3		ショットキー		to-204aa	-			影響を受けていない	150-40CDQ040	ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns									40 v	700 mV @ 30 a	1.5 mA @ 40 v	-65°C〜175°C	30a	-
MV2N4859	57.2964	RFQ	3496	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/385	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206aa	MV2N4859		360 MW	TO-18（to-206aa	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1			nチャネル	30 V					18pf @ 10V										30 V	175 mA @ 15 v	10 V @ 500 PA				25オーム
jantxv1n4978dus/tr	51.2700	RFQ	4872	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/356	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b			5 W	e-melf	-				150-jantxv1n4978dus/tr	ear99	8541.10.0050	100												1.5 V @ 1 a	2 µA @ 51.7 v										68 v	50オーム
jans1n6485us	-	RFQ	5613	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	sq-melf、a	1N6485		1.5 w	D-5a	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1												1.5 V @ 1 a	50 µA @ 1 V										3.3 v	10オーム
Jan1n6350	9.9000	RFQ	5625	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N6350		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1												1.4 V @ 1 a	50 Na @ 91 v										120 v	600オーム
jantx1n4993d	45.1950	RFQ	3839	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	E 、軸			5 W	E 、軸	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1												1.5 V @ 1 a	2 µA @ 228 v										300 V	950オーム
jantxv1n986dur-1	24.2250	RFQ	5682	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N986		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1												1.3 V @ 200 mA	500 NA @ 84 v										110 v	750オーム
MSCSM120TLM16C3AG	470.3100	RFQ	8513	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	MSCSM120	炭化シリコン（原文）	745W	SP3F	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	150-MSCSM120TLM16C3AG	ear99	8541.29.0095	1	4 nチャネル（3 レベルインバーター）			1200V（1.2kv）	173a	16mohm @ 80a 、20V	2.8V @ 2MA	464NC @ 20V	6040pf @ 1000V	-
1N5244D	10.2450	RFQ	9069	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-1N5244D	ear99	8541.10.0050	1												1.5 V @ 200 mA	100 Na @ 10 V										14 v	15オーム
2N4300	10.7065	RFQ	8311	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ					2N4300				-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1
SMBJ5925CE3/TR13	1.3350	RFQ	1721	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMBJ5925		2 W	smbj（ do-214aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000												1.2 V @ 200 mA	5 µA @ 8 V										10 v	4.5オーム
1N5273A	3.1200	RFQ	9165	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5273		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1												1.5 V @ 200 mA	100 Na @ 91 v										120 v	900オーム
1N5243B	2.0700	RFQ	6451	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5243		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない	1N5243BMS	ear99	8541.10.0050	1												1.5 V @ 200 mA	500 NA @ 9.9 v										13 v	13オーム
CD3034B	3.6043	RFQ	1905	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	死ぬ			1 W	死ぬ	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-CD3034B	ear99	8541.10.0050	1												1.2 V @ 200 mA	500 NA @ 29.7 v										39 v	60オーム
jans1n4116cur-1/tr	91.5802	RFQ	3316	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jans1n4116cur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1												1.1 V @ 200 mA	10 Na @ 18.3 v										24 v	150オーム
2EZ180D5	1.5000	RFQ	726	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	2EZ180		2 W	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	4,000												1.2 V @ 200 mA	500 NA @ 136.8 v										180 v	725オーム
1N485A	4.2150	RFQ	8950	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			穴を通して	DO-204AA	1N485	標準		DO-7	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	1		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度									180 v	1 V @ 100 MA	25 Na @ 180 v	-65°C〜175°C	100mA	-
jansf2n5154l	98.9702	RFQ	7403	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/544	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3			1 W	to-5	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																	80 v	1 Ma				1ma				npn	1.5V @ 500MA 、5a	70 @ 2.5a 、5V	-
CDLL4931A	73.5600	RFQ	2826	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA	CDLL4931		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													15 µA @ 12 V										19.2 v	36オーム
jantxv1n6661us/tr	-	RFQ	5729	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/587	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	sq-melf、a		標準		D-5a	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n6661us/tr	ear99	8541.10.0070	1		標準回復> 500ns									225 v	1 V @ 400 Ma	50 Na @ 225 v	-65°C〜175°C	500mA	-
jan1n981cur-1/tr	10.2410	RFQ	5116	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n981cur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1												1.1 V @ 200 mA	500 NA @ 52 v										68 v	230オーム
jan1n4116666ur-1/tr	5.1870	RFQ	4509	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-JAN1N411666666666666666666666666666666666666666666666666666666666666666666	ear99	8541.10.0050	1												1.1 V @ 200 mA	10 Na @ 18.3 v										24 v	150オーム
MSCSM120AM16T1AG	181.2600	RFQ	1333	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	MSCSM120	炭化シリコン（原文）	745W	-	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	150-MSCSM120AM16T1AG	ear99	8541.29.0095	1	2 n チャネル（位相レッグ）			1200V（1.2kv）	173a	16mohm @ 80a 、20V	2.8V @ 6MA	464NC @ 20V	6040pf @ 1000V	-
CD4748	2.0700	RFQ	2288	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	表面マウント	死ぬ			1 W	死ぬ	-			影響を受けていない	150-CD4748	ear99	8541.10.0050	1												1.5 V @ 200 mA	100 Na @ 16.7 v										22 v	23オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²