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離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
jans1n6642ub/tr	42.4802	RFQ	7157	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	3-SMD 、リードなし		標準		ub	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jans1n6642ub/tr	ear99	8541.10.0070	1		高速回復= <500ns									1.2 V @ 100 MA	5 ns		-	-	5PF @ 0V、1MHz
CD3825A	4.3624	RFQ	6118	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	死ぬ				死ぬ	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-CD3825A	ear99	8541.10.0050	1											1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 1 V							4.7 v	8オーム
APTM50HM65FTG	187.6014	RFQ	4185	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP4	APTM50	モスフェット（金属酸化物）	390W	SP4	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	4 nチャネル（ハーフブリッジ）		500V	51a	78mohm @ 25.5a 、10V	5V @ 2.5MA	140NC @ 10V	7000pf @ 25V	-
jan1n3002rb	-	RFQ	7094	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/124	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	スタッドマウント	do-203aa			10 W	do-213aa	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1											1.5 V @ 2 a		10 µA @ 56 v							75 v	22オーム
jantx1n4124dur-1/tr	27.0921	RFQ	4951	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n4124dur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 32.7 v							43 v	250オーム
CD3022B	3.6043	RFQ	4590	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	死ぬ			1 W	死ぬ	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-CD3022B	ear99	8541.10.0050	1											1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 9.1 v							12 v	9オーム
1N6006A/TR	2.6068	RFQ	4622	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N6006A/TR	ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 mA		100 na @ 11 v							18 v	55オーム
jans1n4576aur-1/tr	163.8300	RFQ	8385	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/452	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-				150-jans1n4576aur-1/tr	ear99	8541.10.0050	50													2 µA @ 3 V								50オーム
1N4737CP/TR8	2.2800	RFQ	9451	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4737		1 W	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500											1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 5 V							7.5 v	4オーム
1N5752B	1.8600	RFQ	2970	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5752		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1											900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 33 V							47 v	170オーム
Jan1n979dur-1	14.2500	RFQ	9845	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N979		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 43 v							56 v	150オーム
1N5943BUR-1/TR	4.6800	RFQ	5451	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）			1.25 w	do-213ab	-					ear99	8541.10.0050	209											1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 42.6 v							56 v	86オーム
jantxv1n5417/tr	9.3150	RFQ	4078	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/411	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	b 、軸		標準		b 、軸	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n5417/tr	ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns								200 v	1.5 V @ 9 a	150 ns	1 µA @ 200 v	-65°C〜175°C	3a	-
cdll200/tr	22.2750	RFQ	9468	マイクロチップテクノロジー	*	テープ＆リール（ tr）	アクティブ					cdll20				-			影響を受けていない	150-cdll200/tr			100
CDLL645	5.5050	RFQ	8928	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			表面マウント	DO-213AA	CDLL645	標準		DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	1		標準回復> 500ns								225 v	1 V @ 400 Ma		50 Na @ 225 v	-65°C〜175°C	400mA	-
jans1n4972us/tr	86.0502	RFQ	7311	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf e			5 W	D-5B	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jans1n4972us/tr	ear99	8541.10.0050	1											1.5 V @ 1 a		2 µA @ 29.7 v							39 v	14オーム
Jan1n5804/tr	6.5400	RFQ	1578	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/477	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	A 、軸		標準		A 、軸	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n5804/tr	ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns								100 V	975 mV @ 2.5 a	25 ns	1 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	2.5a	25pf @ 10V、1MHz
jans1n4615c-1	115.3350	RFQ	5239	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 mA		2.5 µA @ 1 V							2 v	1250オーム
jantx1n2971b	-	RFQ	5317	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/124	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	スタッドマウント	do-203aa			10 W	do-213aa	-			影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1											1.5 V @ 2 a		100 µA @ 5.7 v							7.5 v	1.3オーム
2N5319	519.0900	RFQ	3772	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	スタッドマウント	TO-211MA			87 W	to-61	-			影響を受けていない	150-2N5319	ear99	8541.29.0095	1																	100 V	10 a	-			PNP	-	-	-
2N4903	45.1535	RFQ	9552	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ					2N4903				-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1
Jan1n4572aur-1	9.9150	RFQ	4208	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/452	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N4572		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													2 µA @ 3 V							6.4 v	100オーム
jansl2n5154l	98.9702	RFQ	2146	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/544	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3			1 W	to-5aa	-			影響を受けていない	150-jansl2n5154l			1																	80 v	2 a	50µA			npn	1.5V @ 500MA 、5a	70 @ 2.5a 、5V	-
jantxv1n3032cur-1/tr	41.0438	RFQ	9348	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）			1 W	do-213ab	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n3032cur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1											1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 25.1 v							33 v	45オーム
CDLL5268A	3.5850	RFQ	2829	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL5268		10 MW	DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 62 v							82 v	330オーム
cdll4128/tr	3.3516	RFQ	3331	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ			500 MW	DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-cdll4128/tr	ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 45.6 v							60 V	400オーム
jantxv1n5519d-1/tr	26.0414	RFQ	1980年	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n5519d-1/tr	ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 mA		3 µA @ 1 V							3.6 v	24オーム
Jan1n6332us	15.9300	RFQ	9790	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b	1N6332		500 MW	B、sq-melf	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1											1.4 V @ 1 a		50 Na @ 17 V							22 v	20オーム
1N4730AUR	3.4650	RFQ	5546	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	1N4730		1 W	DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1											1.2 V @ 200 mA		50 µA @ 1 V							3.9 v	9オーム
jantx1n6323us	18.2700	RFQ	9840	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b	1N6323		500 MW	B、sq-melf	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1											1.4 V @ 1 a		1 µA @ 7 V							9.1 v	6オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²