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離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	アプリケーション	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	電圧 -アノード -カソード（ vak ）（最大）	レギュレータ電流（最大）	電圧 -制限（最大）
CDLL6635	14.7300	RFQ	2914	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ											-			影響を受けていない	150-CDLL6635	ear99	8541.10.0050	1
aptgt20tl601g	53.4000	RFQ	3689	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜175°C		シャーシマウント	SP1	aptgt20		62 w	標準	SP1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	3つのレベルインバーター																トレンチフィールドストップ	600 V	32 a	1.9V @ 15V 、20a	250 µA	いいえ			1.1 PF @ 25 V
1n754d/tr	5.7750	RFQ	7061	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW		do-35 （do-204ah）	ダウンロード			影響を受けていない	150-1N754D/TR	ear99	8541.10.0050	164											1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 1 V										6.8 v	5オーム
jans1n4619dur-1/tr	193.4704	RFQ	2705	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW		DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jans1n4619dur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 mA		400 na @ 1 v										3 v	1.6オーム
jans1n5618us	54.6600	RFQ	7801	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/427	バルク	アクティブ				表面マウント	sq-melf、a		標準			a sq-melf	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns								600 V	1.3 V @ 3 a	2 µs		-65°C〜200°C	1a	-
jantxv1n6351	14.6700	RFQ	4205	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N6351		500 MW		do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1											1.4 V @ 1 a		50 Na @ 99 v										130 v	850オーム
1N4735CPE3/TR12	1.1550	RFQ	8758	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C		穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4735		1 W		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	4,000											1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 3 V										6.2 v	2オーム
jantx1n5288ur-1	38.2650	RFQ	5360	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/463	バルク	アクティブ		-65°C〜175°C	-	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	1N5288		500MW		do-213ab	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	1																														100V	429µA	1.05V
jantxv1n4954c	27.6000	RFQ	9429	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C		穴を通して	E 、軸			5 W		E 、軸	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1											1.5 V @ 1 a		150 µA @ 5.2 v										6.8 v	1オーム
DSB2810	-	RFQ	2322	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ				穴を通して	do-204ah do-35 、軸	DSB2810	ショットキー			DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	1		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度								20 v	410 mv @ 1 Ma		100 Na @ 15 V	-65°C〜150°C	75ma	2PF @ 0V、1MHz
1N4107UR-1	3.8200	RFQ	225	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	DO-213AA	1N4107		500 MW		DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 9.9 v										13 v	200オーム
Jan1n5536c-1/tr	12.6749	RFQ	4956	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW		do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n5536c-1/tr	ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 14.4 v										16 v	100オーム
Jan2N2432	-	RFQ	6497	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/313	バルク	アクティブ		-65°C〜175°C		穴を通して	to-206aa			360 MW		TO-18（to-206aa	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																		30 V	100 Ma		10na					npn	150mv @ 500µa 、10ma	80 @ 1MA 、5V	-
jantxv2n3764u4	-	RFQ	8259	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/396	バルク	アクティブ		-55°C〜200°C （TJ		表面マウント	3-SMD 、リードなし			500 MW		U4	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																		40 v	1.5 a		10µa（icbo）					PNP	900mv @ 100ma、1a	30 @ 1a 、1.5V	-
MSCSM170AM058CT6AG	996.4300	RFQ	1888年年	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜175°C		シャーシマウント	モジュール	MSCSM170	炭化シリコン（原文）	1.642KW		-	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	150-MSCSM170AM058CT6AG	ear99	8541.29.0095	1	2 n チャネル（位相レッグ）		1700V（1.7kV）	353a	7.5mohm @ 180a 、20V	3.3V @ 15ma	1068NC @ 20V	19800pf @ 1000V	-
Jan2N3019S	15.9334	RFQ	4640	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/391	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶	2N3019		800 MW		to-39	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																		80 v	1 a		10µa（icbo）					npn	500MV @ 50MA 、500MA	50 @ 500MA 、10V	-
Jan2N5666	15.5211	RFQ	9012	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/455	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		穴を通して	to-205aa、to-5-3	2N5666		1.2 w		to-5	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																		200 v	5 a		200na					npn	1V @ 1a 、5a	40 @ 1a 、5V	-
jans1n5303ur-1/tr	130.3050	RFQ	7036	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/463	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜175°C	-	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）			500MW		do-213ab	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jans1n5303ur-1/tr	ear99	8541.10.0070	1																														100V	1.76ma	1.65V
R50460TS	158.8200	RFQ	3017	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ				スタッドマウント	do-205ab、do-9 、スタッド		標準、逆極性			do-205ab（do-9）	-			影響を受けていない	150-R50460TS	ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns								600 V	1.25 V @ 1000 a		75 µA @ 600 v	-65°C〜200°C	300a	-
jan1n2846b	-	RFQ	1070	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		穴を通して	To-204ad	1N2846		10 W		TO-204AD（to-3）	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1											1.5 V @ 2 a		10 µA @ 152 v										200 v	90オーム
jantxv2n3501ub/tr	21.6657	RFQ	1137	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/366	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		表面マウント	3-SMD 、リードなし			500 MW		ub	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv2n3501ub/tr	ear99	8541.21.0095	1																		150 v	300 Ma		10µa（icbo）					npn	400MV @ 15MA、150MA	100 @ 150ma 、10V	-
jansr2n2219al	114.6304	RFQ	3662	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/251	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		穴を通して	to-205aa、to-5-3	2N2219		800 MW		to-5	-			影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																		50 v	800 Ma		10na					npn	1V @ 50ma 、500ma	75 @ 1MA 、10V	-
jan1n6489cus	-	RFQ	6912	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C		表面マウント	sq-melf、a			1.5 w		a sq-melf	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1											1.5 V @ 1 a		4 µA @ 1 V										4.7 v	8オーム
jantx1n4135cur-1	24.3150	RFQ	9409	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C		表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N4135		500 MW		DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 76 v										100 V	1600オーム
CDLL5235B	2.8650	RFQ	7455	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL5235		10 MW		DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 mA		3 µA @ 5 V										6.8 v	5オーム
jantxv1n942b-1	-	RFQ	7155	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/157	バルク	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N942		500 MW		DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													15 µA @ 8 V										11.7 v	30オーム
1N4733AP/TR8	2.7200	RFQ	519	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C		穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4733		1 W		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500											1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 1 V										5.1 v	7オーム
jantxv1n6350us/tr	19.9234	RFQ	4300	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	sq-melf b			500 MW		B、sq-melf	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n6350us/tr	ear99	8541.10.0050	1											1.4 V @ 1 a		50 Na @ 91 v										120 v	600オーム
1N5834	57.4200	RFQ	5340	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ				スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	1N5834	ショットキー			do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない	1N5834MS	ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns								40 v	590 mV @ 40 a		20 ma @ 40 v	-65°C〜125°C	40a	-
1N5531D	5.6850	RFQ	8206	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW		do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-1N5531D	ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 9.9 v										11 v	80オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²