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離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	アプリケーション	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	電圧 -アノード -カソード（ vak ）（最大）	レギュレータ電流（最大）	電圧 -制限（最大）
jans1n6310us	136.0950	RFQ	7798	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	sq-melf b	1N6310		500 MW		B、sq-melf	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1															1.4 V @ 1 a		60 µA @ 1 V										2.7 v	30オーム
CDLL5256A	2.8650	RFQ	6371	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C		表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL5256		10 MW		DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1															1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 23 V										30 V	49オーム
APTCV60TLM70T3G	90.4208	RFQ	7374	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜175°C		シャーシマウント	モジュール	APTCV60		176 W	標準	SP3	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	3つのレベルインバーター																				トレンチフィールドストップ	600 V	80 a	1.9V @ 15V 、50a	250 µA	はい			3.15 nf @ 25 v
jantx1n4472/tr	10.7198	RFQ	7395	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸			1.5 w		do-204al（do-41）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n4472/tr	ear99	8541.10.0050	1															1.5 V @ 1 a		50 Na @ 16 V										20 v	650オーム
jans1n6310/tr	107.0906	RFQ	4172	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		穴を通して	b 、軸			500 MW		b 、軸	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jans1n6310/tr	ear99	8541.10.0050	1															1.4 V @ 1 a		60 µA @ 1 V										2.7 v	30オーム
cdll965b/tr	2.6866	RFQ	1634	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	do-213ab 、メルフ			500 MW		DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-cdll965b/tr	ear99	8541.10.0050	1															1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 11 V										15 V	16オーム
jantxv1n4102cur-1/tr	25.6690	RFQ	2157	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C		表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW		DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n4102cur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1															1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 6.7 v										8.7 v	200オーム
CD4697D	-	RFQ	5394	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	死ぬ			500 MW		死ぬ	-			影響を受けていない	150-CD4697D	ear99	8541.10.0050	100															1.5 V @ 200 mA		1 µA @ 7.6 v										10 v
APT34F60S	14.4200	RFQ	91	マイクロチップテクノロジー	Power Mos 8™	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C		表面マウント	TO-268-3	APT34F60	モスフェット（金属酸化物）			d3pak	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	150-apt34f60s	ear99	8541.29.0095	1			nチャネル	600 V	36a（tc）	10V	190mohm @ 17a 、10V	5V @ 1MA	165 NC @ 10 V	±30V	6640 PF @ 25 V	-	624W
JANSP2N3440UA	-	RFQ	7512	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/368	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		表面マウント	4-SMD 、リードなし			800 MW		ua	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-JANSP2N3440UA	ear99	8541.21.0095	1																						250 v	1 a		2µA					npn	500MV @ 4MA 、50MA	40 @ 20MA 、10V	-
2N3440L	26.6665	RFQ	5504	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		穴を通して	to-205aa、to-5-3	2N3440		800 MW		to-5	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																						250 v	1 a		2µA					npn	500MV @ 4MA 、50MA	40 @ 20MA 、10V	-
CD5377	5.7150	RFQ	2103	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±20％	-65°C〜200°C		表面マウント	死ぬ			5 W		死ぬ	-			影響を受けていない	150-CD5377	ear99	8541.10.0050	1															1.5 V @ 1 a		500 NA @ 69.2 v										91 v	75オーム
jantxv1n974bur-1/tr	6.8495	RFQ	9101	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW		DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n974bur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1															1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 27 V										36 v	70オーム
2N4234L	40.7850	RFQ	9952	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶			1 W		to-39	-			影響を受けていない	150-2N4234L	ear99	8541.29.0095	1																						40 v	1 a		1ma					PNP	600MV @ 100MA、1A	40 @ 100MA、1V	-
1N5302-1	18.6000	RFQ	8076	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜175°C	-	穴を通して	DO-204AA	1N5302		500MW		DO-7	-			影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	1																																		100V	1.65mA	1.6V
CD964A	1.6950	RFQ	1484	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C		表面マウント	死ぬ			500 MW		死ぬ	-			影響を受けていない	150-CD964A	ear99	8541.10.0050	1															1.5 V @ 200 mA		500 NA @ 9.9 v										13 v	13オーム
1N5355A/TR8	2.6250	RFQ	4852	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜150°C		穴を通して	T-18 、軸	1N5355		5 W		T-18	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,000															1.2 V @ 1 a		500 NA @ 13 V										18 v	2.5オーム
1N5802US	9.7200	RFQ	255	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ				表面マウント	sq-melf、a	1N5802	標準			D-5a	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns												50 v	875 mV @ 1 a	25 ns	1 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	1a	25pf @ 10V、1MHz
1N5361B/TR8	2.6850	RFQ	8169	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C		穴を通して	T-18 、軸	1N5361		5 W		T-18	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,000															1.2 V @ 1 a		500 NA @ 19.4 v										27 v	5オーム
1N3340RB	49.3800	RFQ	5195	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	1N3340		50 W		DO-5	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1															1.5 V @ 10 a		10 µA @ 76 v										100 V	20オーム
TP5322K1-G	0.7500	RFQ	8	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C		表面マウント	TO-236-3	TP5322	モスフェット（金属酸化物）			TO-236AB （SOT23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000			pチャネル	220 v	120ma	4.5V 、10V	12OHM @ 200MA 、10V	2.4V @ 1MA		±20V	110 PF @ 25 V	-	360MW
2N6281	92.0892	RFQ	9644	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ						2N6281					-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1
1N2494	44.1600	RFQ	5887	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ				スタッドマウント	do-203aa		標準			DO-4 （DO-203AA）	ダウンロード			影響を受けていない	150-1N2494	ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns												300 V	1.3 V @ 30 a		10 µA @ 300 V	-65°C〜200°C	6a	-
1N4561A	74.3550	RFQ	5670	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C		穴を通して	to-204aa、to-3	1N4561		50 W		TO-204AD（to-3）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1															1.5 V @ 10 a		20 µA @ 1 V										5.6 v	0.12オーム
1N4914a/tr	93.0600	RFQ	7626	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜100°C		穴を通して	DO-204AA			400 MW		DO-7	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N4914a/tr	ear99	8541.10.0050	1																											12.8 v	25オーム
Jan1N5617	4.4700	RFQ	71	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/429	バルク	アクティブ				穴を通して	A 、軸	1N5617	標準			A 、軸	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns												400 V	1.6 V @ 3 a	150 ns	500 NA @ 400 V	-65°C〜175°C	1a	-
jantxv1n5525b-1/tr	8.2327	RFQ	5492	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW		do-35 （do-204ah）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n5525b-1/tr	ear99	8541.10.0050	1															1.1 V @ 200 mA		1 µA @ 5 V										6.2 v	30オーム
Jan1N5289-1	31.5150	RFQ	1969年	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/463	バルク	アクティブ		-65°C〜175°C	-	穴を通して	DO-204AA	1N5289		500MW		DO-7	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	1																																		100V	473µA	1.05V
jan1n7053ur-1/tr	9.3150	RFQ	6387	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-		穴を通して	do-204ah do-35 、軸			250 MW		do-35 （do-204ah）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n7053ur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1																	5 µA @ 1.5 v										4.8 v	35オーム
Jan1n755d-1/tr	5.8919	RFQ	9533	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/127	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW		do-35 （do-204ah）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n755d-1/tr	ear99	8541.10.0050	1															1.1 V @ 200 mA		2 µA @ 5 V										7.5 v	6オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²