画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | アプリケーション | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | 入力 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | フェットタイプ | 現在 -マックス | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | IGBTタイプ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | vce(on max) @ vge | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧 -破壊( V | 現在の - ドレイン(IDSS @ vds(vgs = 0) | 電圧-Cutoff( VGSオフ) @ id | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | NTCサーミスタ | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | 入力容量( cies @ vce | 抵抗-RDS (オン) | @ @ if、f | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 静電容量比 | 静電容量比条件 | Q @ vr、f | 電圧 -アノード -カソード( vak )(最大) | レギュレータ電流(最大) | 電圧 -制限(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | jan1n3024cur-1/tr | 29.0339 | ![]() | 6162 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1 W | do-213ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n3024cur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 11.4 v | 15 V | 14オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4109D/TR | 6.8894 | ![]() | 6035 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | テープ&リール( tr) | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N4109d/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantx1n3039dur-1/tr | 41.5359 | ![]() | 4597 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1 W | do-213ab | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n3039dur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 47.1 v | 62 v | 125オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jan1n4624dur-1/tr | 18.7264 | ![]() | 2596 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n4624dur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 3 V | 4.7 v | 1550オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MX2N4091UB/TR | 89.2696 | ![]() | 4508 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/431 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -65°C〜175°C | 表面マウント | 3-SMD 、リードなし | 360 MW | 3-ub(3.09x2.45) | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-MX2N4091UB/TR | 1 | nチャネル | 40 v | 16pf @ 20V | 40 v | 30 mA @ 20 v | 30オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv1n3041dur-1 | 56.9100 | ![]() | 4587 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | バルク | アクティブ | ±1% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1N3041 | 1 W | do-213ab | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 56 v | 75 v | 175オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | cdll5311/tr | 25.2900 | ![]() | 3212 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -65°C〜175°C | - | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | CDLL53 | 500MW | do-213ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-cdll5311/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 3.96ma | 2.5V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GC15005-79 | - | ![]() | 1941年年 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -55°C〜125°C | 表面マウント | 2-SMD 、リードなし | - | - | 影響を受けていない | 150-GC15005-79 | ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 2.4pf @ 20V、1MHz | シングル | 22 v | 8 | C0/C15 | 900 @ 4V、50MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MV2N5115UB/TR | 95.7866 | ![]() | 9285 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 3-SMD 、リードなし | 500 MW | ub | - | 影響を受けていない | 150-MV2N5115UB/TR | 100 | pチャネル | 30 V | 25pf @ 15V | 30 V | 15 mA @ 15 v | 3 V @ 1 Na | 100オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N7374 | 244.5450 | ![]() | 7817 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | - | 穴を通して | TO-257-3 | 52.5 w | TO-257 | - | 影響を受けていない | 150-2N7374 | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 200 v | 5 a | - | npn | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GCX1208-23-4/tr | 5.3550 | ![]() | 5391 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | GCX1208 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜125°C | 表面マウント | TO-236-3 | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-GCX1208-23-4/tr | ear99 | 8541.10.0060 | 1,000 | 3.9pf @ 4V、1MHz | 1ペア共通カソード | 30 V | 3.9 | C0/C30 | 2500 @ 4V、50MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MV31011-P00 | - | ![]() | 4216 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | チップ | - | 影響を受けていない | 150-MV31011-P00 | ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 0.5pf @ 4V、1MHz | シングル | 22 v | 5.5 | C2/C20 | 4000 @ 4V、50MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5301 | 18.6000 | ![]() | 9245 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | - | 穴を通して | DO-204AA | 1N5301 | 475MW | DO-7 | - | 影響を受けていない | 150-1N5301 | 1 | 100V | 1.54ma | 1.55V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1n6006ur | 3.5850 | ![]() | 4874 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | 1N6006 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N2804RB | 96.0150 | ![]() | 9393 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | To-204ad | 1N2804 | 50 W | TO-204AD(to-3) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 a | 150 µA @ 4.5 v | 6.8 v | 0.2オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CDLL6326 | 14.6400 | ![]() | 1137 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | CDLL6326 | 500 MW | DO-213AB | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 9 V | 12 v | 7オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantx1n4619ur-1/tr | 10.8262 | ![]() | 4434 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n4619ur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 400 na @ 1 v | 3 v | 1600オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT150TDU60PG | 243.8000 | ![]() | 3785 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -40°C〜175°C | シャーシマウント | SP6 | aptgt150 | 480 w | 標準 | SP6-P | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | トリプル、デュアル -共通のソース | トレンチフィールドストップ | 600 V | 225 a | 1.9V @ 15V 、150a | 250 µA | いいえ | 9.2 nf @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTM50AM17FG | 355.3300 | ![]() | 9695 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | SP6 | APTM50 | モスフェット(金属酸化物) | 1250W | SP6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 nチャンネル(ハーフブリッジ) | 500V | 180a | 20mohm @ 90a 、10V | 5V @ 10MA | 560NC @ 10V | 28000pf @ 25V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | cdll4755/tr | 3.2319 | ![]() | 5824 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-cdll4755/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 100 Na @ 32.7 v | 43 v | 70オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MG1007-42 | - | ![]() | 5944 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バッグ | アクティブ | - | スタッド | MG1007 | - | - | 影響を受けていない | 150-MG1007-42 | ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 1.2 a | 250 MW | - | ピン -シングル | 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | aptgt50h60t1g | 65.4200 | ![]() | 7427 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -40°C〜175°C | シャーシマウント | SP1 | aptgt50 | 176 W | 標準 | SP1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | フルブリッジインバーター | トレンチフィールドストップ | 600 V | 80 a | 1.9V @ 15V 、50a | 250 µA | はい | 3.15 nf @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Jan1n5535c-1/tr | 12.6749 | ![]() | 5430 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n5535c-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 13.5 v | 15 V | 100オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CD4490 | 8.6317 | ![]() | 2856 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | - | 表面マウント | 死ぬ | 死ぬ | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-CD4490 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
jantx1n5538c-1/tr | 17.4496 | ![]() | 1422 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n5538c-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 16.2 v | 18 v | 100オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JAN2N2219AL | 8.9376 | ![]() | 9110 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/251 | バルク | アクティブ | -55°C〜200°C (TJ | 穴を通して | to-205aa、to-5-3 | 2N2219 | 800 MW | to-5 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 800 Ma | 10na | npn | 1V @ 50ma 、500ma | 100 @ 150ma 、10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
jans1n4994dus | - | ![]() | 9189 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf e | 5 W | D-5B | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 251 v | 330 v | 1175オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
jantx1n5712-1/tr | 8.4000 | ![]() | 2357 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/444 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | ショットキー | do-35 (do-204ah) | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n5712-1/tr | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 高速回復= <500ns | 20 v | 1 V @ 35 Ma | 150 na @ 16 v | -65°C〜150°C | 750ma | 2PF @ 0V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | cdll6326/tr | 13.1404 | ![]() | 2930 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | 500 MW | DO-213AB | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-cdll6326/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 9 V | 12 v | 7オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | aptglq75h120tg | 152.8300 | ![]() | 5295 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -40°C〜175°C | シャーシマウント | モジュール | aptglq75 | 385 W | 標準 | SP4 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | フルブリッジ | トレンチフィールドストップ | 1200 v | 130 a | 2.4V @ 15V 、75a | 50 µA | はい | 4.4 nf @ 25 v |
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