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離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	電力散逸（最大）	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	入力容量（ cies @ vce	@ @ if、f	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
cdll5228b/tr	2.7132	RFQ	8996	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ			10 MW		DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-cdll5228b/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		10 µA @ 1 V												3.9 v	23オーム
1 PMT5947BE3/TR13	-	RFQ	1894年年	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-216AA	1PMT5947		3 W		DO-216AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,000					1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 62.2 v												82 v	160オーム
JANTX2N2812	-	RFQ	8318	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		200°C （TJ）	スタッドマウント	TO-211MA					to-61	-	ROHS非準拠		影響を受けていない			0000.00.0000	1												60 V	10 a				-						npn	-	-	-
1N728A	1.9200	RFQ	7885	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N728		250 MW		DO-35	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																			39 v	70オーム
Jan1n6627us	-	RFQ	7549	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/590	バルク	sicで中止されました			表面マウント	sq-melf e		標準			D-5B	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns		440 v	1.35 V @ 1.2 a	30 ns	2 µA @ 440 v	-65°C〜150°C	1.75a	40pf @ 10V、1MHz
jantx1n3036b-1/tr	9.0573	RFQ	7658	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸			1 W		DO-41	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n3036b-1/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 35.8 v												47 v	80オーム
jantxv1n3031c-1	38.0400	RFQ	8845	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	バルク	アクティブ	±2％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N3031		1 W		DO-41	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 22.8 v												30 V	40オーム
Jan1N4488	-	RFQ	4311	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	バルク	sicで中止されました	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸			1.5 w		DO-41	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 mA		250 Na @ 72.8 v												91 v	200オーム
jantxv1n5195/tr	-	RFQ	5663	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/118	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	do-204ah do-35 、軸		標準			do-35 （do-204ah）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n5195/tr	ear99	8541.10.0070	1		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度		180 v	1 V @ 100 MA		1 µA @ 200 v	-65°C〜175°C	200mA	-
aptgt100tdu60pg	193.9500	RFQ	8047	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜175°C	シャーシマウント	SP6	aptgt100		340 w	標準	SP6-P	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	トリプル、デュアル -共通のソース										トレンチフィールドストップ	600 V	150 a	1.9V @ 15V 、100A			250 µA	いいえ			6.1 nf @ 25 v
jantxv1n4970c	22000	RFQ	1594	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	E 、軸			5 W		E 、軸	-			影響を受けていない	150-jantxv1n4970c	ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 a		2 µA @ 25.1 v												33 v	10オーム
UZ8806	22.4400	RFQ	3094	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	穴を通して	A 、軸			1 W		A 、軸	-			影響を受けていない	150-UZ8806	ear99	8541.10.0050	1							50 µA @ 4.9 v												6.8 v	3.5オーム
jantx1n3822aur-1	15.9000	RFQ	3894	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	1N3822		1 W		do-213ab	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 mA		75 µA @ 1 V												3.6 v	10オーム
Jan1n4114ur-1	5.7000	RFQ	6859	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N4114				DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 15.2 v												20 v	150オーム
1N827/tr	6.2100	RFQ	3756	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW		do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N827/tr	ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V												6.2 v	15オーム
JANTX1N4113-1	-	RFQ	1450	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	sicで中止されました	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW		do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 14.5 v												19 v	150オーム
1N4618UR-1/TR	3.2718	RFQ	8804	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C（タタ	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW		DO-213AA	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N4618UR-1/TR	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 1 V												2.7 v	1.5オーム
JANTX2N3418	19.6707	RFQ	1300	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/393	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3	2N3418		1 W		to-5	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1												60 V	3 a				5µA						npn	500MV @ 200MA 、2a	20 @ 1a 、2V	-
CD5526B	2.0482	RFQ	5128	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	死ぬ			500 MW		死ぬ	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-CD5526B	ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 mA		1 µA @ 6.2 v												6.8 v	30オーム
SMBJ5368B/TR13	1.6650	RFQ	9311	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMBJ5368		5 W		smbj（ do-214aa）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 a		500 NA @ 33.8 v												47 v	25オーム
1N4688-1	3.5245	RFQ	9799	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW		do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N4688-1	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		10 µA @ 3 V												4.7 v
jans1n4105d-1/tr	94.7000	RFQ	9397	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW		do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jans1n4105d-1/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 8.5 v												11 v	200オーム
HSM140G/TR13	1.6800	RFQ	4277	マイクロチップテクノロジー	*	テープ＆リール（ tr）	アクティブ					HSM140					-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000
janhca1n4106c	-	RFQ	7093	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	死ぬ			500 MW		死ぬ	-			影響を受けていない	150-janhca1n4106c	ear99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 8.12 v												12 v	200オーム
jantxv1n3822aur-1	19.3950	RFQ	7120	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	1N3822		1 W		do-213ab	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 mA		75 µA @ 1 V												3.6 v	10オーム
MP6250-P2715	-	RFQ	8067	マイクロチップテクノロジー	-	トレイ	アクティブ		-65°C〜150°C		死ぬ	MP6250				チップ	-			影響を受けていない	150-MP6250-P2715	ear99	8541.10.0040	1			50 MW							55pf @ 10V、1MHz					ピン -シングル	40V						7OHM @ 10MA、1GHz
jan1n964bur-1/tr	4.0831	RFQ	4921	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW		DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n964bur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 9.9 v												13 v	13オーム
jantxv1n6347us	22.3050	RFQ	4623	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b	1N6347		500 MW		B、sq-melf	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 a		50 Na @ 69 v												91 v	270オーム
jantx1n649-1/tr	-	RFQ	2028	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	do-204ah do-35 、軸		標準			do-35 （do-204ah）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n649-1/tr	ear99	8541.10.0070	1		標準回復> 500ns		600 V	1 V @ 400 Ma		50 Na @ 600 V	-65°C〜175°C	400mA	-
jan1n4496cus	26.7600	RFQ	4837	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf、a	1N4496		1.5 w		D-5a	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 mA		250 na @ 160 v												200 v	1500オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²