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離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	フェットタイプ	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	@ @ if、f	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
jans1n4963c	299.3502	RFQ	5315	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ									ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jans1n4963c	ear99	8541.10.0050	1
jantxv1n3023bur-1/tr	16.1196	RFQ	2912	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）			1 W	do-213ab	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n3023bur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1														1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 9.9 v									13 v	10オーム
jansd2n2369aub/tr	149.3402	RFQ	9696	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/317	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜200°C	表面マウント	3-SMD 、リードなし	2N2369A		360 MW	ub	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jansd2n2369aub/tr	ear99	8541.21.0095	1																				20 v				400na				npn	450mv @ 10ma 、100ma	20 @ 100MA、1V	-
jantx1n3030d-1	27.4500	RFQ	1054	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	バルク	アクティブ	±1％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N3030		1 W	DO-41	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1														1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 20.6 v									27 v	35オーム
cdll5953c/tr	14.0581	RFQ	1070	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ			1.25 w	DO-213AB	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-CDLL5953C/TR	ear99	8541.10.0050	1														1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 114 v									150 v	600オーム
UPR30/TR13	3.3300	RFQ	8145	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-216AA	UPR30	標準		パワーマイト	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	12,000	高速回復= <500ns												300 V	1.25 V @ 1 a	50 ns	10 µA @ 300 V	-55°C〜150°C	2a	-
APT6029BLLG	13.0700	RFQ	7195	マイクロチップテクノロジー	PowerMos7®	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3	APT6029	モスフェット（金属酸化物）		to-247 [b]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル	600 V	21a（tc）		290mohm @ 10.5a 、10V	5V @ 1MA	65 NC @ 10 V		2615 PF @ 25 V	-	300W （TC）
UZ7770	468.9900	RFQ	2165	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	スタッドマウント	スタッド			10 W	軸	-			影響を受けていない	150-UZ7770	ear99	8541.10.0050	1																10 µA @ 53.2 v									70 v	40オーム
jantxv1n4938-1/tr	-	RFQ	5219	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/169	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	do-204ah do-35 、軸		標準		do-35 （do-204ah）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n4938-1/tr	ear99	8541.10.0070	1	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度												175 v	1 V @ 30 mA	50 ns	100 PA @ 175 v	-65°C〜175°C	-	-
jantxv2n335	-	RFQ	1020	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		175°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3				to-5	-	ROHS非準拠		影響を受けていない			0000.00.0000	1																				45 v				-				npn	-	-	-
jan1n3155-1/tr	-	RFQ	5199	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/158	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C（タタ	穴を通して	DO-204AA			500 MW	DO-7	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n3155-1/tr	ear99	8541.10.0050	1																10 µA @ 5.5 v									8.4 v	15オーム
SMBJ5371CE3/TR13	1.0800	RFQ	2790	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMBJ5371		5 W	smbj（ do-214aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000														1.2 V @ 1 a		500 NA @ 43 v									60 V	40オーム
APT8015JVR	80.3600	RFQ	1307	マイクロチップテクノロジー	PowerMosv®	チューブ	アクティブ			シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	APT8015	モスフェット（金属酸化物）		ISOTOP®	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル	800 V	44a（tc）		150mohm @ 500ma 、10V	4V @ 5MA	285 NC @ 10 V		17650 PF @ 25 V	-
jantx1n4107c-1/tr	14.8295	RFQ	7973	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n4107c-1/tr	ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 9.9 v									13 v	200オーム
1N6008A	1.9950	RFQ	8218	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N6008		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 14 V									22 v	70オーム
GC6001-00	-	RFQ	9316	マイクロチップテクノロジー	-	トレイ	アクティブ		-55°C〜150°C		死ぬ				チップ	-			影響を受けていない	150-GC6001-00	ear99	8541.10.0040	1																			0.5pf @ 6V、1MHz			標準 -シングル	10V				-
1 PMT5932AE3/TR7	0.7350	RFQ	4574	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-216AA	1PMT5932		3 W	DO-216AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000														1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 15.2 v									20 v	14オーム
Jan1n6642/tr	6.1579	RFQ	8253	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/578	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	d 、軸		標準		D-5d	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n6642/tr	ear99	8541.10.0070	1	高速回復= <500ns												75 v	1.2 V @ 100 MA	5 ns	500 NA @ 75 V	-65°C〜175°C	300mA	5PF @ 0V、1MHz
jans1n6488c	-	RFQ	7884	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	sq-melf、a	1N6488		1.5 w	D-5a	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 1 a		5 µA @ 1 V									4.3 v	9オーム
APT43F60L	12.9200	RFQ	4091	マイクロチップテクノロジー	Power Mos 8™	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-264-3、TO-264AA	APT43F60	モスフェット（金属酸化物）		to-264 [l]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル	600 V	45a（tc）	10V	150mohm @ 21a 、10V	5V @ 2.5MA	215 NC @ 10 V	±30V	8590 PF @ 25 V	-	780W
CD748D	-	RFQ	2575	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	死ぬ			500 MW	死ぬ	-			影響を受けていない	150-CD748D	ear99	8541.10.0050	223														1.5 V @ 200 mA		5 µA @ 1 V									3.9 v	23オーム
1N5271/tr	3.2550	RFQ	6855	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-1N5271/tr	ear99	8541.10.0050	290														1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 72 v									100 V	500オーム
1N4106UR-1	3.8200	RFQ	6085	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA	1N4106		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 9.2 v									12 v	200オーム
jan1n6772	-	RFQ	8324	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			穴を通して	TO-257-3		標準		TO-257	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns												400 V	1.6 V @ 8 a	60 ns	10 µA @ 320 v	-	8a	200pf @ 5V、1MHz
jantx1n983cur-1	15.5700	RFQ	2996	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	バルク	アクティブ	±2％	-55°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N983		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 62 v									82 v	330オーム
R2050	33.4500	RFQ	2162	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ									-			影響を受けていない	150-R2050			1
jans1n4102-1/tr	31.6700	RFQ	2398	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jans1n4102-1/tr	ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 6.7 v									8.7 v	200オーム
jan1n4109c-1/tr	9.4430	RFQ	8062	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸				do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n4109c-1/tr	ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 11.4 v									15 V	100オーム
2N6514	78.7200	RFQ	4211	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-	穴を通して	to-204aa、to-3			120 w	TO-204AD（to-3）	-			影響を受けていない	150-2N6514	ear99	8541.29.0095	1																				300 V	7 a			-				PNP	-	-	-
1N5926CE3/TR13	-	RFQ	8049	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N5926		1.5 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000														1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 8.4 v									11 v	5.5オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²