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離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	アプリケーション	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	電圧 -アノード -カソード（ vak ）（最大）	レギュレータ電流（最大）	電圧 -制限（最大）
APT42F50B	10.1400	RFQ	2515	マイクロチップテクノロジー	Power Mos 8™	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C		穴を通して	TO-247-3	APT42F50	モスフェット（金属酸化物）			to-247 [b]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1			nチャネル	500 V	42a	10V	130mohm @ 21a 、10V	5V @ 1MA	170 NC @ 10 V	±30V	6810 PF @ 25 V	-	625W （TC）
1N5818	5.9550	RFQ	5625	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ				穴を通して	DO-204AL 、DO041、軸		ショットキー			DO-41	-			影響を受けていない	150-1N5818	ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns												30 V	550 mV @ 1 a		1 mA @ 30 v	-55°C〜150°C	1a	-
1N5925D	8.4150	RFQ	4943	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		穴を通して	DO-204AL 、DO041、軸	1N5925		1.25 w		DO-41	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1															1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 8 V										10 v	4.5オーム
jantx1n4619c-1/tr	12.2493	RFQ	7142	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW		do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n4619c-1/tr	ear99	8541.10.0050	1																	400 na @ 1 v										3 v	1600オーム
2N3013	31.9050	RFQ	9348	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ											-			影響を受けていない	150-2N3013			1
CDLL5243D	8.4150	RFQ	5907	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		表面マウント	DO-213AA			10 MW		DO-213AA	-			影響を受けていない	150-CDLL5243D	ear99	8541.10.0050	1															1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 9.9 v										13 v	13オーム
1 PMT5945BE3/TR13	0.7350	RFQ	1480	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C		表面マウント	DO-216AA	1PMT5945		3 W		DO-216AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,000															1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 51.2 v										68 v	120オーム
1N5922B/TR	5.2136	RFQ	8442	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸			1.25 w		DO-41	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N5922B/TR	ear99	8541.10.0050	1															1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 6 V										7.5 v	3オーム
MS1N3305BT1	-	RFQ	6933	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/358	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド			50 W		do-5（do-203ab）	-			影響を受けていない	150-MS1N3305BT1	ear99	8541.10.0050	100															1.5 V @ 10 a		300 µA @ 4.5 v										6.8 v	0.2オーム
1N5306/tr	18.7950	RFQ	4303	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜175°C	-	穴を通して	DO-204AA	1N5306		500MW		DO-7	-			影響を受けていない	150-1N5306/tr			100																																		100V	2.42MA	1.95V
jantxv1n3823cur-1	49.6200	RFQ	2436	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C		表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	1N3823		1 W		do-213ab	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1															1.2 V @ 200 mA		25 µA @ 1 V										3.9 v	9オーム
APTGF180A60TG	-	RFQ	8231	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	廃止		-		シャーシマウント	SP4			833 w	標準	SP4	ダウンロード		1 （無制限）			ear99	8541.29.0095	1	ハーフブリッジ																				npt	600 V	220 a	2.5V @ 15V 、180a	300 µA	はい			8.6 nf @ 25 v
jantx1n969dur-1	20.8800	RFQ	5443	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	バルク	アクティブ	±1％	-55°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N969		500 MW		do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1															1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 17 V										22 v	29オーム
jans1n4970cus/tr	368.3100	RFQ	5251	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/356	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C		表面マウント	sq-melf b			5 W		e-melf	-				150-jans1n4970cus/tr	ear99	8541.10.0050	50															1.5 V @ 1 a		2 µA @ 25.1 v										33 v	10オーム
1N5921PE3/TR8	0.9150	RFQ	7112	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±20％	-65°C〜150°C		穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N5921		1.5 w		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500															1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 5.2 v										6.8 v	2.5オーム
JANKCA1N4623C	-	RFQ	1775	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C		表面マウント	死ぬ			500 MW		死ぬ	-			影響を受けていない	150-jankca1n4623c	ear99	8541.10.0050	100															1.1 V @ 200 mA		4 µA @ 2 V										4.3 v	1600オーム
2N3599	547.4100	RFQ	8172	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		スタッドマウント	TO-211MB			100 W		to-63	-			影響を受けていない	150-2N3599	ear99	8541.29.0095	1																						80 v	20 a		-					npn	500MV @ 1MA 、10ma	-	-
1N2823B	94.8900	RFQ	1199	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		穴を通して	To-204ad	1N2823		50 W		TO-204AD（to-3）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1															1.5 V @ 10 a		10 µA @ 22.8 v										30 V	3オーム
1n6018ur/tr	3.7350	RFQ	5340	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C		表面マウント	DO-213AA			500 MW		DO-213AA	-				150-1N6018ur/tr	ear99	8541.10.0050	264															1.1 V @ 200 mA												56 v
jans1n4975cus/tr	368.3100	RFQ	1506	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/356	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C		表面マウント	sq-melf b			5 W		e-melf	-				150-jans1n4975cus/tr	ear99	8541.10.0050	50															1.5 V @ 1 a		2 µA @ 38.8 v										51 v	27オーム
jantxv1n5712ur-1/tr	60.0900	RFQ	6701	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/444	テープ＆リール（ tr）	アクティブ				表面マウント	DO-213AA		ショットキー			DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n5712ur-1/tr	ear99	8541.10.0070	1		高速回復= <500ns												16 v	1 V @ 35 Ma		150 na @ 16 v	-65°C〜150°C	75ma	2PF @ 0V、1MHz
Jan1N4980	7.2600	RFQ	3757	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		穴を通して	E 、軸	1N4980		5 W			ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1															1.5 V @ 1 a		2 µA @ 62.2 v										82 v	80オーム
jantxv1n6348c	37.5300	RFQ	9735	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW		do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-jantxv1n6348c	ear99	8541.10.0050	1															1.4 V @ 1 a		50 Na @ 76 v										100 V	340オーム
1N5272/tr	3.2550	RFQ	7018	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW		do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-1N5272/tr	ear99	8541.10.0050	290															1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 80 V										110 v	750オーム
CD5259B	1.4497	RFQ	9510	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	死ぬ			500 MW		死ぬ	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-CD5259B	ear99	8541.10.0050	1															1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 30 V										39 v	80オーム
1N5234A/TR	3.6442	RFQ	9413	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW		DO-35	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N5234A/TR	ear99	8541.10.0050	1															1.5 V @ 200 mA		5 µA @ 3.8 v										6.2 v	7オーム
jans1n6317cus/tr	197.1004	RFQ	9421	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C		表面マウント	sq-melf b			500 MW		B、sq-melf	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jans1n6317cus/tr	ear99	8541.10.0050	1															1.4 V @ 1 a		5 µA @ 2 V										5.1 v	14オーム
jans1n5284-1/tr	100.0200	RFQ	9916	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/463	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜175°C	-	穴を通して	DO-204AA			500MW		DO-7	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jans1n5284-1/tr	ear99	8541.10.0070	1																																		100V	264µA	1V
jantx1n5415us/tr	9.0450	RFQ	1671	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/411	テープ＆リール（ tr）	アクティブ				表面マウント	sq-melf b		標準			B、sq-melf	-				150-jantx1n5415us/tr			100		高速回復= <500ns												50 v	1.5 V @ 9 a	150 ns	1 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	3a	-
SMBJ5387BE3/TR13	0.8250	RFQ	6223	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C		表面マウント	DO-214AA、SMB	SMBJ5387		5 W		smbj（ do-214aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000															1.2 V @ 1 a		500 NA @ 137 v										190 v	450オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²