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離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	アプリケーション	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	フェットタイプ	現在 -マックス	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	@ @ if、f	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	静電容量比	静電容量比条件	Q @ vr、f	電圧 -アノード -カソード（ vak ）（最大）	レギュレータ電流（最大）	電圧 -制限（最大）
jan1n5311111111ur-1/tr	30.4650	RFQ	4112	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/463	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜175°C	-	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	1N5311		500MW	do-213ab	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-JAN1N5311111111UR-1/TR	ear99	8541.10.0070	1																																			100V	3.96ma	2.5V
Jan2N2432	-	RFQ	6497	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/313	バルク	アクティブ		-65°C〜175°C		穴を通して	to-206aa			360 MW	TO-18（to-206aa	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																				30 V	100 Ma			10na				npn	150mv @ 500µa 、10ma	80 @ 1MA 、5V	-
2N3507AL	12.2626	RFQ	7602	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		穴を通して	to-205aa、to-5-3	2N3507		1 W	to-5aa	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																				50 v	3 a			1µA				npn	1.5V @ 250MA 、2.5a	35 @ 500MA、1V	-
jantx2n2604ub	-	RFQ	7622	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/354	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		表面マウント	4-SMD 、リードなし	2N2604		400 MW	ub	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																				60 V	30 Ma			10na				PNP	300MV @ 500µA 、10mA	60 @ 500µA 、5V	-
jantxv1n5298ur-1/tr	40.4100	RFQ	2744	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/463	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜175°C	-	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	1N5298		500MW	do-213ab	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n5298ur-1/tr	ear99	8541.10.0070	1																																			100V	1.21MA	1.4V
1N5300	18.6000	RFQ	4307	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	-	穴を通して	DO-204AA	1N5300		475MW	DO-7	-			影響を受けていない	150-1N5300			1																																			100V	1.43MA	1.5V
TN2524N8-G	1.5400	RFQ	5901	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C		表面マウント	TO-243AA	TN2524	モスフェット（金属酸化物）		TO-243AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,000		nチャネル		240 v	360ma	4.5V 、10V	6OHM @ 500MA 、10V	2V @ 1MA	±20V	125 pf @ 25 v	-	1.6W
jans1n4475cus	283.8300	RFQ	5011	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C		表面マウント	sq-melf、a			1.5 w	D-5a	-			影響を受けていない	150-jans1n4475cus	ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 1 a		50 Na @ 21.6 v									27 v	18オーム
R307010F	49.0050	RFQ	3827	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ										-			影響を受けていない	150-R307010F			1
JANTX2N3439U4	-	RFQ	1353	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ						2N3439				-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1
jansr2n2219al	114.6304	RFQ	3662	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/251	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		穴を通して	to-205aa、to-5-3	2N2219		800 MW	to-5	-			影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																				50 v	800 Ma			10na				npn	1V @ 50ma 、500ma	75 @ 1MA 、10V	-
MSASC100H45HR	-	RFQ	3679	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ				表面マウント	Thinkey™1		ショットキー		Thinkey™1	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100	高速回復= <500ns												45 v	650 mv @ 80 a			-65°C〜150°C	100a	-
CDLL7048	68.1450	RFQ	4378	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ						CDLL70				-			影響を受けていない	150-CDLL7048			1
S53120TS	158.8200	RFQ	8299	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ										-			影響を受けていない	150-S53120TS			1
jan1n962cur-1/tr	10.2410	RFQ	2996	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C		表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n962cur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 mA		1 µA @ 8.4 v									11 v	9.5オーム
GC4210-154-2/TR	-	RFQ	2628	マイクロチップテクノロジー	-	トレイ	アクティブ		-55°C〜150°C			死ぬ				チップ	-			影響を受けていない	150-GC4210-154-2/tr			1			10 Ma																0.06pf @ 10V、1MHz			ピン -シングル	100V				1.5OHM @ 20MA、1GHz
GMV2114-GM1/TR	-	RFQ	1365	マイクロチップテクノロジー	Gigamite®	トレイ	アクティブ		-55°C〜125°C		表面マウント	0805 （2012 メトリック）				0805	-			影響を受けていない	150-gmv2114-gm1/tr	ear99	8541.10.0080	1																			0.5pf @ 20V、1MHz			シングル	22 v									3.3	C4/C20	900 @ 4V、50MHz
1N4103UR	3.7950	RFQ	3956	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N4103		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 6.92 v									9.1 v	200オーム
R711x	55.6500	RFQ	4890	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ				穴を通して	to-204aa、to-3	R711	標準		TO-204AD（to-3）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns												100 V	1.4 V @ 15 a	200 ns	1 MA @ 100 V	-65°C〜150°C	15a	-
1N5285/tr	18.6900	RFQ	1726	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜175°C	-	穴を通して	DO-204AA	1N5285		475MW	DO-7	-			影響を受けていない	150-1N5285/tr			100																																			100V	297µA	1V
UES2605	74.3700	RFQ	3311	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ				穴を通して	to-204aa、to-3	UES2605	標準		TO-204AD（to-3）	ダウンロード	ROHS非準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns												300 V	1.25 V @ 15 a	50 ns	50 µA @ 300 V	-55°C〜150°C	30a	-
1N4527	62.1150	RFQ	1117	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ				スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	1N4527	標準		do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns												600 V	1.19 V @ 90 a		10 µA @ 600 V	-65°C〜200°C	40a	-
1N3017B-1	8.1900	RFQ	9971	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C		穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N3017		1 W	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1														1.2 V @ 200 mA		100 µA @ 5.7 v									7.5 v	4オーム
jantxv1n5535c-1	23.3700	RFQ	7169	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5535		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 13.5 v									15 V	100オーム
jantxv1n5195ur/tr	-	RFQ	2500	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/118	テープ＆リール（ tr）	アクティブ				表面マウント	DO-213AA		標準		DO-213AA	-				150-jantxv1n5195ur/tr			1	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度												180 v	1 V @ 100 MA		1 µA @ 200 v	-65°C〜175°C	200mA	-
UMX7204SM	-	RFQ	5483	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-			sq-melf				-	-			影響を受けていない	150-IMX7204SMTR	ear99	8541.10.0060	1																			-			-	-				-
jantxv1n5285ur-1	40.2450	RFQ	5026	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/463	バルク	アクティブ		-65°C〜175°C	-	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	1N5285		500MW	do-213ab	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	1																																			100V	297µA	1V
Jan1n992bur-1	-	RFQ	1867年	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1														1.3 V @ 200 mA		500 NA @ 152 v									200 v	2500オーム
jansl2n5151	95.9904	RFQ	6435	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/545	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶			1 W	to-39	-			影響を受けていない	150-jansl2n5151			1																				80 v	2 a			50µA				PNP	1.5V @ 500MA 、5a	30 @ 2.5a 、5V	-
1N4583	8.9400	RFQ	5711	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		穴を通して	DO-204AA			500 MW	DO-7	ダウンロード			影響を受けていない	150-1N4583	ear99	8541.10.0050	1																2 µA @ 3 V									6.4 v	25オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²