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離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	タイプ	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	現在	電圧	電圧 -分離	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
JANTX1N975CUR-1	15.5700	RFQ	5462	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	バルク	アクティブ	±2％	-55°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸		1N975		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1							1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 30 V							39 v	80オーム
Jan1n6633us	-	RFQ	3357	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b				5 W	e-melf	-			影響を受けていない	150-jan1n6633us	ear99	8541.10.0050	50							1.5 V @ 1 a		250 µA @ 1 V							3.6 v	2.5オーム
JanHCA1N4620C	-	RFQ	8968	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	死ぬ				500 MW	死ぬ	-			影響を受けていない	150-janhca1n4620c	ear99	8541.10.0050	100							1.1 V @ 200 mA		7.5 µA @ 1.5 V							3.3 v	1650オーム
Jan1n4134d-1	13.1400	RFQ	1081	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸		1N4134			do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1							1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 69.2 v							91 v	1200オーム
1N3040bur-1	15.3000	RFQ	5876	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ		1N3040		1 W	DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1							1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 51.7 v							68 v	150オーム
jantxv1n4627cur-1	51.1950	RFQ	8362	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）		1N4627		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1							1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 5 V							6.2 v	1200オーム
1N736	1.9200	RFQ	9866	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-	穴を通して	do-204ah do-35 、軸		1N736		250 MW	DO-35	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																82 v	280オーム
jantx1n4968us/tr	8.6051	RFQ	1864年年	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf e				5 W	D-5B	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n4968us/tr	ear99	8541.10.0050	1							1.5 V @ 1 a		2 µA @ 20.6 v							27 v	6オーム
1 PMT5949E3/TR7	0.7350	RFQ	3754	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±20％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-216AA		1PMT5949		3 W	DO-216AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000							1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 76 v							100 V	250オーム
1 PMT5944E3/TR7	0.7350	RFQ	2172	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±20％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-216AA		1PMT5944		3 W	DO-216AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000							1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 47.1 v							62 v	100オーム
JANKCA1N4119C	-	RFQ	7456	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	死ぬ				500 MW	死ぬ	-			影響を受けていない	150-jankca1n4119c	ear99	8541.10.0050	100							1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 21.28 v							28 v	200オーム
aptlgt400a608g	517.0200	RFQ	1374	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			穴を通して	6-POWERSIPモジュール	IGBT	aptlgt400				ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8543.70.9860	1	ハーフブリッジ		600 a	600 V	2500VRMS
SMBG5374BE3/TR13	1.1400	RFQ	3094	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-215AA		SMBG5374		5 W	SMBG （DO-215AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000							1.2 V @ 1 a		500 NA @ 54 v							75 v	45オーム
jantxv1n4372c-1	25.5600	RFQ	8881	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸		1N4372		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1							1.1 V @ 200 mA		30 µA @ 1 V							3 v	29オーム
jantxv1n4123d-1	28.9500	RFQ	6207	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸		1N4123		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1							1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 29.7 v							39 v	200オーム
2N4071	74.8500	RFQ	9853	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-	穴を通して	to-204aa、to-3				65 W	TO-204AD（to-3）	-			影響を受けていない	150-2N4071	ear99	8541.29.0095	1													150 v	10 a	-			npn	-	-	-
1N3269	151.2750	RFQ	3854	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-205ab、do-9 、スタッド		1N3269	標準		do-205ab（do-9）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない	1N3269ms	ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns				600 V	1.3 V @ 300 a		75 µA @ 600 v	-65°C〜190°C	275a	-
Jan1n6319us	12.8400	RFQ	4078	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b		1N6319		500 MW	B、sq-melf	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1							1.4 V @ 1 a		5 µA @ 3.5 v							6.2 v	3オーム
JANTX2N2920A	35.9632	RFQ	2525	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/355	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-78-6金属缶		2N2920		350MW	to-78-6	-			影響を受けていない	150-jantx2n2920a			1													60V	30ma	10µa（icbo）			2 NPN （デュアル）	300MV @ 100µA、1MA	300 @ 1MA 、5V	-
jans1n4104-1/tr	31.6700	RFQ	9943	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸				500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jans1n4104-1/tr	ear99	8541.10.0050	1							1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 7.6 v							10 v	200オーム
jans1n4130c-1/tr	63.1902	RFQ	6937	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸				500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jans1n4130c-1/tr	ear99	8541.10.0050	1							1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 51.7 v							68 v	700オーム
50HQ045	169.3350	RFQ	1047	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド			ショットキー		DO-5	-	ROHS非準拠		影響を受けていない	50hq045ms	ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns				45 v	600 mV @ 60 a		2 MA @ 45 v	-65°C〜150°C	60a	-
1N6625/tr	12.0450	RFQ	4642	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	A 、軸			標準		A 、軸	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N6625/tr	ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns				1100 v	1.75 V @ 1 a	60 ns	1 µA @ 1100 v	-65°C〜150°C	1a	10pf @ 10V、1MHz
1 PMT4131CE3/TR13	0.4950	RFQ	8283	マイクロチップテクノロジー	PowerMite®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-216AA		1PMT4131		1 W	DO-216	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,000							1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 57 v							75 v	250オーム
1N3315a	49.3800	RFQ	1390	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド		1N3315		50 W	DO-5	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1							1.5 V @ 10 a		10 µA @ 12.2 v							16 v	1.6オーム
1N5990A	1.9950	RFQ	6992	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸		1N5990		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1							1.1 V @ 200 mA		25 µA @ 1 V							3.9 v	95オーム
CD746A	1.5162	RFQ	5986	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	死ぬ				500 MW	死ぬ	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-CD746A	ear99	8541.10.0050	1							1.5 V @ 200 mA		10 µA @ 1 V							3.3 v	28オーム
JANTX1N4110DUR-1	30.8550	RFQ	2656	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）		1N4110		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1							1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 12.2 v							16 v	100オーム
jantxv1n3911	-	RFQ	8281	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/308	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド		1N3911	標準		do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns				200 v	1.4 V @ 50 a	150 ns	15 µa @ 200 v	-65°C〜150°C	50a	-
1N935	5.5350	RFQ	6991	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C（タタ	穴を通して	do-204ah do-35 、軸				500 MW	do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																9 v	20オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²