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離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	静電容量比	静電容量比条件	Q @ vr、f
CDLL5266	3.5850	RFQ	8347	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±20％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL5266		10 MW		DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1															1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 52 v												68 v	230オーム
jan1n4104dur-1	18.2400	RFQ	5547	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N4104				DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1															1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 7.6 v												10 v	200オーム
MSASC25H15KV	-	RFQ	2307	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ										-	ROHS非準拠		影響を受けていない			0000.00.0000	100
VN0606L-G-P003	1.2200	RFQ	4652	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	to-226-3	VN0606	モスフェット（金属酸化物）			to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,000			nチャネル	60 V	330MA （TJ）	10V	3OHM @ 1A 、10V	2V @ 1MA		±30V	50 pf @ 25 V	-	1W （TC）
jans1n5812r	873.6000	RFQ	7869	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/478	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-203aa		標準			do-203aa	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns												50 v	950 mv @ 20 a	35 ns	10 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	20a	300pf @ 10V、1MHz
1N1128	38.3850	RFQ	9669	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-203aa	1N1128	標準			DO-4 （DO-203AA）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns												600 V	1.2 V @ 30 a		10 µA @ 600 V	-65°C〜200°C	12a	-
1N647UR-1	3.9600	RFQ	1906年年	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N647	標準			DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	1		標準回復> 500ns												400 V	1 V @ 400 Ma		50 Na @ 400 V	-65°C〜175°C	400mA	-
CDLL4774A	154.9800	RFQ	8066	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA	CDLL4774		500 MW		DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																	10 µA @ 6 V												9.1 v	200オーム
jantx2n2222a	2.7300	RFQ	3434	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/255	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206aa	2N2222		500 MW		TO-218	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																						50 v	800 Ma				50NA					npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
JANTX1N4121D-1	17.2350	RFQ	7097	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N4121		500 MW		do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1															1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 25.1 v												33 v	200オーム
Jan1n3044cur-1	32.5950	RFQ	9577	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	バルク	アクティブ	±2％	-55°C〜175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	1N3044		1 W		do-213ab	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1															1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 76 v												100 V	350オーム
1 PMT4105/TR7	0.9600	RFQ	3591	マイクロチップテクノロジー	PowerMite®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-216AA	1PMT4105		1 W		DO-216	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000															1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 8.44 v												11 v	200オーム
JANTXV2N3867U4	172.9000	RFQ	6545	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし			1 W		U4	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																						40 v	3 a				100µa（icbo）					PNP	1.5V @ 250MA 、2.5a	40 @ 1.5a 、2V	-
1N5615/tr	4.9050	RFQ	8667	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	A 、軸		標準			A 、軸	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N5615/tr	ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns												200 v	1.6 V @ 3 a	150 ns	500 NA @ 200 V	-65°C〜175°C	1a	45pf @ 12V、1MHz
GC15007-79	-	RFQ	3766	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-55°C〜125°C	表面マウント	2-SMD 、リードなし					-	-			影響を受けていない	150-GC15007-79	ear99	8541.10.0060	1																				0.2pf @ 20V、1MHz					シングル	22 v										13	C0/C20	1000 @ 4V、50MHz
1 PMT4104C/TR7	1.2450	RFQ	8840	マイクロチップテクノロジー	PowerMite®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-216AA	1PMT4104		1 W		DO-216	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000															1.1 V @ 200 mA		1 µA @ 7.6 v												10 v	200オーム
JANKCA1N4100	-	RFQ	5653	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AA			500 MW		do-7 （do-204aa）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jankca1n4100	ear99	8541.10.0050	1															1.1 V @ 200 mA		10 µA @ 5.7 v												7.5 v	200オーム
MSCGLQ50DU120CTBL1NG	119.8600	RFQ	7453	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	mscglq		375 w	標準	-	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	150-MSCGLQ50DU120CTBL1NG	ear99	8541.29.0095	1	ハーフブリッジ																				-	1200 v	110 a	2.4V @ 15V 、50a			25 µA	はい			2.77 NF @ 25 V
1N2065	158.8200	RFQ	7597	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-205ab、do-9 、スタッド		標準			do-205ab（do-9）	ダウンロード			影響を受けていない	150-1N2065	ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns												700 V	1.3 V @ 300 a		75 µA @ 700 V	-65°C〜190°C	275a	-
MSCSM120HM50CT3AG	181.3700	RFQ	4076	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ		-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	MSCSM120	炭化シリコン（原文）	245W		SP3F	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	150-MSCSM120HM50CT3AG	ear99	8541.29.0095	1	4 nチャネル			1200V（1.2kv）	55a（tc）		50mohm @ 40a 、20V	2.7V @ 1MA	137NC @ 20V		1990pf @ 1000V	-
1N824E3	3.9150	RFQ	4807	マイクロチップテクノロジー	-	バッグ	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AA	1N824		500 MW		DO-7	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	1N824E3MS	ear99	8541.10.0050	1																	2 µA @ 3 V												5.9 v	15オーム
jantxv1n4484us/tr	17.7750	RFQ	9777	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/406	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf、a			1.5 w		D-5a	-				150-jantxv1n4484us/tr	ear99	8541.10.0050	100															1.5 V @ 1 a		250 Na @ 49.6 v												62 v	80オーム
BZV55C3V6	2.9400	RFQ	8118	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±6％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	BZV55C3V6				DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1															1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 1 V												3.6 v
1N5356AE3/TR8	2.6250	RFQ	4656	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜150°C	穴を通して	T-18 、軸	1N5356		5 W		T-18	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,000															1.2 V @ 1 a		500 NA @ 13.7 v												19 v	3オーム
jans1n4488d	343.5150	RFQ	2814	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO041、軸			1.5 w		DO-41	-			影響を受けていない	150-jans1n4488d	ear99	8541.10.0050	1															1.5 V @ 1 a		250 Na @ 72.8 v												91 v	200オーム
HSM580JE3/TR13	0.9750	RFQ	1456	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc	HSM580	ショットキー			DO-214AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns												80 v	800 mV @ 5 a		250 µA @ 80 V	-55°C〜175°C	5a	-
MSCGLQ200SK65TG	146.6100	RFQ	5238	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ					mscglq					-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	150-MSCGLQ200SK65TG	ear99	8541.29.0095	1
jan1n4616-1/tr	3.4580	RFQ	3669	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW		do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n4616-1/tr	ear99	8541.10.0050	1															1.1 V @ 200 mA		2 µA @ 1 V												2.2 v	1300オーム
jantx1n987bur-1	-	RFQ	6905	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW		DO-213AA	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1															1.3 V @ 200 mA		500 NA @ 91 v												120 v	900オーム
jantxv1n991bur-1/tr	-	RFQ	3298	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW		DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n991bur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1															1.3 V @ 200 mA		500 NA @ 137 v												180 v	2.2オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²