画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | アプリケーション | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | 入力 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | ciss )( max @ vds | 電力散逸(最大) | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | IGBTタイプ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | vce(on max) @ vge | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧 -破壊( V | 現在の - ドレイン(IDSS @ vds(vgs = 0) | 電圧-Cutoff( VGSオフ) @ id | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | NTCサーミスタ | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | 入力容量( cies @ vce | 抵抗-RDS (オン) | @ @ if、f | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 静電容量比 | 静電容量比条件 | Q @ vr、f | 電圧 -アノード -カソード( vak )(最大) | レギュレータ電流(最大) | 電圧 -制限(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SMBJ5368B/TR13 | 1.6650 | ![]() | 9311 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMBJ5368 | 5 W | smbj( do-214aa) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 33.8 v | 47 v | 25オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1N4688-1 | 3.5245 | ![]() | 9799 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N4688-1 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 µA @ 3 V | 4.7 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
jans1n4105d-1/tr | 94.7000 | ![]() | 9397 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jans1n4105d-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 8.5 v | 11 v | 200オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HSM140G/TR13 | 1.6800 | ![]() | 4277 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | テープ&リール( tr) | アクティブ | HSM140 | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | janhca1n4106c | - | ![]() | 7093 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | 500 MW | 死ぬ | - | 影響を受けていない | 150-janhca1n4106c | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 8.12 v | 12 v | 200オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv1n3822aur-1 | 19.3950 | ![]() | 7120 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1N3822 | 1 W | do-213ab | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 75 µA @ 1 V | 3.6 v | 10オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MP6250-P2715 | - | ![]() | 8067 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | アクティブ | -65°C〜150°C | 死ぬ | MP6250 | チップ | - | 影響を受けていない | 150-MP6250-P2715 | ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 50 MW | 55pf @ 10V、1MHz | ピン -シングル | 40V | 7OHM @ 10MA、1GHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jan1n964bur-1/tr | 4.0831 | ![]() | 4921 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/117 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n964bur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 9.9 v | 13 v | 13オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
jantxv1n6347us | 22.3050 | ![]() | 4623 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 1N6347 | 500 MW | B、sq-melf | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 69 v | 91 v | 270オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
jantx1n649-1/tr | - | ![]() | 2028 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 標準 | do-35 (do-204ah) | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n649-1/tr | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1 V @ 400 Ma | 50 Na @ 600 V | -65°C〜175°C | 400mA | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
jan1n4496cus | 26.7600 | ![]() | 4837 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1N4496 | 1.5 w | D-5a | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 mA | 250 na @ 160 v | 200 v | 1500オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantx1n5308-1 | 33.9900 | ![]() | 3325 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/463 | バルク | アクティブ | -65°C〜175°C | - | 穴を通して | DO-204AA | 1N5308 | 500MW | DO-7 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.97MA | 2.15V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jan1n3024cur-1/tr | 29.0339 | ![]() | 6162 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1 W | do-213ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n3024cur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 11.4 v | 15 V | 14オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4109D/TR | 6.8894 | ![]() | 6035 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | テープ&リール( tr) | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N4109d/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantx1n3039dur-1/tr | 41.5359 | ![]() | 4597 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1 W | do-213ab | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n3039dur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 47.1 v | 62 v | 125オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jan1n4624dur-1/tr | 18.7264 | ![]() | 2596 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n4624dur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 3 V | 4.7 v | 1550オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MX2N4091UB/TR | 89.2696 | ![]() | 4508 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/431 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -65°C〜175°C | 表面マウント | 3-SMD 、リードなし | 360 MW | 3-ub(3.09x2.45) | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-MX2N4091UB/TR | 1 | nチャネル | 40 v | 16pf @ 20V | 40 v | 30 mA @ 20 v | 30オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv1n3041dur-1 | 56.9100 | ![]() | 4587 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | バルク | アクティブ | ±1% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1N3041 | 1 W | do-213ab | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 56 v | 75 v | 175オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | cdll5311/tr | 25.2900 | ![]() | 3212 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -65°C〜175°C | - | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | CDLL53 | 500MW | do-213ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-cdll5311/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 3.96ma | 2.5V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GC15005-79 | - | ![]() | 1941年年 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -55°C〜125°C | 表面マウント | 2-SMD 、リードなし | - | - | 影響を受けていない | 150-GC15005-79 | ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 2.4pf @ 20V、1MHz | シングル | 22 v | 8 | C0/C15 | 900 @ 4V、50MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MV2N5115UB/TR | 95.7866 | ![]() | 9285 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 3-SMD 、リードなし | 500 MW | ub | - | 影響を受けていない | 150-MV2N5115UB/TR | 100 | pチャネル | 30 V | 25pf @ 15V | 30 V | 15 mA @ 15 v | 3 V @ 1 Na | 100オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N7374 | 244.5450 | ![]() | 7817 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | - | 穴を通して | TO-257-3 | 52.5 w | TO-257 | - | 影響を受けていない | 150-2N7374 | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 200 v | 5 a | - | npn | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GCX1208-23-4/tr | 5.3550 | ![]() | 5391 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | GCX1208 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜125°C | 表面マウント | TO-236-3 | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-GCX1208-23-4/tr | ear99 | 8541.10.0060 | 1,000 | 3.9pf @ 4V、1MHz | 1ペア共通カソード | 30 V | 3.9 | C0/C30 | 2500 @ 4V、50MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MV31011-P00 | - | ![]() | 4216 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | チップ | - | 影響を受けていない | 150-MV31011-P00 | ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 0.5pf @ 4V、1MHz | シングル | 22 v | 5.5 | C2/C20 | 4000 @ 4V、50MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5301 | 18.6000 | ![]() | 9245 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | - | 穴を通して | DO-204AA | 1N5301 | 475MW | DO-7 | - | 影響を受けていない | 150-1N5301 | 1 | 100V | 1.54ma | 1.55V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1n6006ur | 3.5850 | ![]() | 4874 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | 1N6006 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N2804RB | 96.0150 | ![]() | 9393 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | To-204ad | 1N2804 | 50 W | TO-204AD(to-3) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 a | 150 µA @ 4.5 v | 6.8 v | 0.2オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CDLL6326 | 14.6400 | ![]() | 1137 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | CDLL6326 | 500 MW | DO-213AB | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 9 V | 12 v | 7オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantx1n4619ur-1/tr | 10.8262 | ![]() | 4434 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n4619ur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 400 na @ 1 v | 3 v | 1600オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT150TDU60PG | 243.8000 | ![]() | 3785 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -40°C〜175°C | シャーシマウント | SP6 | aptgt150 | 480 w | 標準 | SP6-P | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | トリプル、デュアル -共通のソース | トレンチフィールドストップ | 600 V | 225 a | 1.9V @ 15V 、150a | 250 µA | いいえ | 9.2 nf @ 25 v |
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