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離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	アプリケーション	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	フェットタイプ	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	電圧 -アノード -カソード（ vak ）（最大）	レギュレータ電流（最大）	電圧 -制限（最大）
HSM140GE3/TR13	1.0650	RFQ	7025	マイクロチップテクノロジー	*	テープ＆リール（ tr）	アクティブ						HSM140				-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000
1N5816	62.2350	RFQ	2946	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ				スタッドマウント	do-203aa	1N5816	標準		do-203aa	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns										150 v		950 mv @ 20 a	35 ns	10 µA @ 150 v	-65°C〜175°C	20a	300pf @ 10V、1MHz
1N4760P/TR8	1.8600	RFQ	4455	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜150°C		穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4760		1 W	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500													1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 51.7 v				68 v	150オーム
cdll5301/tr	25.2900	RFQ	4186	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜175°C	-	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	CDLL53		500MW	do-213ab	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-cdll5301/tr	ear99	8541.10.0050	1																					100V	1.54ma	1.55V
1N3038B-1/TR	8.3700	RFQ	3626	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C		穴を通して	DO-204AL 、DO041、軸	1N3038		1 W	DO-41	ダウンロード			影響を受けていない	150-1N3038B-1/TR	ear99	8541.10.0050	113													1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 42.6 v				56 v	110オーム
cdll5545/tr	5.9052	RFQ	3330	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±20％	-65°C〜175°C		表面マウント	do-213ab 、メルフ			500 MW	DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-cdll5545/tr	ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 24 V				30 V	100オーム
2C2920	10.7464	RFQ	7712	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ										-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-2C2920			1
apt20m20lfllg	35.6600	RFQ	3504	マイクロチップテクノロジー	PowerMosv®	チューブ	アクティブ				穴を通して	TO-264-3、TO-264AA	APT20M20	モスフェット（金属酸化物）		to-264 [l]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル	200 v	100a（tc）	20mohm @ 50a 、10V	5V @ 2.5MA	110 NC @ 10 V	6850 PF @ 25 V	-
1N5820US	-	RFQ	5228	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	sicで中止されました				表面マウント	sq-melf b		ショットキー		B、sq-melf	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns										20 v		500 mV @ 3 a		100 µA @ 20 V	-65°C〜125°C	3a	-
apt2x100dq100j	24.6700	RFQ	3936	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ				シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	APT2X100	標準		ISOTOP®	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns									2独立	1000 V	100a	2.7 V @ 100 a	290 ns	100 µA @ 1000 V	-55°C〜175°C
1N4766	81.6750	RFQ	9727	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	0°C〜75°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N4766		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																			9.1 v	350オーム
UZ816	22.6500	RFQ	100	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-	-65°C〜175°C		穴を通して	A 、軸			3 W	A 、軸	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	150-UZ816	ear99	8541.10.0050	1
1N6309US	14.7750	RFQ	6417	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	sq-melf b	1N6309		500 MW	B、sq-melf	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.4 V @ 1 a		100 µA @ 1 V				2.4 v	30オーム
jantxv1n6316dus	68.5350	RFQ	6443	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		表面マウント	sq-melf b	1N6316		500 MW	B、sq-melf	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.4 V @ 1 a		5 µA @ 1.5 v				4.7 v	17オーム
Jan1n3822d-1	21.7350	RFQ	4943	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N3822		1 W	DO-41	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.2 V @ 200 mA		75 µA @ 1 V				3.6 v	10オーム
1 PMT4114CE3/TR13	0.4950	RFQ	7060	マイクロチップテクノロジー	PowerMite®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C		表面マウント	DO-216AA	1PMT4114		1 W	DO-216	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,000													1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 15.2 v				20 v	150オーム
jantxv1n4621dur-1	38.2050	RFQ	4573	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N4621		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 mA		3.5 µA @ 2 V				3.6 v	1700オーム
1N4697-1	4.8300	RFQ	9109	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード			影響を受けていない	150-1N4697-1	ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 mA		1 µA @ 7.6 v				10 v
jans1n4113cur-1/tr	91.5802	RFQ	5302	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C		表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jans1n4113cur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 14.5 v				19 v	150オーム
jantx1n4102-1/tr	4.8412	RFQ	9031	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n4102-1/tr	ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 6.7 v				8.7 v	200オーム
HSM350GE3/TR13	0.9900	RFQ	5292	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ				表面マウント	do-215ab 、mcガルウィング	HSM350	ショットキー		DO-215AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns										50 v		620 mv @ 3 a		100 µA @ 50 V	-55°C〜175°C	3a	-
1N5746D	4.6800	RFQ	8350	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5746		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													900 mV @ 10 Ma		100 na @ 19 v				27 v	80オーム
jantxv1n4981	-	RFQ	7516	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	sicで中止されました	±5％	-65°C〜175°C		穴を通して	E 、軸			5 W		ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.5 V @ 1 a		2 µA @ 69.2 v				91 v	90オーム
S306010F	49.0050	RFQ	4639	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ										-			影響を受けていない	150-S306010F			1
1N5732B	1.8600	RFQ	2084	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5732		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													900 mV @ 10 Ma		3 µA @ 4 V				6.8 v	10オーム
jantxv1n4110d-1/tr	25.8153	RFQ	8408	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n4110d-1/tr	ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 12.2 v				16 v	100オーム
1N4776	31.7100	RFQ	5075	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	0°C〜75°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N4776		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																			8.5 v	200オーム
jantxv1n3040cur-1	46.1250	RFQ	7513	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	バルク	アクティブ	±2％	-55°C〜175°C		表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	1N3040		1 W	do-213ab	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 51.7 v				68 v	150オーム
jan1n4476dus	35.1000	RFQ	2049	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		表面マウント	sq-melf、a	1N4476		1.5 w	D-5a	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1 V @ 200 mA		50 Na @ 24 V				30 V	20オーム
1N4929A	31.5000	RFQ	9032	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-55°C〜100°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N4929		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																			19.2 v	36オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²