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離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	アプリケーション	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	電圧 -アノード -カソード（ vak ）（最大）	レギュレータ電流（最大）	電圧 -制限（最大）
1N4929A	31.5000	RFQ	9032	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-55°C〜100°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N4929		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1														19.2 v	36オーム
1N5934APE3/TR8	0.9150	RFQ	6059	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜150°C		穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N5934		1.5 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500					1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 18.2 v							24 v	19オーム
Jan1n992dur-1	-	RFQ	7023	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.3 V @ 200 mA		500 NA @ 152 v							200 v	2500オーム
cdll962b/tr	2.2743	RFQ	3201	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	do-213ab 、メルフ			500 MW	DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-cdll962b/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		1 µA @ 8.4 v							11 v	9.5オーム
jansr2n3635ub	147.1604	RFQ	8829	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/357	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		表面マウント	4-SMD 、リードなし			1.5 w	ub	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1											140 v	10 µA	10µA			PNP	600mv @ 5ma 、50ma	100 @ 10ma 、10V	-
jantxv2n3764u4	-	RFQ	8259	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/396	バルク	アクティブ		-55°C〜200°C （TJ		表面マウント	3-SMD 、リードなし			500 MW	U4	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1											40 v	1.5 a	10µa（icbo）			PNP	900mv @ 100ma、1a	30 @ 1a 、1.5V	-
jans1n4108d-1	101.3100	RFQ	3334	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 10.7 v							14 v	200オーム
jantx1n6326us	16.8900	RFQ	1610	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	sq-melf b			500 MW	B、sq-melf	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 a		1 µA @ 9 V							12 v	7オーム
SMBJ5387C/TR13	2.1900	RFQ	6436	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C		表面マウント	DO-214AA、SMB	SMBJ5387		5 W	smbj（ do-214aa）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 a		500 NA @ 137 v							190 v	450オーム
cdll6347/tr	13.1404	RFQ	3102	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	do-213ab 、メルフ			500 MW	DO-213AB	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-cdll6347/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 69 v							91 v	270オーム
Jan1n5540c-1	11.0400	RFQ	8139	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5540		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		10 na @ 18 v							20 v	100オーム
Jan2N6648	104.1523	RFQ	6790	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/527	バルク	アクティブ		-65°C〜175°C		穴を通して	to-204aa、to-3			5 W	to-204aa	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1											40 v	10 a	1ma			pnp-ダーリントン	3V @ 100MA 、10a	1000 @ 5a 、3V	-
jantxv1n4574aur-1	41.5050	RFQ	8093	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ						1N4574				-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1
Jan2N5666S	-	RFQ	1668	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/455	バルク	sicで中止されました		-65°C〜200°C （TJ）		穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶	2N5666		1.2 w	to-39	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1											200 v	5 a	200na			npn	1V @ 1a 、5a	40 @ 1a 、5V	-
1n5288ur-1/tr	22.0050	RFQ	1821年年	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜175°C	-	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	1N5288		500MW	do-213ab	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N528888UR-1/TR	ear99	8541.10.0070	1																				100V	429µA	1.05V
1N5362AE3/TR8	-	RFQ	8033	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜150°C		穴を通して	T-18 、軸	1N5362		5 W	T-18	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,000					1.2 V @ 1 a		500 NA @ 20.1 v							28 v	6オーム
1N3338A	49.3800	RFQ	6258	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C		シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	1N3338		50 W	DO-5	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 a		10 µA @ 62.2 v							82 v	11オーム
jantxv1n972dur-1/tr	21.6258	RFQ	8638	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n972dur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 23 V							30 V	49オーム
1N5353AE3/TR8	2.6250	RFQ	8979	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜150°C		穴を通して	T-18 、軸	1N5353		5 W	T-18	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,000					1.2 V @ 1 a		1 µA @ 11.5 v							16 v	2.5オーム
1N4764UR-1	3.4650	RFQ	5961	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C		表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）			1 W	do-213ab	-			影響を受けていない	150-1N4764UR-1	ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 76 v							100 V	350オーム
jan1n2818b	-	RFQ	6168	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/114	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		穴を通して	To-204ad	1N2818		10 W	TO-204AD（to-3）	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 a		10 µA @ 15.2 v							20 v	2.4オーム
1N5290UR-1/TR	22.0050	RFQ	2242	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜175°C	-	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	1N5290		500MW	do-213ab	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N5290UR-1/TR	ear99	8541.10.0070	1																				100V	517µA	1.05V
1N3600UR/TR	5.4400	RFQ	9091	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ				表面マウント	DO-213AA		標準		DO-213AA	-							179	高速回復= <500ns		75 v		1 V @ 200 mA	4 ns	100 Na @ 50 V	-65°C〜175°C	300mA	2.5pf @ 0V、1MHz
jantxv1n5539b-1/tr	8.2327	RFQ	8801	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n5539b-1/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 17.1 v							19 v	100オーム
jan1n5553us	9.9900	RFQ	9015	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/420	バルク	アクティブ				表面マウント	sq-melf e	1N5553	標準		D-5B	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns		800 V		1.3 V @ 9 a	2 µs	1 µA @ 800 V	-65°C〜175°C	3a	-
1N6843CCU3	147.3150	RFQ	3470	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ				表面マウント	3-SMD 、リードなし	1N6843	ショットキー		u3（md-0.5）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	100 V	15a	1.03 V @ 15 a		10 µA @ 100 V	-65°C〜150°C
2N4235L	40.7850	RFQ	5265	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶			1 W	to-39	-			影響を受けていない	150-2N4235L	ear99	8541.29.0095	1											60 V	1 a	1ma			PNP	600MV @ 100MA、1A	40 @ 100MA、1V	-
jantxv1n3993ra	-	RFQ	9786	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/124	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		スタッドマウント	do-203aa			10 W	do-213aa	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 a		100 µA @ 500 mV							3.9 v	2オーム
jansl2n3500l	41.5800	RFQ	5711	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/366	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		穴を通して	to-205aa、to-5-3			1 W	to-5aa	-			影響を受けていない	150-jansl2n3500l			1											150 v	300 Ma	10µa（icbo）			npn	400MV @ 15MA、150MA	40 @ 150ma 、10V	-
JANTX1N5283UR-1	38.7600	RFQ	5241	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/463	バルク	アクティブ		-65°C〜175°C	-	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	1N5283		500MW	do-213ab	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	1																				100V	242µA	1V

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²