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離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
Jan1N4131-1	-	RFQ	6633	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	sicで中止されました	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸				do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1															1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 57 v							75 v	700オーム
1 PMT5952CE3/TR7	0.7350	RFQ	4969	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-216AA	1PMT5952		3 W	DO-216AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000															1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 98.8 v							130 v	450オーム
jantxv1n3035b-1	11.8800	RFQ	8041	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	バルク	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N3035		1 W	DO-41	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1															1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 32.7 v							43 v	70オーム
UTR40	9.2550	RFQ	1439	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			穴を通して	A 、軸		標準		A 、軸	-			影響を受けていない	150-UTR40	ear99	8541.10.0070	1		高速回復= <500ns												400 V	1.1 V @ 200 mA	350 ns	3 µA @ 400 v	-65°C〜175°C	500mA	60pf @ 0V、1MHz
jansr2n2219	114.6304	RFQ	9159	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/251	バルク	アクティブ		-55°C〜200°C （TJ	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶	2N2219		800 MW	to-39	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																					50 v	800 Ma	10na			npn	1.6V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
jantxv1n4110dur-1	36.3450	RFQ	4054	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N4110		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1															1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 12.2 v							16 v	100オーム
1N7054UR-1	9.3000	RFQ	2000	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	1N7054		250 MW	do-213ab	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																								4.8 v	35オーム
Jan2N3867	-	RFQ	4325	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/350	バルク	sicで中止されました		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3			1 W	to-5	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																					40 v	3 Ma	100µa（icbo）			PNP	1.5V @ 250MA 、2.5a	40 @ 1.5a 、2V	-
Jan2N6547	46.3004	RFQ	7788	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/525	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-204aa、to-3	2N6547		175 w	to-204aa	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																					400 V	15 a	-			npn	5V @ 3a 、15a	12 @ 5a 、2V	-
CDLL3026B	15.3000	RFQ	8373	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL3026		1 W	DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1															1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 13.7 v							18 v	20オーム
1N6492	46.9800	RFQ	8702	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/567	バルク	アクティブ			穴を通して	To-205af Metal Can	1N6492	ショットキー		to-205af（to-39）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1		高速回復= <500ns												45 v	680 mV @ 4 a		2 MA @ 45 v	-65°C〜175°C	3.6a	450pf @ 5V、1MHz
jantxv2n2484ua	21.6524	RFQ	2813	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/376	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	4-SMD 、リードなし	2N2484		360 MW	ua	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																					60 V	50 Ma	2NA			npn	300MV @ 100µA、1MA	225 @ 10MA 、5V	-
jantx1n4993	14.2500	RFQ	8050	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	E 、軸	1N4993		5 W	E 、軸	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1															1.5 V @ 1 a		2 µA @ 228 v							300 V	950オーム
jantxv1n4617cur-1	30.5400	RFQ	3624	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-			影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1															1.1 V @ 200 mA		1 µA @ 1 V							2.4 v	1400オーム
DN2450N8-G	0.9000	RFQ	7332	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-243AA	DN2450	モスフェット（金属酸化物）		TO-243AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,000			nチャネル	500 V	230MA （TJ）	0V	10ohm @ 300ma 、0V	-		±20V	200 pf @ 25 v	枯渇モード	1.6W
jan1n4125c-1	10.5000	RFQ	3210	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N4125			do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1															1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 35.8 v							47 v	250オーム
jans1n4975us	92.0400	RFQ	3103	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf e			5 W	D-5B	-			影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1															1.5 V @ 1 a		2 µA @ 38.8 v							51 v	27オーム
APTM60H23FT1G	67.4700	RFQ	7605	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP1	APTM60	モスフェット（金属酸化物）	208W	SP1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	4 nチャネル（ハーフブリッジ）			600V	20a		276mohm @ 17a 、10V	5V @ 1MA	165NC @ 10V		5316pf @ 25V	-
1N4052	158.8200	RFQ	4392	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-205ab、do-9 、スタッド		標準		do-205ab（do-9）	ダウンロード			影響を受けていない	150-1N4052	ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns												600 V	1.3 V @ 300 a		75 µA @ 600 v	-65°C〜190°C	275a	-
CDS5542B-1	-	RFQ	8268	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ									-			影響を受けていない	150-CDS5542B-1	ear99	8541.10.0050	50
1N2831a	94.8900	RFQ	6321	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	穴を通して	To-204ad	1N2831		50 W	TO-204AD（to-3）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1															1.5 V @ 10 a		10 µA @ 38.8 v							51 v	5.2オーム
jantxv1n5523bur-1	19.3500	RFQ	6115	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N5523		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1															1.1 V @ 200 mA		2 µA @ 2.5 v							5.1 v	26オーム
1N752	2.1600	RFQ	5243	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C（タタ	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			400 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード			影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1															1.1 V @ 200 mA		1 µA @ 1 V							5.6 v	11オーム
SMBJ5344CE3/TR13	1.0800	RFQ	4640	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMBJ5344		5 W	smbj（ do-214aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000															1.2 V @ 1 a		10 µA @ 5.9 v							8.2 v	1.5オーム
Jan2N3439	12.4355	RFQ	1375	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/368	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶	2N3439		800 MW	to-39	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																					350 V	1 a	2µA			npn	500MV @ 4MA 、50MA	40 @ 20MA 、10V	-
CD5252B	1.4497	RFQ	8567	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	死ぬ			500 MW	死ぬ	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-CD5252B	ear99	8541.10.0050	1															1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 18 V							24 v	33オーム
1N4572a	6.5250	RFQ	9884	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C（タタ	穴を通して	DO-204AA			500 MW	DO-7	ダウンロード			影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																	2 µA @ 3 V							6.4 v	100オーム
Jan1n4118cur-1/tr	19.9367	RFQ	1193	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）				DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n4118cur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1															1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 20.5 v							27 v	150オーム
CDLL4487	9.2550	RFQ	6879	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL4487		1.5 w	DO-213AB	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1															1 V @ 200 mA		250 na @ 65.6 v							82 v	160オーム
jan1n5541dur-1/tr	32.1993	RFQ	2138	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n5541dur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1															1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 19.8 v							22 v	100オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²