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離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	アプリケーション	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	電圧 -アノード -カソード（ vak ）（最大）	レギュレータ電流（最大）	電圧 -制限（最大）
MSASC75W60FV/TR	-	RFQ	3675	マイクロチップテクノロジー	*	テープ＆リール（ tr）	アクティブ										-			影響を受けていない	150-MSASC75W60FV/TR			100
jans1n4471us	-	RFQ	5269	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	sicで中止されました	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	sq-melf、a			1.5 w	D-5a	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1															1.5 V @ 1 a		50 Na @ 14.4 v							18 v	11オーム
jans1n4488d	343.5150	RFQ	2814	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		穴を通して	DO-204AL 、DO041、軸			1.5 w	DO-41	-			影響を受けていない	150-jans1n4488d	ear99	8541.10.0050	1															1.5 V @ 1 a		250 Na @ 72.8 v							91 v	200オーム
1N4561A	74.3550	RFQ	5670	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C		穴を通して	to-204aa、to-3	1N4561		50 W	TO-204AD（to-3）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1															1.5 V @ 10 a		20 µA @ 1 V							5.6 v	0.12オーム
UFS315JE3/TR13	1.3200	RFQ	2737	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ				表面マウント	do-214ab 、mc	UFS315	標準		DO-214AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns												150 v	950 mv @ 3 a	30 ns	10 µA @ 150 v	-55°C〜175°C	3a	-
jantxv1n4110d-1/tr	25.8153	RFQ	8408	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n4110d-1/tr	ear99	8541.10.0050	1															1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 12.2 v							16 v	100オーム
SBR8220	148.2150	RFQ	7275	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ										-			影響を受けていない	150-SBR8220			1
MBR6045PTE3/TU	2.0100	RFQ	3757	マイクロチップテクノロジー	*	チューブ	アクティブ						MBR6045				-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,000
1N5342BE3/TR8	2.6850	RFQ	9556	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C		穴を通して	T-18 、軸	1N5342		5 W	T-18	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,000															1.2 V @ 1 a		10 µA @ 4.9 v							6.8 v	1オーム
jantxv2n3498u4	-	RFQ	5324	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/366	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		表面マウント	3-SMD 、リードなし			1 W	U4	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																					100 V	500 Ma	50na（icbo）			npn	600MV @ 30MA、300MA	40 @ 150ma 、10V	-
Jan1n992dur-1	-	RFQ	7023	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1															1.3 V @ 200 mA		500 NA @ 152 v							200 v	2500オーム
1N4108D-1	6.6150	RFQ	3793	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード			影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1															1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 10.7 v							14 v	200オーム
1N3017B-1	8.1900	RFQ	9971	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C		穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N3017		1 W	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1															1.2 V @ 200 mA		100 µA @ 5.7 v							7.5 v	4オーム
jan1n4496c	24.3600	RFQ	4288	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C		穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4496		1.5 w	DO-41	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1															1 V @ 200 mA		250 na @ 160 v							200 v	1500オーム
1N5233DUR-1/TR	7.3200	RFQ	4793	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		表面マウント	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-					ear99	8541.10.0050	132															1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 3.5 v							6 v	7オーム
R4320TS	102.2400	RFQ	9922	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ				スタッドマウント	DO-205AA		標準		do-205aa	-			影響を受けていない	150-R4320TS	ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns												200 v	1.1 V @ 200 a		50 µA @ 200 V	-65°C〜200°C	150a	-
HSM140GE3/TR13	1.0650	RFQ	7025	マイクロチップテクノロジー	*	テープ＆リール（ tr）	アクティブ						HSM140				-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000
jantxv1n4465c	30.7500	RFQ	8384	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C		穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4465		1.5 w	DO-41	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1															1 V @ 200 mA		300 na @ 8 v							10 v	5オーム
jantxv1n3041c-1	38.0400	RFQ	2541	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	バルク	アクティブ	±2％	-55°C〜175°C		穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N3041		1 W	DO-41	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1															1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 56 v							75 v	175オーム
MSCSM120HM50CT3AG	181.3700	RFQ	4076	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ		-40°C〜175°C		シャーシマウント	モジュール	MSCSM120	炭化シリコン（原文）	245W	SP3F	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	150-MSCSM120HM50CT3AG	ear99	8541.29.0095	1	4 nチャネル			1200V（1.2kv）	55a（tc）		50mohm @ 40a 、20V	2.7V @ 1MA	137NC @ 20V		1990pf @ 1000V	-
1N824E3	3.9150	RFQ	4807	マイクロチップテクノロジー	-	バッグ	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		穴を通して	DO-204AA	1N824		500 MW	DO-7	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	1N824E3MS	ear99	8541.10.0050	1																	2 µA @ 3 V							5.9 v	15オーム
cdll5314/tr	25.2900	RFQ	3834	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜175°C	-	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	CDLL53		500MW	do-213ab	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-cdll5314/tr	ear99	8541.10.0050	1																														100V	5.17MA	2.9V
jantx2n2222a	2.7300	RFQ	3434	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/255	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		穴を通して	to-206aa	2N2222		500 MW	TO-218	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																					50 v	800 Ma	50NA			npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
Jan1n755d-1/tr	5.8919	RFQ	9533	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/127	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n755d-1/tr	ear99	8541.10.0050	1															1.1 V @ 200 mA		2 µA @ 5 V							7.5 v	6オーム
APT34N80LC3G	10.7600	RFQ	8135	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C		穴を通して	TO-264-3、TO-264AA	APT34N80	モスフェット（金属酸化物）		to-264 [l]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1			nチャネル	800 V	34a（tc）	10V	145mohm @ 22a 、10V	3.9V @ 2MA	355 NC @ 10 V	±20V	4510 PF @ 25 V	-	417W
Jan1n3044cur-1	32.5950	RFQ	9577	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	バルク	アクティブ	±2％	-55°C〜175°C		表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	1N3044		1 W	do-213ab	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1															1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 76 v							100 V	350オーム
Jan1n3822d-1	21.7350	RFQ	4943	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N3822		1 W	DO-41	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1															1.2 V @ 200 mA		75 µA @ 1 V							3.6 v	10オーム
jantxv1n4984cus/tr	41.0400	RFQ	7244	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/356	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C		表面マウント	sq-melf b			5 W	e-melf	-				150-jantxv1n4984cus/tr	ear99	8541.10.0050	100															1.5 V @ 1 a		2 µA @ 91.2 v							120 v	170オーム
jantxv1n3031b-1	11.8800	RFQ	9611	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	バルク	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C		穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N3031		1 W	DO-41	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1															1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 22.8 v							30 V	40オーム
jantxv1n5534bur-1/tr	17.2900	RFQ	2834	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n5534bur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1															1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 12.6 v							14 v	100オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²