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離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	アプリケーション	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	現在 -マックス	電力散逸（最大）	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	入力容量（ cies @ vce	@ @ if、f	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	電圧 -アノード -カソード（ vak ）（最大）	レギュレータ電流（最大）	電圧 -制限（最大）
1N4574-1	29.3250	RFQ	7148	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±1％	0°C〜75°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N4574		500 MW		do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V												6.4 v	100オーム
cdll5532b/tr	5.9052	RFQ	8753	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	do-213ab 、メルフ			500 MW		DO-213AB	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-cdll5532b/tr	ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA	50 Na @ 10.8 v												12 v	90オーム
jan1n3825dur-1	44.4150	RFQ	4178	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	1N3825		1 W		do-213ab	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.2 V @ 200 mA	5 µA @ 1 V												4.7 v	8オーム
jantx1n5521d-1/tr	18.5535	RFQ	8440	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW		do-35 （do-204ah）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n5521d-1/tr	ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA	3 µA @ 1.5 v												4.3 v	18オーム
1N4618UR-1/TR	3.2718	RFQ	8804	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C（タタ		表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW		DO-213AA	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N4618UR-1/TR	ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA	500 NA @ 1 V												2.7 v	1.5オーム
CD4730A	1.8354	RFQ	8543	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	死ぬ			1 W		死ぬ	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-CD4730A	ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 200 mA	100 µA @ 1 V												3.9 v	9オーム
1N5357E3/TR8	2.6250	RFQ	3884	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±20％	-65°C〜150°C		穴を通して	T-18 、軸	1N5357		5 W		T-18	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,000						1.2 V @ 1 a	500 NA @ 14.4 v												20 v	3オーム
SMBJ5368B/TR13	1.6650	RFQ	9311	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C		表面マウント	DO-214AA、SMB	SMBJ5368		5 W		smbj（ do-214aa）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000						1.2 V @ 1 a	500 NA @ 33.8 v												47 v	25オーム
jantxv1n4120ur-1	-	RFQ	4967	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	sicで中止されました	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW		DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA	10 Na @ 22.8 v												30 V	200オーム
LSM160GE3/TR13	0.6450	RFQ	3545	マイクロチップテクノロジー	*	テープ＆リール（ tr）	アクティブ						LSM160					-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000
jantx2n222222222222222222222222222222	22.2110	RFQ	1127	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/255	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		表面マウント	4-SMD	2N2222		650 MW		4-SMD	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1												50 v	800 Ma				50NA						npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
jantx1n3036b-1/tr	9.0573	RFQ	7658	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C		穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸			1 W		DO-41	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n3036b-1/tr	ear99	8541.10.0050	1						1.2 V @ 200 mA	10 µA @ 35.8 v												47 v	80オーム
CDLL4902A	116.3400	RFQ	9943	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	DO-213AA	CDLL4902		500 MW		DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1							15 µA @ 8 V												12.8 v	200オーム
1n5288ur-1/tr	22.0050	RFQ	1821年年	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜175°C	-	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	1N5288		500MW		do-213ab	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N528888UR-1/TR	ear99	8541.10.0070	1																											100V	429µA	1.05V
MSASC150H15LX/TR	-	RFQ	4485	マイクロチップテクノロジー	*	テープ＆リール（ tr）	アクティブ											-			影響を受けていない	150-MSASC150H15LX/TR			100
1N4743AP/TR8	1.8900	RFQ	3127	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C		穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4743		1 W		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500						1.2 V @ 200 mA	5 µA @ 9.9 v												13 v	10オーム
Jan1N4488	-	RFQ	4311	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	バルク	sicで中止されました	±5％	-65°C〜175°C		穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸			1.5 w		DO-41	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1 V @ 200 mA	250 Na @ 72.8 v												91 v	200オーム
jantxv1n5195/tr	-	RFQ	5663	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/118	テープ＆リール（ tr）	アクティブ				穴を通して	do-204ah do-35 、軸		標準			do-35 （do-204ah）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n5195/tr	ear99	8541.10.0070	1		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度			180 v	1 V @ 100 MA	1 µA @ 200 v	-65°C〜175°C	200mA	-
aptgt100tdu60pg	193.9500	RFQ	8047	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜175°C		シャーシマウント	SP6	aptgt100		340 w	標準	SP6-P	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	トリプル、デュアル -共通のソース										トレンチフィールドストップ	600 V	150 a	1.9V @ 15V 、100A			250 µA	いいえ			6.1 nf @ 25 v
cdll5228b/tr	2.7132	RFQ	8996	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	do-213ab 、メルフ			10 MW		DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-cdll5228b/tr	ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA	10 µA @ 1 V												3.9 v	23オーム
90024-04TXV	-	RFQ	7664	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-		穴を通して	to-204aa、to-3					to-3	-	ROHS非準拠		影響を受けていない			0000.00.0000	1																	-						-	-	-	-
jantxv2n5664p	40.7512	RFQ	8213	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/455	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		穴を通して	TO-213AA、to-66-2			2.5 W		to-66（to-213aa	-			影響を受けていない	150-jantxv2n5664p			1												200 v	5 a				200na						npn	400MV @ 300MA、3a	40 @ 1a 、5V	-
1N2135ra	74.5200	RFQ	8843	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ				スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド		標準、逆極性			do-5（do-203ab）	ダウンロード			影響を受けていない	150-1N2135ra	ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns			400 V	1.25 V @ 200 a	25 µA @ 400 V	-65°C〜200°C	70a	-
MG1025-M16	-	RFQ	3975	マイクロチップテクノロジー	-	バッグ	アクティブ		-			スタッド	MG1025				-	-			影響を受けていない	150-MG1025-M16	ear99	8541.10.0060	1			1 a	20 MW						-					ピン -シングル	4.5V						-
Jan1n3036bur-1	12.7350	RFQ	5463	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	バルク	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C		表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	1N3036		1 W		do-213ab	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.2 V @ 200 mA	10 µA @ 35.8 v												47 v	80オーム
JAN2N3764U4	-	RFQ	5204	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/396	バルク	アクティブ		-55°C〜200°C （TJ		表面マウント	3-SMD 、リードなし			500 MW		U4	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1												40 v	1.5 a				10µa（icbo）						PNP	900mv @ 100ma、1a	30 @ 1a 、1.5V	-
2N5301	58.2407	RFQ	1007	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ						2N5301					-	ROHS非準拠		影響を受けていない	2N5301ms	ear99	8541.29.0095	1
1N728A	1.9200	RFQ	7885	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-		穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N728		250 MW		DO-35	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																			39 v	70オーム
jan1n4622-1/tr	3.4580	RFQ	7910	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW		do-35 （do-204ah）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n4622-1/tr	ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA	2.5 µA @ 2 V												3.9 v	1650オーム
jan1n7053-1/tr	7.8000	RFQ	8695	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-		穴を通して	do-204ah do-35 、軸			250 MW		do-35 （do-204ah）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n7053-1/tr	ear99	8541.10.0050	1							5 µA @ 1.5 v												4.8 v	35オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²