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離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	アプリケーション	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	フェットタイプ	現在-hold（ihmax）	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧 -状態外	電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大）	現在 -非担当者サージ50、60Hz	現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大）	現在 -State	scrタイプ	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	現在 - @ vr	容量 @ vr、f	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	静電容量比	静電容量比条件	Q @ vr、f	電圧 -アノード -カソード（ vak ）（最大）	レギュレータ電流（最大）	電圧 -制限（最大）
jans2n3735l	89.9200	RFQ	9108	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/395	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		穴を通して	to-205aa、to-5-3			1 W	to-5	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-Jans2N3735L	ear99	8541.29.0095	1																						40 v	1.5 a			200na			npn	900mv @ 100ma、1a	40 @ 500MA、1V	-
MNS2N3700UB	13.6500	RFQ	7346	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/391	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		表面マウント	3-SMD 、リードなし			500 MW	ub	-			影響を受けていない	150-MNS2N3700UB			1																						80 v	1 a			10na			npn	500MV @ 50MA 、500MA	100 @ 150ma 、10V	-
1N827AUR-1	10.2900	RFQ	3240	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C		表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N827		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																				2 µA @ 3 V							6.2 v	10オーム
jantx1n971c-1/tr	5.8121	RFQ	9291	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n971c-1/tr	ear99	8541.10.0050	1																			1.1 V @ 200 mA	500 NA @ 21 V							27 v	41オーム
Jan1n4568a-1/tr	6.1500	RFQ	9374	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n4568a-1/tr	ear99	8541.10.0050	1																				2 µA @ 3 V							6.4 v	200オーム
jantxv1n5525b-1/tr	8.2327	RFQ	5492	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n5525b-1/tr	ear99	8541.10.0050	1																			1.1 V @ 200 mA	1 µA @ 5 V							6.2 v	30オーム
Jan1n6333	9.9000	RFQ	8532	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N6333		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																			1.4 V @ 1 a	50 Na @ 18 V							24 v	24オーム
jantx1n4967dus/tr	30.9000	RFQ	7713	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/356	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		表面マウント	sq-melf b			5 W	e-melf	-				150-jantx1n4967dus/tr	ear99	8541.10.0050	100																			1.5 V @ 1 a	2 µA @ 18.2 v							24 v	5オーム
jantxv1n4127dur-1	36.0000	RFQ	9163	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N4127		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																			1.1 V @ 200 mA	10 Na @ 42.6 v							56 v	300オーム
jantx1n6332	-	RFQ	3696	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	sicで中止されました	±5％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																			1.4 V @ 1 a	50 Na @ 17 V							22 v	20オーム
jantx1n967cur-1/tr	11.0390	RFQ	4408	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n967cur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1																			1.1 V @ 200 mA	500 NA @ 14 V							18 v	21オーム
KV38S2	-	RFQ	9379	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-		-	-				-	-			影響を受けていない	150-KV38S2	ear99	8541.10.0070	1																					-			シングル	30 V								11	C11/C1	-
jantx1n4110c-1/tr	13.7788	RFQ	3534	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n4110c-1/tr	ear99	8541.10.0050	1																			1.1 V @ 200 mA	50 Na @ 12.2 v							16 v	100オーム
jantx1n3037c-1	25.5600	RFQ	7302	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	バルク	アクティブ	±2％	-55°C〜175°C		穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N3037		1 W	DO-41	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																			1.2 V @ 200 mA	10 µA @ 38.8 v							51 v	95オーム
1N5537B	3.0900	RFQ	7926	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5537		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																			1.1 V @ 200 mA	10 Na @ 15.3 v							17 v	104オーム
CD4777	18.4950	RFQ	9505	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	死ぬ				死ぬ	-			影響を受けていない	150-CD4777	ear99	8541.10.0050	1																											8.5 v	350オーム
CDLL4756A	3.6150	RFQ	5336	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL4756			DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																			1.2 V @ 200 mA	100 Na @ 35.8 v							47 v	80オーム
jantx1n2971b	-	RFQ	5317	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/124	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		スタッドマウント	do-203aa			10 W	do-213aa	-			影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																			1.5 V @ 2 a	100 µA @ 5.7 v							7.5 v	1.3オーム
JANTX2N2328AS	-	RFQ	5440	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/276	バルク	廃止		-65°C〜125°C		穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶				to-39	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	100		2 Ma											300 V	600 mv	-	20 µA	220 Ma	敏感なゲート
2C6045	26.8050	RFQ	6258	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ										-			影響を受けていない	150-2C6045			1
JANTX2N3791	48.4700	RFQ	8255	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/379	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		穴を通して	to-204aa、to-3	2N3791		5 W	to-3	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																						60 V	10 a			5MA			PNP	2.5V @ 2a 、10a	50 @ 1a 、2V	-
APT5014SLLG	15.9500	RFQ	5598	マイクロチップテクノロジー	PowerMos7®	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C		表面マウント	TO-268-3	APT5014	モスフェット（金属酸化物）		d3 [s]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	nチャネル		500 V	35a（tc）	10V	140mohm @ 17.5a 、10V	5V @ 1MA	72 NC @ 10 V	±30V	3261 PF @ 25 V	-	403W
jans1n6347cus	527.5650	RFQ	8974	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C		表面マウント	sq-melf b			500 MW	B、sq-melf	-			影響を受けていない	150-jans1n6347cus	ear99	8541.10.0050	1																			1.4 V @ 1 a	50 Na @ 69 v							91 v	270オーム
janhca1n5314	-	RFQ	7147	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/463	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜175°C	-	穴を通して	DO-204AA			500MW	DO-7	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-janhca1n5314	ear99	8541.10.0070	1																																				100V	5.17MA	2.9V
jan2n3250aub/tr	-	RFQ	4998	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/323	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		表面マウント	4-SMD 、リードなし	2N3250		360 MW	ub	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-JAN2N3250AUB/TR	ear99	8541.21.0095	1																						60 V	200 ma			10µa（icbo）			PNP	500MV @ 5MA 、50mA	50 @ 10ma、1V	-
1 PMT4625/TR13	-	RFQ	6419	マイクロチップテクノロジー	PowerMite®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C		表面マウント	DO-216AA	1PMT4625		1 W	DO-216	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,000																			1.1 V @ 200 mA	10 µA @ 3 V							5.1 v	1500オーム
2N6050	54.2700	RFQ	5570	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		穴を通して	to-204aa、to-3			150 W	to-204aa	-			影響を受けていない	150-2N6050	ear99	8541.29.0095	1																						60 V	12 a			1ma			pnp-ダーリントン	2V @ 24MA 、6a	750 @ 6a、3V	-
2N3676	30.6450	RFQ	6727	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		穴を通して	to-205aa、to-5-3			8 W	to-5aa	-			影響を受けていない	150-2N3676	ear99	8541.29.0095	1																						90 v	3 a			-			npn	800mv @ 100µa、1ma	-	-
CDLL256	28.3200	RFQ	4388	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜175°C	-	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	CDLL25		500MW	do-213ab	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																																				50V	10.01ma	6.55V
jantxv1n6339	14.6700	RFQ	4450	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N6339		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																			1.4 V @ 1 a	50 Na @ 33 v							43 v	65オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²