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離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	アプリケーション	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	電圧 -アノード -カソード（ vak ）（最大）	レギュレータ電流（最大）	電圧 -制限（最大）
1N4583	8.9400	RFQ	5711	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		穴を通して	DO-204AA			500 MW		DO-7	ダウンロード			影響を受けていない	150-1N4583	ear99	8541.10.0050	1																			2 µA @ 3 V										6.4 v	25オーム
1N3890	47.0100	RFQ	8506	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/304	バルク	アクティブ				スタッドマウント	do-203aa	1N3890	標準			do-203aa	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない	1N3890ms	ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns													100 V		1.5 V @ 38 a	200 ns	10 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	12a	-
JANTX2N3507L	14.1113	RFQ	7421	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/349	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		穴を通して	to-205aa、to-5-3	2N3507		1 W		to-5	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																								50 v	3 a		-					npn	1.5V @ 250MA 、2.5a	30 @ 1.5a 、2V	-
MIC94052BC6-TR	-	RFQ	2450	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました		-40°C〜150°C （TJ		表面マウント	6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363	MIC94052	モスフェット（金属酸化物）			SC-70-6	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000			pチャネル	6 v	2a（ta）	1.8V 、4.5V	84mohm @ 100ma 、4.5v	1.2V @ 250µA		6V		-	270MW
jan1n5620us	8.2800	RFQ	3462	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/427	バルク	アクティブ				表面マウント	sq-melf、a	1N5620	標準			D-5a	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns													800 V		1.3 V @ 3 a	2 µs	500 NA @ 800 V	-65°C〜200°C	1a	-
JANTX2N5796A	120.3406	RFQ	9483	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/496	バルク	アクティブ		-65°C〜175°C		穴を通して	to-78-6金属缶	2N5796		600MW		to-78-6	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																								60V	600MA		10µa（icbo）					2 PNP （デュアル）	1.6V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
Jan1n5303-1	31.5150	RFQ	8776	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/463	バルク	アクティブ		-65°C〜175°C	-	穴を通して	DO-204AA	1N5303		500MW		DO-7	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	1																																				100V	1.76ma	1.65V
jantxv1n4989us	21.2100	RFQ	6240	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	sq-melf e	1N4989		5 W		D-5B	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																	1.5 V @ 1 a		2 µA @ 152 v										200 v	500オーム
1N6000B	2.0700	RFQ	2062	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N6000		500 MW		DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	1N6000BMS	ear99	8541.10.0050	1																	1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 8 V										10 v	15オーム
TN0104N3-G-P014	0.9800	RFQ	8233	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ		-55°C〜150°C		穴を通して	TO-226-3	TN0104	モスフェット（金属酸化物）			to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,000			nチャネル	40 v	450ma（ta）	3V、10V	1.8OHM @ 1A 、10V	1.6V @ 500µA		±20V	70 pf @ 20 v	-	1W （TC）
LSM845G/TR13	1.9500	RFQ	7847	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ				表面マウント	do-215ab 、mcガルウィング	LSM845	ショットキー			DO-215AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns													45 v		520 mV @ 8 a		2 MA @ 45 v	-55°C〜150°C	8a	-
jantxv2n7370	-	RFQ	4350	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/624	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		穴を通して	TO-254-3			100 W		TO-254AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																								100 V	12 a		1ma					npn-ダーリントン	3V @ 120ma 、12a	1000 @ 6a、3V	-
APTGF90A60T1G	-	RFQ	2744	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	廃止		-		シャーシマウント	SP1			416 w	標準	SP1	ダウンロード		1 （無制限）			ear99	8541.29.0095	1	ハーフブリッジ																						npt	600 V	110 a	2.5V @ 15V、90a	250 µA	はい			4.3 nf @ 25 v
jantx1n2835rb	-	RFQ	5560	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		穴を通して	To-204ad	1N2835		10 W		TO-204AD（to-3）	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																	1.5 V @ 2 a		10 µA @ 56 v										75 v	9オーム
2N3501UB/TR	17.1703	RFQ	5312	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/366	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		表面マウント	3-SMD 、リードなし			500 MW		ub	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-2N3501UB/TR	ear99	8541.21.0095	1																								150 v	300 Ma		10µa（icbo）					npn	400MV @ 15MA、150MA	100 @ 150ma 、10V	-
2N3019p	22.6500	RFQ	4050	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		穴を通して	to-205aa、to-5-3			800 MW		to-5aa	-			影響を受けていない	150-2N3019p	ear99	8541.21.0095	1																								80 v	1 a		10na					npn	500MV @ 50MA 、500MA	100 @ 150ma 、10V	-
HSM880J/TR13	2.2950	RFQ	2510	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ				表面マウント	do-214ab 、mc	HSM880	ショットキー			DO-214AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns													80 v		780 mV @ 8 a		500 µA @ 80 V	-55°C〜175°C	8a	-
1 PMT4120CE3/TR13	0.4950	RFQ	8504	マイクロチップテクノロジー	PowerMite®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C		表面マウント	DO-216AA	1PMT4120		1 W		DO-216	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,000																	1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 22.8 v										30 V	200オーム
1N4743CP/TR12	2.2800	RFQ	2733	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C		穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4743		1 W		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	4,000																	1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 9.9 v										13 v	10オーム
jantx1n6910utk2cs	-	RFQ	5932	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/723	バルク	アクティブ				表面マウント	Thinkey™2		ショットキー			Thinkey™2	-			影響を受けていない	150-jantx1n6910utk2cs	ear99	8541.10.0080	100		高速回復= <500ns													15 V		520 mV @ 25 a		1.2 mA @ 15 v	-65°C〜150°C	25a	2000pf @ 5V、1MHz
jantxv1n5520b-1	9.1200	RFQ	3841	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5520		500 MW		do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																	1.1 V @ 200 mA		1 µA @ 1 V										3.9 v	22オーム
jans1n5418us	70.4400	RFQ	1173	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/411	バルク	アクティブ				表面マウント	sq-melf b		標準			B、sq-melf	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns													400 V		1.5 V @ 9 a	150 ns	1 µA @ 150 V	-65°C〜175°C	3a	-
1N5920AP/TR8	1.8600	RFQ	5222	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜150°C		穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N5920		1.5 w		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500																	1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 4 V										6.2 v	2オーム
CDLL4706	3.3000	RFQ	4614	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL4706		500 MW		DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																	1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 14.4 v										19 v
MSCSM170HM12CAG	996.2500	RFQ	15	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜175°C		シャーシマウント	モジュール	MSCSM170	炭化シリコン（原文）	843W		-	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	150-MSCSM170HM12CAG	ear99	8541.29.0095	1	4 nチャネル（フルブリッジ）			1700V（1.7kV）	179a（tc）		15mohm @ 90a 、20V	3.2V @ 7.5mA	534NC @ 20V		9900pf @ 1000V	-
UPR5/TR7	1.3350	RFQ	3403	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ				表面マウント	DO-216AA	UPR5	標準			DO-216	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns													50 v		975 mV @ 2 a	25 ns	2 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	2.5a	-
jantx1n6343	12.4350	RFQ	6595	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		穴を通して	b 、軸	1N6343		500 MW		b 、軸	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																	1.4 V @ 1 a		50 Na @ 47 v										62 v	125オーム
jantx1n749cur-1	12.0600	RFQ	2119	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/127	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C		表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N749		500 MW		DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																	1.1 V @ 200 mA		2 µA @ 1 V										4.3 v	22オーム
APT2X30D100J	24.9600	RFQ	6944	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ				シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	Apt2x30	標準			ISOTOP®	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns												2独立	1000 V	28a	2.3 V @ 30 a	290 ns	250 µA @ 1000 V	-55°C〜175°C
1N5944C	6.7950	RFQ	2222	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C		穴を通して	DO-204AL 、DO041、軸	1N5944		1.25 w		DO-41	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																	1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 47.1 v										62 v	100オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²