画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | 入力 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | フェットタイプ | 現在-hold(ihmax) | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | 電圧 -状態外 | 電圧 -ゲートトリガー( vgt )(最大) | 現在 -非担当者サージ50、60Hz | 現在 -ゲートトリガー( Igt )(最大) | 現在 -State | scrタイプ | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | IGBTタイプ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | vce(on max) @ vge | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | NTCサーミスタ | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | 入力容量( cies @ vce | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Jan1n3016b-1/tr | 8.3524 | ![]() | 4032 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n3016b-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 150 µA @ 5.2 v | 6.8 v | 3.5オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1n3828c-1/tr | 15.5078 | ![]() | 8383 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | DO-41 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n3828c-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 3 µA @ 3 V | 6.2 v | 2オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jan1n5416us/tr | 11.2050 | ![]() | 3955 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/411 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | b 、軸 | 標準 | b 、軸 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n5416us/tr | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1.5 V @ 9 a | 150 ns | 1 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 3a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
jan1n4991dus | 174.2250 | ![]() | 2976 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf e | 5 W | D-5B | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 182 v | 240 v | 650オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2C2369A | 4.6949 | ![]() | 8219 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-2C2369A | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HSM130G/TR13 | 1.6800 | ![]() | 6241 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | テープ&リール( tr) | アクティブ | HSM130 | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSCGLQ50A120CTBL1NG | 119.8600 | ![]() | 7827 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | シャーシマウント | モジュール | mscglq | 375 w | 標準 | - | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 150-MSCGLQ50A120CTBL1NG | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ハーフブリッジ | - | 1200 v | 110 a | 2.4V @ 15V 、50a | 25 µA | はい | 2.77 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
jantx1n3027d-1 | 27.4500 | ![]() | 2257 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | バルク | アクティブ | ±1% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N3027 | 1 W | DO-41 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 15.2 v | 20 v | 22オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR6045PTE3/TU | 2.0100 | ![]() | 3757 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | チューブ | アクティブ | MBR6045 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
jantx1n5521c-1 | 16.6200 | ![]() | 9309 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5521 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 3 µA @ 1.5 v | 4.3 v | 18オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N2329 | - | ![]() | 8069 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | 廃止 | -65°C〜125°C | 穴を通して | to-205aa、to-5-3 | to-5 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.30.0080 | 1 | 2 Ma | 400 V | 800 mv | - | 200 µA | 220 Ma | 敏感なゲート | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N1186R | 74.5200 | ![]() | 9293 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N1186 | 標準、逆極性 | do-203ab(do-5) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | 1N1186RMS | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.4 V @ 110 a | 10 µA @ 200 v | -65°C〜175°C | 35a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R711x | 55.6500 | ![]() | 4890 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | to-204aa、to-3 | R711 | 標準 | TO-204AD(to-3) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1.4 V @ 15 a | 200 ns | 1 MA @ 100 V | -65°C〜150°C | 15a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5523B | 1.9050 | ![]() | 3472 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C(タタ | 穴を通して | DO-204AA | 500 MW | DO-7 | - | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 2 µA @ 2.5 v | 5.1 v | 26オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1 PMT4132CE3/TR7 | 0.4950 | ![]() | 7900 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | PowerMite® | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT4132 | 1 W | DO-216 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 62.32 v | 82 v | 250オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UZ7840 | 468.9900 | ![]() | 2867 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C | スタッドマウント | スタッド | 10 W | 軸 | - | 影響を受けていない | 150-UZ7840 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 28.8 v | 40 v | 15オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
jans1n5418us | 70.4400 | ![]() | 1173 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/411 | バルク | アクティブ | 表面マウント | sq-melf b | 標準 | B、sq-melf | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.5 V @ 9 a | 150 ns | 1 µA @ 150 V | -65°C〜175°C | 3a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jansr2n3439ua/tr | - | ![]() | 3876 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/368 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 4-SMD 、リードなし | 800 MW | ua | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jansr2n3439ua/tr | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 350 V | 2 µA | 2µA | npn | 500MV @ 4MA 、50MA | 40 @ 20MA 、10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1N4689-1E3/TR | 4.7700 | ![]() | 1239 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | 150-1N4689-1E3/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 198 | 1.1 V @ 200 mA | 10 µA @ 3 V | 5.1 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TP2522N8-G | 1.3900 | ![]() | 3537 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-243AA | TP2522 | モスフェット(金属酸化物) | TO-243AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | pチャネル | 220 v | 260ma | 4.5V 、10V | 12OHM @ 200MA 、10V | 2.4V @ 1MA | ±20V | 125 pf @ 25 v | - | 1.6W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv1n5532bur-1/tr | 17.2900 | ![]() | 9733 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n5532bur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 10.8 v | 12 v | 90オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JANTX1N3016D-1 | 31.9500 | ![]() | 9307 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | バルク | アクティブ | ±1% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N3016 | 1 W | DO-41 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 150 µA @ 5.2 v | 6.8 v | 3.5オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N3315a | 49.3800 | ![]() | 1390 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N3315 | 50 W | DO-5 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 a | 10 µA @ 12.2 v | 16 v | 1.6オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4557A | 74.3550 | ![]() | 8929 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C | 穴を通して | To-204ad | 1N4557 | 50 W | TO-204AD(to-3) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 a | 150 µA @ 500 mV | 3.9 v | 0.16オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jansd2n2369aub | 149.2002 | ![]() | 6857 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/317 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C | 表面マウント | 3-SMD 、リードなし | 400 MW | ub | - | 影響を受けていない | 150-Jansd2N2369Aub | 1 | 20 v | 400na | npn | 450mv @ 10ma 、100ma | 40 @ 10ma、1V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantx1n6345dus | 57.9000 | ![]() | 3137 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | - | 影響を受けていない | 150-jantx1n6345dus | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 56 v | 75 v | 180オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantx2n3700ub | 9.1000 | ![]() | 3437 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/391 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 3-SMD 、リードなし | 2N3700 | 500 MW | ub | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 80 v | 1 a | 10na | npn | 500MV @ 50MA 、500MA | 50 @ 500MA 、10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1n3671r | 56.9250 | ![]() | 2564 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | mil-prf-19500/260 | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203aa | 1N3671 | 標準、逆極性 | do-203aa | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.35 V @ 38 a | 5 µA @ 800 V | -65°C〜150°C | 12a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N6021C | 4.1550 | ![]() | 9398 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N6021 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 56 v | 75 v | 265オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jansm2n2369aub | 149.5006 | ![]() | 3267 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/317 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C | 表面マウント | 3-SMD 、リードなし | 400 MW | ub | - | 影響を受けていない | 150-JANSM2N2369AUB | 1 | 20 v | 400na | npn | 450mv @ 10ma 、100ma | 40 @ 10ma、1V | - |
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