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離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧 -破壊（ V	現在の - ドレイン（IDSS @ vds（vgs = 0）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	入力容量（ cies @ vce	抵抗-RDS （オン）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	静電容量比	静電容量比条件	Q @ vr、f
2N5611	43.0350	RFQ	4237	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-	穴を通して	TO-213AA、to-66-2			25 W		to-66（to-213aa	-			影響を受けていない	150-2N5611	ear99	8541.29.0095	1																						100 V	5 a						-						PNP	-	-	-
MQ2N4093	63.2947	RFQ	3131	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/431	バルク	アクティブ		-65°C〜175°C	穴を通して	to-206aa			360 MW		TO-18（to-206aa	-			影響を受けていない	150-MQ2N4093			1			nチャネル	40 v							16pf @ 20V																40 v	8 ma @ 20 v						80オーム
jantx1n4494	12.3300	RFQ	4299	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸			1.5 w		DO-41	-			影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1															1.5 V @ 1 a		250 na @ 128 v														160 v	1000オーム
GC1506-30	-	RFQ	5795	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-55°C〜125°C	スタッドマウント	スタッド					-	-			影響を受けていない	150-GC1506-30	ear99	8541.10.0060	1																				2.7pf @ 4V、1MHz					シングル	30 V													3.7	C0/C30	3300 @ 4V、50MHz
jan1n3823dur-1/tr	39.5143	RFQ	7265	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）			1 W		do-213ab	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n3823dur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1															1.2 V @ 200 mA		25 µA @ 1 V														3.9 v	9オーム
1N5281a/t r	3.4580	RFQ	8653	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	do-204ah do-35 、軸					do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N5281A/T R	ear99	8541.10.0050	1															1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 144 v
APTGT200DA120D3G	183.8100	RFQ	9223	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	D-3モジュール	aptgt200		1050 w	標準	D3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	シングル																				トレンチフィールドストップ	1200 v	300 a	2.1V @ 15V 、200A					6 Ma	いいえ			14 nf @ 25 v
1N4256SM	12.9000	RFQ	5945	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			表面マウント	sq-melf、 s		標準			s、sq-melf	ダウンロード			影響を受けていない	150-1N4256SM	ear99	8541.10.0070	1		標準回復> 500ns												2500 V	3.5 V @ 100 Ma		1 µA @ 2500 V	-65°C〜175°C	250ma	-
CDLL4760A/TR	3.2319	RFQ	2332	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ					DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-CDLL4760A/TR	ear99	8541.10.0050	1															1.2 V @ 200 mA		100 Na @ 51.7 v														68 v	150オーム
jantx1n5618us	9.0900	RFQ	9093	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/427	バルク	アクティブ			表面マウント	sq-melf、a	1N5618	標準			D-5a	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns												600 V	1.3 V @ 3 a	2 µs	500 NA @ 600 V	-65°C〜200°C	1a	-
jansr2n5154l	98.9702	RFQ	3319	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/544	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3			1 W		to-5aa	-			影響を受けていない	150-Jansr2N5154L			1																						80 v	2 a						50µA						npn	1.5V @ 500MA 、5a	70 @ 2.5a 、5V	-
jantxv1n4110cur-1	28.8000	RFQ	2667	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N4110		500 MW		DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1															1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 12.2 v														16 v	100オーム
cdll4148/tr	3.1654	RFQ	2319	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-213AA		標準			DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-cdll4148/tr	ear99	8541.10.0070	1		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度												75 v	1 V @ 200 mA	20 ns	500 NA @ 75 V	-65°C〜175°C	200mA	4PF @ 0V、1MHz
jantxv1n982bur-1	7.5600	RFQ	6420	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N982		500 MW		DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1															1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 56 v														75 v	270オーム
1N646-1	-	RFQ	5013	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	sicで中止されました			穴を通して	do-204ah do-35 、軸		標準			DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	1		標準回復> 500ns												300 V	1 V @ 400 Ma		50 Na @ 300 v	-65°C〜175°C	400mA	-
1N5740C	3.7200	RFQ	7626	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5740		500 MW		DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1															900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 10 V														15 V	30オーム
cdll979b/tr	2.7664	RFQ	7602	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ			500 MW		DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-CDLL979B/TR	ear99	8541.10.0050	1															1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 43 v														56 v	150オーム
jans1n4133c-1/tr	63.1902	RFQ	6043	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW		do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jans1n4133c-1/tr	ear99	8541.10.0050	1															1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 66.2 v														87 v	1オーム
jantx1n3037b-1/tr	9.0573	RFQ	4716	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸			1 W		DO-41	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n3037b-1/tr	ear99	8541.10.0050	1															1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 38.8 v														51 v	95オーム
jantxv1n990bur-1	-	RFQ	5777	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW		DO-213AA	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1															1.3 V @ 200 mA		500 NA @ 122 v														160 v	1700オーム
jantxv1n3044dur-1	56.9100	RFQ	4984	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	バルク	アクティブ	±1％	-55°C〜175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	1N3044		1 W		do-213ab	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1															1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 76 v														100 V	350オーム
1N4971USE3	8.3923	RFQ	7549	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf e			5 W		D-5B	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N4971USE3	ear99	8541.10.0050	1															1.5 V @ 1 a		2 µA @ 27.4 v														36 v	11オーム
MSCSM120AM03CT6LIAG	1.0000	RFQ	1	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ		-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	MSCSM120	炭化シリコン（原文）	3.215KW		sp6c li	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	150-MSCSM120AM03CT6LIAG	ear99	8541.29.0095	1	2 n チャネル（位相レッグ）			1200V（1.2kv）	805a		3.1mohm @ 400a 、20V	2.8V @ 10MA	2320NC @ 20V		30200pf @ 1kv	-
jans1n7051-1	153.1200	RFQ	1369	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ										-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1
CD6324	2.1014	RFQ	8166	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-	表面マウント	死ぬ					死ぬ	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-CD6324	ear99	8541.10.0050	1
2N5616	74.1300	RFQ	8759	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-	穴を通して	to-204aa、to-3			58 W		TO-204AD（to-3）	-			影響を受けていない	150-2N5616	ear99	8541.29.0095	1																						80 v	5 a						-						PNP	-	-	-
APT100GN120JDQ4	55.6400	RFQ	4345	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	APT100		446 w	標準	ISOTOP®	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	シングル																				トレンチフィールドストップ	1200 v	153 a	2.1V @ 15V 、100A					200 µA	いいえ			6.5 nf @ 25 v
MNS2N3637UB	12.1900	RFQ	6676	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ										-			影響を受けていない	150-MNS2N3637UB			1
1N1346AR	38.3850	RFQ	6287	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-203aa		標準			DO-4 （DO-203AA）	ダウンロード			影響を受けていない	150-1N1346AR	ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns												400 V	1.3 V @ 30 a		10 µA @ 400 V	-65°C〜200°C	16a	-
MSC015SMA070B	35.7600	RFQ	1898年年	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜175°C	穴を通して	TO-247-3	MSC015	sicfet （炭化シリコン）			TO-247-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	691-MSC015SMA070B	ear99	8541.29.0095	30			nチャネル	700 V	131a（tc）	20V	19mohm @ 40a 、20V	2.4V @ 1MA	215 NC @ 20 V	+25V、-10V	4500 PF @ 700 V	-	400W （TC）

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²