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離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	現在 -非担当者サージ50、60Hz	scrタイプ	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
1N5746D	4.6800	RFQ	8350	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5746		500 MW		DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																	900 mV @ 10 Ma		100 na @ 19 v										27 v	80オーム
jan1n4969d	18.6750	RFQ	5110	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	E 、軸	1N4969		5 W		E 、軸	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																	1.5 V @ 1 a		2 µA @ 22.8 v										30 V	8オーム
CDLL5936C	7.8450	RFQ	5092	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL5936		1.25 w		DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																	1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 22.8 v										30 V	28オーム
jans2N5665	212.4314	RFQ	9995	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/455	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	TO-213AA、to-66-2	2N5665		2.5 W		to-66（to-213aa	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																								300 V	5 a		200na					npn	1V @ 1a 、5a	25 @ 1a 、5V	-
uft3020	62.1000	RFQ	2027	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			穴を通して	to-204aa、to-3	uft3020	標準			TO-204AD（to-3）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns														200 v	930 mv @ 15 a	35 ns	15 µa @ 200 v	-65°C〜175°C	30a	140pf @ 10V、1MHz
1N5353/TR12	2.6250	RFQ	2303	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±20％	-65°C〜150°C	穴を通して	T-18 、軸	1N5353		5 W		T-18	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000																	1.2 V @ 1 a		1 µA @ 11.5 v										16 v	2.5オーム
CDLL4964	11.1450	RFQ	6626	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ										-			影響を受けていない	150-CDLL4964	ear99	8541.10.0050	1
CDLL4580A/TR	6.5250	RFQ	9228	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-55°C〜100°C	表面マウント	DO-213AA			500 MW		DO-213AA	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-CDLL4580A/TR	ear99	8541.10.0050	1																			2 µA @ 3 V											25オーム
Jan2N3867	-	RFQ	4325	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/350	バルク	sicで中止されました		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3			1 W		to-5	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																								40 v	3 Ma		100µa（icbo）					PNP	1.5V @ 250MA 、2.5a	40 @ 1.5a 、2V	-
CD4738A	1.8354	RFQ	5046	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	死ぬ			1 W		死ぬ	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-CD4738A	ear99	8541.10.0050	1																	1.5 V @ 200 mA		3 µA @ 6 V										8.2 v	4.5オーム
1n937/tr	9.2700	RFQ	9771	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C（タタ	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW		do-35 （do-204ah）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N937/tr	ear99	8541.10.0050	1																													9 v	20オーム
jans1n5550/tr	81.3000	RFQ	3048	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ										ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jans1n5550/tr	ear99	8541.10.0080	1
MSR2N2907AUBC	-	RFQ	7833	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C	表面マウント	3-SMD 、リードなし			500 MW		UBC	-			影響を受けていない	150-MSR2N2907AUBC			100																								60 V	600 Ma		50NA					PNP	1.6V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
APTM50SKM17G	230.1100	RFQ	4017	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP6	APTM50	モスフェット（金属酸化物）			SP6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1			nチャネル	500 V	180a（tc）	10V	20mohm @ 90a 、10V	5V @ 10MA	560 NC @ 10 V	±30V	28000 pf @ 25 v	-	1250W
APTGF500U60D4G	-	RFQ	7381	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	廃止		-	シャーシマウント	D4			2000 w	標準	D4	ダウンロード		1 （無制限）		APTGF500U60D4GMP-ND	ear99	8541.29.0095	1	シングル																						npt	600 V	625 a	2.45V @ 15V、500A	500 µA	いいえ			26 nf @ 25 v
SMBG5384BE3/TR13	1.1400	RFQ	3873	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-215AA	SMBG5384		5 W		SMBG （DO-215AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000																	1.2 V @ 1 a		500 NA @ 115 V										160 v	350オーム
R4280TS	59.8350	RFQ	4293	マイクロチップテクノロジー	R42	バルク	アクティブ			スタッドマウント	DO-205AA	R4280	標準、逆極性			do-205aa	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns														800 V	1.2 V @ 200 a		50 µA @ 800 V	-65°C〜200°C	125a	-
2N6692	755.0400	RFQ	9094	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-	スタッドマウント	TO-211MA					to-61	-			影響を受けていない	150-2N6692	ear99	8541.30.0080	1														-	標準回復
APTM10DHM05G	241.8000	RFQ	7561	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP6	APTM10	モスフェット（金属酸化物）	780w		SP6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	2 n チャネル（デュアル）非対称			100V	278a		5mohm @ 125a 、10V	4V @ 5MA	700NC @ 10V		20000pf @ 25V	-
APT5014SLLG	15.9500	RFQ	5598	マイクロチップテクノロジー	PowerMos7®	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-268-3	APT5014	モスフェット（金属酸化物）			d3 [s]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1			nチャネル	500 V	35a（tc）	10V	140mohm @ 17.5a 、10V	5V @ 1MA	72 NC @ 10 V	±30V	3261 PF @ 25 V	-	403W
1N5730B	1.8600	RFQ	5823	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5730		500 MW		DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																	900 mV @ 10 Ma		3 µA @ 2 V										5.6 v	25オーム
MBR2050CTE3/TU	1.1700	RFQ	5565	マイクロチップテクノロジー	*	チューブ	アクティブ					MBR2050					-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,000
MBR6060PTE3/TU	2.0100	RFQ	5107	マイクロチップテクノロジー	*	チューブ	アクティブ					MBR6060					-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,000
Jan1N5617	4.4700	RFQ	71	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/429	バルク	アクティブ			穴を通して	A 、軸	1N5617	標準			A 、軸	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns														400 V	1.6 V @ 3 a	150 ns	500 NA @ 400 V	-65°C〜175°C	1a	-
UFS520G/TR13	4.1400	RFQ	7082	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-215ab 、mcガルウィング	UFS520	標準			DO-215AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns														200 v	950 mv @ 5 a	30 ns	10 µA @ 200 v	-55°C〜175°C	5a	-
Jan1n4126ur-1	8.7150	RFQ	4462	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N4126				DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																	1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 38.8 v										51 v	300オーム
1N4371E3/TR	2.8350	RFQ	6991	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW		do-35 （do-204ah）	ダウンロード			影響を受けていない	150-1N4371E3/TR	ear99	8541.10.0050	334																	1.1 V @ 200 mA		75 µA @ 1 V										2.7 v	30オーム
JAN1N3822C-1	17.3250	RFQ	6507	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N3822		1 W		DO-41	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																	1.2 V @ 200 mA		75 µA @ 1 V										3.6 v	10オーム
jantx1n6081	-	RFQ	9091	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/503	バルク	sicで中止されました			穴を通して	A 、軸		標準			a-pak	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns														150 v	1.5 V @ 37.7 a	30 ns	5 µA @ 150 v	-65°C〜155°C	2a	-
1N4615E3	2.9850	RFQ	2464	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AA			500 MW		DO-7	-			影響を受けていない	150-1N4615E3	ear99	8541.10.0050	1																	1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 1 V										2 v	1250オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²