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離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	アプリケーション	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	電圧 -アノード -カソード（ vak ）（最大）	レギュレータ電流（最大）	電圧 -制限（最大）
SMBJ5368AE3/TR13	0.8100	RFQ	7865	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜150°C		表面マウント	DO-214AA、SMB	SMBJ5368		5 W	smbj（ do-214aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000													1.2 V @ 1 a		500 NA @ 33.8 v							47 v	25オーム
Jan2N6648	104.1523	RFQ	6790	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/527	バルク	アクティブ		-65°C〜175°C		穴を通して	to-204aa、to-3			5 W	to-204aa	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																			40 v	10 a	1ma			pnp-ダーリントン	3V @ 100MA 、10a	1000 @ 5a 、3V	-
Jan1n1124ra	483.2250	RFQ	8441	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/260	バルク	アクティブ				スタッドマウント	do-203aa		標準		do-203aa	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	1		標準回復> 500ns									200 v		2.2 V @ 10 a		5 µA @ 200 V	-65°C〜150°C		-
1N5233Bur-1	2.8650	RFQ	6031	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	DO-213AA	1N5233		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 3.5 v							6 v	7オーム
1N3270	151.2750	RFQ	8582	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ				スタッドマウント	do-205ab、do-9 、スタッド	1N3270	標準		do-205ab（do-9）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない	1N3270ms	ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns									700 V		1.3 V @ 300 a		75 µA @ 700 V	-65°C〜190°C	275a	-
jantxv1n6634d	-	RFQ	5225	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		穴を通して	E 、軸			5 W	E 、軸	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.5 V @ 1 a		175 µA @ 1 V							3.9 v	2オーム
DZ980424a-hl	-	RFQ	7998	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ										-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-DZ980424a-hl			1
Jan1n4124ur-1/tr	7.8736	RFQ	7773	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	do-213aa （ガラス）				DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n4124ur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 32.7 v							43 v	250オーム
LSM535J/TR13	1.1550	RFQ	7134	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ				表面マウント	do-214ab 、mc	LSM535	ショットキー		DO-214AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns									35 v		520 mV @ 5 a		2 MA @ 35 v	-55°C〜150°C	5a	-
1N3891R	50.8800	RFQ	6958	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/304	バルク	アクティブ				スタッドマウント	do-203aa	1N3891	標準、逆極性		do-203aa	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない	1N3891RMS	ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns									200 v		1.5 V @ 38 a	200 ns	10 µA @ 200 v	-65°C〜175°C	12a	-
1N6006UR-1	3.5850	RFQ	8619	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ						1N6006				-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1
jantxv2n918ub	29.3265	RFQ	5341	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/301	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		表面マウント	3-SMD 、リードなし	2N918		200 MW	ub	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																			15 V	50 Ma	1µa（icbo）			npn	400MV @ 1MA 、10MA	20 @ 3MA、1V	-
JanHCA1N746A	7.2618	RFQ	1613	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-janhca1n746a	ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 1 V							3.3 v	28オーム
Jan2N5339	9.5494	RFQ	6748	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/560	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶	2N5339		1 W	to-39	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																			100 V	5 a	100µA			npn	1.2V @ 500MA 、5a	60 @ 2a 、2V	-
CDLL4131	3.5850	RFQ	6938	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL4131		500 MW	DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 57 v							75 v	700オーム
jantxv1n3044cur-1	46.1250	RFQ	9723	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	バルク	アクティブ	±2％	-55°C〜175°C		表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	1N3044		1 W	do-213ab	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 76 v							100 V	350オーム
jan1n4496cus	26.7600	RFQ	4837	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C		表面マウント	sq-melf、a	1N4496		1.5 w	D-5a	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1 V @ 200 mA		250 na @ 160 v							200 v	1500オーム
JANTX1N4106D-1	15.3300	RFQ	2580	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N4106		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 9.2 v							12 v	200オーム
JANKCA1N4125D	-	RFQ	9868	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		表面マウント	死ぬ			500 MW	死ぬ	-			影響を受けていない	150-jankca1n4125d	ear99	8541.10.0050	100													1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 35.75 v							47 v	250オーム
Jan1n3049dur-1	-	RFQ	8862	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ										-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1
CDLL5225BE3	2.7132	RFQ	6477	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	DO-213AA			10 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-CDLL5225BE3	ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 mA		50 µA @ 1 V							3 v	29オーム
MSCSM120HM063AG	855.2300	RFQ	3293	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜175°C		シャーシマウント	モジュール	MSCSM120	炭化シリコン（原文）	873W	-	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	150-MSCSM120HM063AG	ear99	8541.29.0095	1	4 nチャネル（フルブリッジ）		1200V（1.2kv）	333a（tc）	7.8mohm @ 80a 、20V	2.8V @ 12MA	928NC @ 20V	12000pf @ 1000V	-
1N821AUR-1/TR	4.3800	RFQ	3937	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C		表面マウント	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-					ear99	8541.10.0050	224															2 µA @ 3 V							6.2 v	10オーム
Jan1n6674r	-	RFQ	8708	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/617	バルク	アクティブ				穴を通して	TO-254-3	1N6674	標準		TO-254AA	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns								1ペア共通カソード	500 V	15a	1.55 V @ 20 a	35 ns	50 µA @ 400 V	200°C （最大）
SMBG5370BE3/TR13	1.1400	RFQ	7686	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C		表面マウント	DO-215AA	SMBG5370		5 W	SMBG （DO-215AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000													1.2 V @ 1 a		500 NA @ 40.3 v							56 v	35オーム
jans1n4961d	374.1920	RFQ	9831	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ										ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jans1n4961d	ear99	8541.10.0050	1
Jan2N4239	39.7936	RFQ	8542	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/581	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶	2N4239		1 W	to-39	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																			80 v	1 a	100na（icbo）			npn	600MV @ 100MA、1A	30 @ 250ma、1V	-
CDLL5310	25.0950	RFQ	1686	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜175°C	-	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	CDLL53		500MW	do-213ab	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																												100V	3.63MA	2.35V
1N3212R	65.8800	RFQ	5942	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ				スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	1N3212	標準、逆極性		do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない	1N3212RMS	ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns									400 V		1.19 V @ 90 a		10 µA @ 400 V	-65°C〜200°C	40a	-
JANTX1N4624CUR-1	29.2650	RFQ	7292	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C		表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N4624		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1															5 µA @ 3 V							4.7 v	1550オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²