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離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
jansf2n5151u3	232.1916	RFQ	6374	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし			1.16 w	U3	-			影響を受けていない	150-Jansf2N5151U3			1																			80 v	2 a	50µA			PNP	1.5V @ 500MA 、5a	30 @ 2.5a 、5V	-
MSCSM120HM16CT3AG	500.5900	RFQ	5926	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ		-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	MSCSM120	炭化シリコン（原文）	745W	SP3F	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	150-MSCSM120HM16CT3AG	ear99	8541.29.0095	1	4 nチャネル		1200V（1.2kv）	173a	16mohm @ 80a 、20V	2.8V @ 2MA	464NC @ 20V	6040pf @ 1000V	-
jantxv1n6324c	37.5300	RFQ	8081	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-jantxv1n6324c	ear99	8541.10.0050	1													1.4 V @ 1 a		1 µA @ 8 V							10 v	6オーム
1N4584A	21.5100	RFQ	9639	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード			影響を受けていない	150-1N4584a	ear99	8541.10.0050	1															2 µA @ 3 V							6.4 v	25オーム
jantx1n3032cur-1/tr	33.2500	RFQ	1328	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）			1 W	do-213ab	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n3032cur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1													1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 25.1 v							33 v	45オーム
UPS120EE3/TR7	0.5000	RFQ	2	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-216AA	UPS120	ショットキー		パワーマイト1（do216-aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns									20 v		530 mv @ 1 a		10 µA @ 20 V	-55°C〜125°C	1a	-
jantxv1n3824a-1/tr	10.1612	RFQ	1324	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸			1 W	DO-41	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n3824a-1/tr	ear99	8541.10.0050	1													1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 1 V							4.3 v	9オーム
1N710	1.9200	RFQ	2899	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N710		250 MW	DO-35	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																						6.8 v	4.7オーム
CDS5244bur-1	-	RFQ	3952	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ									-			影響を受けていない	150-CDS524444Bur-1	ear99	8541.10.0050	50
1N6912UTK2CS	259.3500	RFQ	3730	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			表面マウント	Thinkey™2		sic （炭化シリコン）ショットキー		Thinkey™2	-			影響を受けていない	150-1N6912UTK2CS	ear99	8541.10.0080	1		回復時間なし> 500ma									45 v		640 mV @ 25 a		1.2 mA @ 45 v	-65°C〜150°C	25a	1000pf @ 5V、1MHz
Jan1n3014b	-	RFQ	4771	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/124	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	スタッドマウント	do-203aa			10 W	do-213aa	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.5 V @ 2 a		10 µA @ 136.8 v							180 v	260オーム
Jan1n4118ur-1/tr	7.8736	RFQ	3196	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）				DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n4118ur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 20.5 v							27 v	150オーム
S8-4150E3/TR13	2.2350	RFQ	8108	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	S8-4150	標準		8-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	2,500		高速回復= <500ns								4独立	50 v	400MA （DC）	1 V @ 200 mA	4 ns	100 Na @ 50 V	-55°C〜150°C
jantxv2n3810l	32.8909	RFQ	9745	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/336	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-78-6金属缶	2N3810		350MW	to-78-6	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																			60V	50ma	10µa（icbo）			2 PNP （デュアル）	250MV @ 100µA、1MA	150 @ 1MA 、5V	-
jan1n4993cus	37.3500	RFQ	8014	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf e			5 W	D-5B	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.5 V @ 1 a		2 µA @ 228 v							300 V	950オーム
jans1n6874utk2	608.4000	RFQ	4923	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/469	バルク	アクティブ			表面マウント	Thinkey™2		標準		Thinkey™2	-			影響を受けていない	150-jans1n6874utk2	ear99	8541.10.0070	1		標準回復> 500ns											1 V @ 400 Ma			-65°C〜175°C	400mA	-
jans1n6311c	280.2750	RFQ	9871	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	トレイ	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N6311		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.4 V @ 1 a		30 µA @ 1 V							3 v	29オーム
UZ5806	32.2650	RFQ	3563	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	穴を通して	b 、軸			5 W	b 、軸	-			影響を受けていない	150-UZ5806	ear99	8541.10.0050	1															500 µA @ 5.2 v							6.8 v	1オーム
1N3263il	166.6650	RFQ	5354	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-205ab、do-9 、スタッド		標準		do-205ab（do-9）	ダウンロード			影響を受けていない	150-1N3263il	ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns									200 v		1.3 V @ 300 a		75 µA @ 200 V	-65°C〜190°C	275a	-
jans2N5154U3	202.2102	RFQ	3694	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/544	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし			1 W	U3	-			影響を受けていない	2266-Jans2N5154U3	ear99	8541.29.0095	1																			80 v	1 Ma	1ma			npn	1.5V @ 500MA 、5a	70 @ 2.5a 、5V	-
1N5535B	2.8950	RFQ	4828	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5535		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 13.5 v							15 V	102オーム
jans1n4125ur-1	48.9900	RFQ	436	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA	1N4125		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 35.8 v							47 v	250オーム
jantxv1n4967	8.3700	RFQ	4242	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	E 、軸	1N4967		5 W		ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.5 V @ 1 a		2 µA @ 18.2 v							24 v	5オーム
Jan1n1615r	66.0750	RFQ	1107	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/162	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203aa	1N1615	標準、逆極性		do-203aa	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns									400 V		1.5 V @ 15 a		50 µA @ 400 V	-65°C〜150°C	15a	-
1N5554US/TR	10.0200	RFQ	8560	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	sq-melf e	1N5554	標準		D-5B	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100		標準回復> 500ns									1000 V		1.3 V @ 9 a	2 µs	1 µA @ 1000 V	-65°C〜175°C	3a	-
jantxv1n2970rb	-	RFQ	2140	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/124	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	スタッドマウント	do-203aa	1N2970		10 W	do-213aa	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.5 V @ 2 a		150 µA @ 5.2 v							6.8 v	1.2オーム
1N5614	4.1800	RFQ	1232	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			穴を通して	A 、軸	1N5614	標準		A 、軸	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns									200 v		1.3 V @ 3 a	2 µs	500 NA @ 200 V	-65°C〜200°C	1a	-
jans2N5154	55.9804	RFQ	1310	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/544	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶			1 W	to-39	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																			80 v	1 Ma	1ma			npn	1.5V @ 500MA 、5a	70 @ 2.5a 、5V	-
1N6015B	2.0700	RFQ	3014	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N6015		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	1N6015BMS	ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 33 V							43 v	150オーム
jans2n2218a	90.7106	RFQ	2024	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/251	バルク	アクティブ		-55°C〜200°C （TJ	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶			800 MW	to-39	-			影響を受けていない	150-Jans2N2218a	ear99	8541.21.0095	1																			50 v	800 Ma	10na			npn	1V @ 50ma 、500ma	40 @ 150ma 、10V	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²