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離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	アプリケーション	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	電圧 -アノード -カソード（ vak ）（最大）	レギュレータ電流（最大）	電圧 -制限（最大）
jantxv1n5543b-1	9.1200	RFQ	2713	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5543		500 MW		do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 22.4 v										25 v	100オーム
2C3790	63.2700	RFQ	4801	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ											-			影響を受けていない	150-2C3790			1
JANTXV2N3501U4	-	RFQ	3332	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/366	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		表面マウント	3-SMD 、リードなし			1 W		U4	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1													150 v	300 Ma		50na（icbo）					npn	400MV @ 15MA、150MA	100 @ 150ma 、10V	-
jantxv1n6324c	37.5300	RFQ	8081	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW		do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-jantxv1n6324c	ear99	8541.10.0050	1						1.4 V @ 1 a		1 µA @ 8 V										10 v	6オーム
aptgl180a120t3ag	135.8511	RFQ	1140	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜175°C		シャーシマウント	SP3	aptgl180		940 w	標準	SP3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	ハーフブリッジ											トレンチフィールドストップ	1200 v	230 a	2.2V @ 15V 、150a	300 µA	はい			9.3 nf @ 25 v
Jan1n752a-1	2.0550	RFQ	7648	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N752		500 MW		DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 2.5 v										5.6 v	8オーム
1N5344/TR12	2.6250	RFQ	9321	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±20％	-65°C〜150°C		穴を通して	T-18 、軸	1N5344		5 W		T-18	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000						1.2 V @ 1 a		10 µA @ 5.9 v										8.2 v	1.5オーム
jantx1n970d-1	7.1400	RFQ	1933年年	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	バルク	アクティブ	±1％	-55°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N970		500 MW		do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 18 V										24 v	33オーム
1 PMT5931C/TR7	2.7600	RFQ	2901	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C		表面マウント	DO-216AA	1PMT5931		3 W		DO-216AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000						1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 13.7 v										18 v	12オーム
MBR3060CTE3/TU	-	RFQ	7446	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ				穴を通して	TO-220-3	MBR3060	ショットキー			TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,000		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	60 V	15a	750 mV @ 15 a		50 µA @ 60 V	-65°C〜175°C
JANTX2N222222AUB	5.7000	RFQ	1270	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/255	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		表面マウント	3-SMD 、リードなし	2N2222		500 MW		ub	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1													50 v	800 Ma		50NA					npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
jans1n4570aur-1	85.9650	RFQ	2635	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/452	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C（タタ		表面マウント	DO-213AA			500 MW		DO-213AA	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1								2 µA @ 3 V										6.4 v	100オーム
JANTX1N5536B-1	6.8550	RFQ	7859	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5536		500 MW		do-204ah（do-35 ガラス）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 14.4 v										16 v	100オーム
1N4618UR-1	3.4950	RFQ	3081	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C（タタ		表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW		DO-213AA	ダウンロード			影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 1 V										2.7 v	1500オーム
1N5806US	6.2700	RFQ	80	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ				表面マウント	sq-melf、a	1N5806	標準			D-5a	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns		150 v		875 mV @ 1 a	25 ns	1 µA @ 150 V	-65°C〜175°C	1a	25pf @ 10V、1MHz
R307020F	49.0050	RFQ	7523	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ											-			影響を受けていない	150-R307020F			1
JANTX2N6338	113.2894	RFQ	2392	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/509	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		穴を通して	to-204aa、to-3			200 W		to-3	-			影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1													100 V	50 µA		50µA					npn	1.8V @ 2.5a 、25a	30 @ 10a 、2V	-
Jan1n972bur-1	4.4400	RFQ	2284	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N972		500 MW		DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 23 V										30 V	49オーム
1 PMT4112/TR13	0.9600	RFQ	6151	マイクロチップテクノロジー	PowerMite®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C		表面マウント	DO-216AA	1PMT4112		1 W		DO-216	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,000						1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 13.37 v										18 v	100オーム
jantxv1n4625ur-1	12.6000	RFQ	6314	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	DO-213AA	1N4625		500 MW		DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 3 V										5.1 v	1500オーム
1N4714UR-1	5.0850	RFQ	3461	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	DO-213AA	1N4714		500 MW		DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 100 MA		10 Na @ 25 V										33 v
jantxv1n759a-1	-	RFQ	1067	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/127	バルク	sicで中止されました	±5％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW		DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		1 µA @ 9 V										12 v	10オーム
89100-04TXV	-	RFQ	8761	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-		穴を通して	TO-213AA、to-66-2					to-66（to-213aa	-	ROHS非準拠		影響を受けていない			0000.00.0000	1																-					-	-	-	-
jantx2n222222222222222222222222222222	22.2110	RFQ	1127	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/255	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		表面マウント	4-SMD	2N2222		650 MW		4-SMD	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1													50 v	800 Ma		50NA					npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
aptgt150h60tg	170.4914	RFQ	3168	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜175°C		シャーシマウント	SP4	aptgt150		480 w	標準	SP4	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	フルブリッジインバーター											トレンチフィールドストップ	600 V	225 a	1.9V @ 15V 、150a	250 µA	はい			9.2 nf @ 25 v
jans2n5796uc	-	RFQ	9302	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/496	バルク	アクティブ		-65°C〜175°C		表面マウント	6-SMD 、リードなし	2N5796		600MW		UC	-			影響を受けていない	150-Jans2N5796uc			50													60V	600MA		10µa（icbo）					2 PNP （デュアル）	1.6V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
jantxv1n5306ur-1/tr	40.4100	RFQ	9365	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/463	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜175°C	-	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	1N5306		500MW		do-213ab	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n5306ur-1/tr	ear99	8541.10.0070	1																									100V	2.42MA	1.95V
Jan1n755c-1/tr	4.7481	RFQ	6514	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/127	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW		do-35 （do-204ah）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n755c-1/tr	ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		2 µA @ 5 V										7.5 v	6オーム
CDLL5519D	16.2000	RFQ	3303	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		表面マウント	DO-213AA			500 MW		DO-213AA	-			影響を受けていない	150-CDLL5519D	ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		3 µA @ 1 V										3.6 v	24オーム
JANTX1N6912UTK2AS	-	RFQ	4951	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/723	バルク	アクティブ				表面マウント	Thinkey™2		sic （炭化シリコン）ショットキー			Thinkey™2	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		回復時間なし> 500ma		45 v		640 mV @ 25 a		1.2 mA @ 45 v	-65°C〜150°C	25a	1000pf @ 5V、1MHz

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²