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離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	現在 -マックス	電源（ VDSS ）への排水	ciss ）（ max @ vds	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧 -破壊（ V	現在の - ドレイン（IDSS @ vds（vgs = 0）	電圧-Cutoff（ VGSオフ） @ id	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	入力容量（ cies @ vce	抵抗-RDS （オン）	@ @ if、f	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
SMBJ5944BE3/TR13	0.8850	RFQ	7958	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMBJ5944		2 W		smbj（ do-214aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000								1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 47.1 v															62 v	100オーム
jantx2n2945aub/tr	434.6922	RFQ	3371	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/382	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	4-SMD 、リードなし			400 MW		ub	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx2n2945aub/tr	ear99	8541.21.0095	1															20 v	100 Ma							10µa（icbo）							PNP	-	70 @ 1MA 、500mv	-
1N984B-1	2.0700	RFQ	1652	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW		do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-1N984B-1	ear99	8541.10.0050	1								1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 69 v															91 v	400オーム
R37160	139.6950	RFQ	7602	マイクロチップテクノロジー	SR37	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド		標準			DO-5	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns						1.15 V @ 200 a			-65°C〜200°C	85a	-
CDLL4750	3.4650	RFQ	7068	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL4750				DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1								1.2 V @ 200 mA		100 Na @ 20.6 v															27 v	35オーム
1N4119UR	3.7950	RFQ	3592	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N4119		500 MW		DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1								1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 21.28 v															28 v	200オーム
aptgl475da120d3g	250.4300	RFQ	1925年年	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜175°C	シャーシマウント	D-3モジュール	aptgl475		2080 w	標準	D3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	シングル													トレンチフィールドストップ	1200 v	610 a	2.2V @ 15V 、400A						5 Ma	いいえ			24.6 nf @ 25 v
jantx1n6773r	-	RFQ	8658	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			穴を通して	TO-257-3		標準			TO-257	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns					600 V	1.6 V @ 8 a	60 ns	10 µA @ 480 v	-	8a	200pf @ 5V、1MHz
MQ2N4092	63.2947	RFQ	2698	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜175°C	穴を通して	to-206aa			360 MW		TO-18（to-206aa	-			影響を受けていない	150-MQ2N4092			1			nチャネル		40 v	16pf @ 20V														40 v	15 mA @ 20 v							50オーム
cdll4472/tr	10.2410	RFQ	4860	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ			1.5 w		DO-213AB	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-cdll4472/tr	ear99	8541.10.0050	1								1 V @ 200 mA		50 Na @ 16 V															20 v	12オーム
CD3824	4.0650	RFQ	5857	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	表面マウント	死ぬ			1 W		死ぬ	-			影響を受けていない	150-CD3824	ear99	8541.10.0050	1								1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 1 V															4.3 v	9オーム
JANTX1N4111D-1	17.3850	RFQ	1999年	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N4111		500 MW		do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1								1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 13 V															17 v	100オーム
CDS5522D-1	-	RFQ	9976	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ										-			影響を受けていない	150-CDS5522D-1	ear99	8541.10.0050	50
jansf2n2222222aub/tr	146.9710	RFQ	3677	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/255	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	4-SMD 、リードなし			500 MW		ub	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-Jansf2222222222222222222222222222222222222222222222222222222222 222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222	ear99	8541.21.0095	1															50 v	800 Ma							50NA							npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
MSCGLQ75DDU120CTBL3NG	321.4800	RFQ	8	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	mscglq		470 w	標準	-	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	150-MSCGLQ75DDU120CTBL3NG	ear99	8541.29.0095	1	フルブリッジ													-	1200 v	160 a	2.4V @ 15V 、75a						50 µA	はい			4.4 nf @ 25 v
MV2N4859UB	80.4916	RFQ	5348	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ					MV2N4859					-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1
GC4210-00	-	RFQ	1639	マイクロチップテクノロジー	-	トレイ	アクティブ		-55°C〜150°C		死ぬ					チップ	-			影響を受けていない	150-GC4210-00	ear99	8541.10.0040	1				10 Ma									0.06pf @ 10V、1MHz					ピン -シングル	100V										1.5OHM @ 20MA、1GHz
jan1n6305r	-	RFQ	3800	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド		標準			DO-5	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns					100 V	1.18 V @ 150 a	60 ns	25 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	70a
MX2N4092	69.2531	RFQ	6441	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/431	バルク	アクティブ		-65°C〜175°C	穴を通して	to-206aa			360 MW		TO-18（to-206aa	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1			nチャネル		40 v	16pf @ 20V														40 v	15 mA @ 20 v							50オーム
SMBJ5942C/TR13	2.0850	RFQ	2557	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMBJ5942		2 W		smbj（ do-214aa）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000								1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 38.8 v															51 v	70オーム
1N5274B	2.8329	RFQ	4835	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW		do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N5274B	ear99	8541.10.0050	1								1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 99 v															130 v	1100オーム
jantx1n6075/tr	17.9550	RFQ	1031	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/503	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	A 、軸		標準			a-pak	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n6075/tr	ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns					150 v	2.04 V @ 9.4 a	30 ns	1 µA @ 150 V	-65°C〜155°C	850ma	-
jans1n6345us	164.8650	RFQ	4478	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b			500 MW		B、sq-melf	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1								1.4 V @ 1 a		50 Na @ 56 v															75 v	180オーム
CD4120	1.3699	RFQ	7312	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	死ぬ			500 MW		死ぬ	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-CD4120	ear99	8541.10.0050	1								1.5 V @ 200 mA		10 Na @ 22.8 v															30 V	200オーム
jantx1n747a-1/tr	2.1413	RFQ	4253	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/127	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW		do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n747a-1/tr	ear99	8541.10.0050	1								1.1 V @ 200 mA		3 µA @ 1 V															3.6 v	22オーム
2N5116UA/TR	62.9550	RFQ	8979	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	4-SMD 、リードなし			500 MW		ua	-			影響を受けていない	150-2N5116UA/TR			100			pチャネル		30 V	27pf @ 15V														30 V	5 ma @ 15 v	1 V @ 1 Na						175オーム
JANKCA1N4576A	-	RFQ	1608	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/452	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜100°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW		do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jankca1n4576a	ear99	8541.10.0050	1										2 µA @ 3 V															6.4 v	50オーム
cdll4749/tr	3.2319	RFQ	7054	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ					DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-cdll4749/tr	ear99	8541.10.0050	1								1.2 V @ 200 mA		100 Na @ 18.2 v															24 v	25オーム
jantxv1n6624	19.7550	RFQ	3434	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/585	バルク	アクティブ			穴を通して	A 、軸	1N6624	標準			A 、軸	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns					990 v	1.55 V @ 1 a	50 ns	500 NA @ 990 v	-65°C〜150°C	1a	-
Jan1n748c-1/tr	4.7481	RFQ	3510	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/127	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW		do-35 （do-204ah）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n748c-1/tr	ear99	8541.10.0050	1								1.1 V @ 200 mA		2 µA @ 1 V															3.9 v	23オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²