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離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
Jan2N3810U	32.3722	RFQ	5000	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/336	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-78-6金属缶	2N3810		350MW	to-78-6	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																		60V	50ma	10µa（icbo）			2 PNP （デュアル）	250MV @ 100µA、1MA	150 @ 1MA 、5V	-
jantxv1n6314cus	54.8400	RFQ	7611	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b	1N6314		500 MW	B、sq-melf	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.4 V @ 1 a	2 µA @ 1 V							3.9 v	23オーム
2N2904AL	12.8079	RFQ	3422	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3	2N2904		800 MW	to-5	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																		60 V	600 Ma	1µA			PNP	1.6V @ 50ma 、500ma	40 @ 150ma 、10V	-
JANTX1N3022DUR-1	-	RFQ	2337	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	バルク	sicで中止されました	±1％	-55°C〜175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）			1 W	do-213ab	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.2 V @ 200 mA	10 µA @ 9.1 v							12 v	9オーム
APTM50HM65FT3G	154.6200	RFQ	2746	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP3	APTM50	モスフェット（金属酸化物）	390W	SP3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	4 nチャネル（ハーフブリッジ）			500V	51a	78mohm @ 25.5a 、10V	5V @ 2.5MA	140NC @ 10V	7000pf @ 25V	-
SMAJ4751E3/TR13	0.6450	RFQ	5620	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	SMAJ4751		2 W	DO-214AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	7,500													1.2 V @ 200 mA	5 µA @ 22.8 v							30 V	40オーム
SMBG5387C/TR13	2.8650	RFQ	4483	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-215AA	SMBG5387		5 W	SMBG （DO-215AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000													1.2 V @ 1 a	500 NA @ 137 v							190 v	450オーム
jansg2n222222aubc	305.8602	RFQ	9640	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/255	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし			500 MW	UBC	-			影響を受けていない	150-Jansg2N2222Aubc			1																		50 v	800 Ma	50NA			npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
CDLL981	2.9400	RFQ	9534	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±20％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL981		500 MW	DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 mA	500 NA @ 52 v							68 v	230オーム
APT6029BLLG	13.0700	RFQ	7195	マイクロチップテクノロジー	PowerMos7®	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3	APT6029	モスフェット（金属酸化物）		to-247 [b]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1			nチャネル	600 V	21a（tc）	290mohm @ 10.5a 、10V	5V @ 1MA	65 NC @ 10 V	2615 PF @ 25 V	-	300W （TC）
jantx1n4120cur-1	24.3150	RFQ	3763	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N4120		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 mA	10 Na @ 22.8 v							30 V	200オーム
R42160F	59.8350	RFQ	6391	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	DO-205AA	R42160	標準、逆極性		do-205aa	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns										1600 v	1.2 V @ 200 a	50 µA @ 1600 v	-65°C〜200°C	125a	-
1N5252bur-1	2.8650	RFQ	3721	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-			影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.5 V @ 200 mA	100 Na @ 18 V							24 v	33オーム
jans1n4625dur-1	110.3100	RFQ	4257	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-			影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 mA	5 µA @ 3 V							5.1 v	1500オーム
SMBG5342A/TR13	2.2200	RFQ	8436	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-215AA	SMBG5342		5 W	SMBG （DO-215AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000													1.2 V @ 1 a	10 µA @ 4.9 v							6.8 v	1オーム
Jan2N5303	141.9110	RFQ	6183	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/456	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-204aa、to-3			20 W	to-3	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																		60 V	10 µA	10µA			npn	650mv @ 5ma 、100ma	15 @ 10a 、2V	-
1N4691/tr	4.1250	RFQ	6802	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	DO-204AA			500 MW	DO-7	-			影響を受けていない	150-1N4691/tr	ear99	8541.10.0050	230													1.5 V @ 100 MA	10 µA @ 5 V							6.2 v
jan1n970c-1/tr	4.9476	RFQ	8234	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n970c-1/tr	ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 mA	500 NA @ 18 V							24 v	33オーム
1N3272	151.2750	RFQ	3937	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-205ab、do-9 、スタッド	1N3272	標準		do-205ab（do-9）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない	1N3272ms	ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns										900 V	1.3 V @ 300 a	75 µA @ 900 V	-65°C〜190°C	275a	-
Jan1n748cur-1/tr	10.2410	RFQ	5100	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/127	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n748cur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 mA	2 µA @ 1 V							3.9 v	23オーム
Jan2N3867	-	RFQ	4325	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/350	バルク	sicで中止されました		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3			1 W	to-5	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																		40 v	3 Ma	100µa（icbo）			PNP	1.5V @ 250MA 、2.5a	40 @ 1.5a 、2V	-
2N7371	288.0780	RFQ	9656	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/623	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	TO-254-3			100 W	TO-254	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-2N7371	ear99	8541.29.0095	1																		100 V	12 a	1ma			pnp-ダーリントン	3V @ 120ma 、12a	1000 @ 6a、3V	-
jantxv2n6546	-	RFQ	8825	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/525	バルク	sicで中止されました		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-204aa、to-3			175 w	to-204aa	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																		300 V	15 a	-			npn	5V @ 3a 、15a	12 @ 5a 、2V	-
S30405	49.0050	RFQ	7962	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ									-			影響を受けていない	150-S30405			1
1N4757UR-1	3.4650	RFQ	6616	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）			1 W	do-213ab	-			影響を受けていない	150-1N4757UR-1	ear99	8541.10.0050	1													1.2 V @ 200 mA	5 µA @ 38.8 v							51 v	95オーム
jantxv1n5532c-1	23.3700	RFQ	5136	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5532		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 mA	50 Na @ 10.8 v							12 v	90オーム
jantxv1n5531dur-1	61.9050	RFQ	4698	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N5531		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 mA	50 Na @ 9.9 v							11 v	80オーム
HSM350G/TR13	1.5300	RFQ	4255	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-215ab 、mcガルウィング	HSM350	ショットキー		DO-215AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns										50 v	620 mv @ 3 a	100 µA @ 50 V	-55°C〜175°C	3a	-
jantxv1n3037bur-1/tr	16.1196	RFQ	9047	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）			1 W	do-213ab	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n3037bur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1													1.2 V @ 200 mA	10 µA @ 38.8 v							51 v	95オーム
jantxv1n3017dur-1	57.6450	RFQ	6155	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	バルク	アクティブ	±1％	-55°C〜175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	1N3017		1 W	do-213ab	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.2 V @ 200 mA	100 µA @ 5.7 v							7.5 v	4オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²