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離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	フェットタイプ	電源（ VDSS ）への排水	ciss ）（ max @ vds	電力散逸（最大）	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧 -破壊（ V	現在の - ドレイン（IDSS @ vds（vgs = 0）	電圧-Cutoff（ VGSオフ） @ id	現在 -コレクターカットオフ（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	抵抗-RDS （オン）	@ @ if、f	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	静電容量比	静電容量比条件	Q @ vr、f
jantx2n3725ub	-	RFQ	7802	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		200°C （TJ）	表面マウント	4-SMD 、リードなし				ub	-	ROHS非準拠		影響を受けていない			0000.00.0000	1													50 v	500 Ma						-					npn	-	-	-
MNS2N3810U/TR	44.2890	RFQ	1215	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/336	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-78-6金属缶	2N3810		350MW	to-78-6	-			影響を受けていない	150-MNS2N3810U/TR	ear99	8541.21.0095	1													60V	50ma						10µa（icbo）					2 PNP （デュアル）	250MV @ 100µA、1MA	150 @ 1MA 、5V	-
jans1n6315us/tr	125.9606	RFQ	5481	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b			500 MW	B、sq-melf	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jans1n6315us/tr	ear99	8541.10.0050	1							1.4 V @ 1 a		2 µA @ 1 V												4.3 v	18オーム
jantx1n6633	-	RFQ	3499	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	b 、軸			5 W	b 、軸	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1							1.5 V @ 1 a		250 µA @ 1 V												3.6 v	2.5オーム
1N5360E3/TR12	2.6250	RFQ	4280	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±20％	-65°C〜150°C	穴を通して	T-18 、軸	1N5360		5 W	T-18	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000							1.2 V @ 1 a		500 NA @ 18 V												25 v	4オーム
jantxv1n4466dus	-	RFQ	6681	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	バルク	sicで中止されました	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf、a			1.5 w	D-5a	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1							1 V @ 200 mA		300 NA @ 8.8 v												11 v	6オーム
jantx1n751d-1/tr	6.8362	RFQ	1582	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/127	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n751d-1/tr	ear99	8541.10.0050	1							1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 2 V												5.1 v	14オーム
cdll5272/tr	3.3516	RFQ	1551	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±20％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ			10 MW	DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-cdll5272/tr	ear99	8541.10.0050	1							1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 84 v												110 v	750オーム
APT75DQ60SG	4.0650	RFQ	1459	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ			表面マウント	TO-268-3	APT75DQ60	標準		d3pak	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	150-apt75dq60sg	ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns						2.5 V @ 75 a	31 ns	25 µA @ 600 V	-55°C〜175°C	75a	-
jantxv1n6630us/tr	26.5200	RFQ	9536	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	sq-melf b		標準		e-melf	-				150-jantxv1n6630us/tr			100	高速回復= <500ns					900 V	1.4 V @ 1.4 a	60 ns	2 µA @ 900 V	-65°C〜150°C	1.4a	40pf @ 10V、1MHz
1n966b/tr	2.1679	RFQ	4256	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AA			500 MW	DO-7	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N966B/TR	ear99	8541.10.0050	1							1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 12.2 v												16 v	17オーム
1N706A/TR	1.8620	RFQ	6316	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			250 MW	DO-35	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N706A/TR	ear99	8541.10.0050	1									5 µA @ 5.8 v												5.8 v	20オーム
Jan1n4968us	9.3000	RFQ	1818年	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf e	1N4968		5 W	D-5B	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1							1.5 V @ 1 a		2 µA @ 20.6 v												27 v	6オーム
CDLL5262C/TR	6.9150	RFQ	6471	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA			10 MW	DO-213AA	-			影響を受けていない	150-CDLL5262C/TR	ear99	8541.10.0050	137							1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 39 v												51 v	125オーム
1N4626UR-1	4.0700	RFQ	3006	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	150-1N4626UR-1	ear99	8541.10.0050	1							1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 4 V												5.6 v	1400オーム
KV2113-150A	-	RFQ	3011	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜125°C	表面マウント	死ぬ				チップ	-			影響を受けていない	150-KV2113-150ATR	ear99	8541.10.0040	1												0.45pf @ 20V、1MHz			シングル	22 v														-	1200 @ 4V、50MHz
GC1500-02	-	RFQ	8089	マイクロチップテクノロジー	-	トレイ	アクティブ		-55°C〜125°C	-	-				-	-			影響を受けていない	150-GC1500-02	ear99	8541.10.0060	1												0.8pf @ 4V、1MHz			シングル	30 V													3.3	C0/C30	3900 @ 4V、50MHz
GMV2134-GM1	-	RFQ	3144	マイクロチップテクノロジー	Gigamite®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜125°C	表面マウント	0805 （2012 メトリック）				0805	-			影響を受けていない	150-GMV2134-GM1TR	ear99	8541.10.0080	1												0.7pf @ 20V、1MHz			シングル	22 v													3.7	C4/C20	750 @ 4V、50MHz
jantx1n4973us	9.9900	RFQ	5247	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf e	1N4973		5 W	D-5B	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1							1.5 V @ 1 a		2 µA @ 32.7 v												43 v	20オーム
jantxv1n3036c-1	38.0400	RFQ	4634	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	バルク	アクティブ	±2％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N3036		1 W	DO-41	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1							1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 35.8 v												47 v	80オーム
1N4758P/TR12	1.8600	RFQ	4210	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4758		1 W	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	4,000							1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 42.6 v												56 v	110オーム
2N3498U4	135.1050	RFQ	4962	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし			1 W	U4	-			影響を受けていない	150-2N3498U4	ear99	8541.29.0095	1													100 V	500 Ma						50na（icbo）					npn	600MV @ 30MA、300MA	40 @ 150ma 、10V	-
GC4702-30	-	RFQ	4861	マイクロチップテクノロジー	-	バッグ	アクティブ		-55°C〜150°C		スタッド				-	-			影響を受けていない	150-GC4702-30	ear99	8541.10.0060	1					3 W							0.3pf @ 6V、1MHz			ピン -シングル	20V								1.2OHM @ 10MA 、100MHz
1N2991A	36.9900	RFQ	5581	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	シャーシ、スタッドマウント	do-203aa	1N2991		10 W	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1							1.5 V @ 2 a		10 µA @ 27.4 v												36 v	10オーム
Jan1n749a-1	2.0550	RFQ	3311	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/127	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1							1.1 V @ 200 mA		2 µA @ 1 V												4.3 v	18オーム
1N755A-1	2.1600	RFQ	1202	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N755		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1							1.1 V @ 200 mA		2 µA @ 5 V												7.5 v	4オーム
1N755AE3/TR	2.5200	RFQ	9344	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード			影響を受けていない	150-1N755AE3/TR	ear99	8541.10.0050	374							1.1 V @ 200 mA		2 µA @ 5 V												7.5 v	6オーム
2N4860UB/TR	86.9554	RFQ	6345	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし	2N4860		360 MW	-	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-2N4860UB/TR			1		nチャネル	30 V	18pf @ 10V													30 V	100 mA @ 15 V	6 V @ 500 PA				40オーム
CDLL756A	2.8650	RFQ	3797	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL756		500 MW	DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1							1.1 V @ 200 mA		1 µA @ 6 V												8.2 v	8オーム
1N6026A	2.5950	RFQ	4949	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N6026		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1							1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 76 v												120 v	1250オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²