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離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	フェットタイプ	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	静電容量比	静電容量比条件	Q @ vr、f
jantxv1n5712ubd	118.6800	RFQ	4580	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/444	バルク	アクティブ			表面マウント	4-SMD 、リードなし		ショットキー		ub	-			影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	1	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度													16 v		1 V @ 35 Ma		150 na @ 16 v	-65°C〜150°C		2PF @ 0V、1MHz
1N5953BUR-1/TR	7.7200	RFQ	6178	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）			1.25 w	do-213ab	-					ear99	8541.10.0050	125																1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 114 v									150 v	600オーム
jan1n4461cus	26.7600	RFQ	2326	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf、a	1N4461		1.5 w	D-5a	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																1 V @ 200 mA		5 µA @ 4.08 v									6.8 v	2.5オーム
apt5010lllg	17.0200	RFQ	6384	マイクロチップテクノロジー	PowerMos7®	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-264-3、TO-264AA	APT5010	モスフェット（金属酸化物）		to-264 [l]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル	500 V	46a（tc）	10V	100mohm @ 23a 、10V	5V @ 2.5MA	95 NC @ 10 V	±30V	4360 PF @ 25 V	-	520W
jan1n4476c	15.5700	RFQ	8020	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4476		1.5 w	DO-41	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																1 V @ 200 mA		50 Na @ 24 V									30 V	20オーム
MSC010SDA070BCT	6.0450	RFQ	1142	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-247-3		sic （炭化シリコン）ショットキー		TO-247-3	ダウンロード			影響を受けていない	150-MSC010SDA070BCT	ear99	8541.10.0080	30	回復時間なし> 500ma												1ペア共通カソード	700 V	24a	1.8 V @ 10 a	0 ns	200 µA @ 700 V	-55°C〜175°C
jan1n5546d-1/tr	12.3823	RFQ	2036	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n5546d-1/tr	ear99	8541.10.0050	1																1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 29.7 v									33 v	100オーム
jantx1n3070ur-1/tr	-	RFQ	3785	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/169	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	DO-204AA		標準		DO-7	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n3070ur-1/tr	ear99	8541.10.0070	1	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度													175 v		1 V @ 100 MA	50 ns	100 Na @ 175 v	-65°C〜175°C	100mA	-
SMBJ5366AE3/TR13	0.8100	RFQ	2339	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMBJ5366		5 W	smbj（ do-214aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000																1.2 V @ 1 a		500 NA @ 28.1 v									39 v	14オーム
HSM380GE3/TR13	1.0200	RFQ	4992	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-215ab 、mcガルウィング	HSM380	ショットキー		DO-215AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns													80 v		810 mv @ 3 a		100 µA @ 80 V	-55°C〜175°C	3a	-
jantx1n825ur-1	7.0500	RFQ	6845	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/159	バルク	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA	1N825		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																		2 µA @ 3 V									6.2 v	15オーム
SG2023L	-	RFQ	5733	マイクロチップテクノロジー	-	トレイ	アクティブ		-55°C〜125°C	表面マウント	20-CLCC	SG2023		-	20-clcc （8.89x8.89	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-SG2023L	ear99	8541.29.0095	50																						95V	500mA			-			7 npnダーリントン	1.6V @ 500µA、350MA	1000 @ 350MA 、2V	-
GC1307-150A	-	RFQ	7851	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜125°C	表面マウント	死ぬ				チップ	-			影響を受けていない	150-GC1307-150ATR	ear99	8541.10.0060	1																					3.3pf @ 4V、1MHz			シングル	30 V								1.85	C4/C30	3100 @ 4V、50MHz
UPS115U/TR13	1.2900	RFQ	8541	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-216AA	UPS115	ショットキー		パワーマイト	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	12,000	高速回復= <500ns													15 V		220 mV @ 1 a		10 ma @ 15 v	-55°C〜150°C	1a	-
jantx1n4987cus/tr	24.7500	RFQ	3029	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/356	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b			5 W	e-melf	-				150-jantx1n4987cus/tr	ear99	8541.10.0050	100																1.5 V @ 1 a		2 µA @ 121.6 v									160 v	350オーム
1N4370AUR-1	6.0150	RFQ	5163	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N4370		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																1.1 V @ 200 mA		100 µA @ 1 V									2.4 v	30オーム
cdll5533/tr	5.9052	RFQ	7949	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±20％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ			500 MW	DO-213AB	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-cdll5533/tr	ear99	8541.10.0050	1																1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 10.5 v									13 v	90オーム
1N6628/tr	10.7700	RFQ	4880	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	A 、軸		標準		A 、軸	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N6628/tr	ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns													600 V		1.35 V @ 2 a	45 ns	2 µA @ 600 V	-65°C〜150°C	1.75a	-
Jan1n3826d-1	21.7350	RFQ	4087	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N3826		1 W	DO-41	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																1.2 V @ 200 mA		3 µA @ 1 V									5.1 v	7オーム
jantxv1n4113cur-1	28.8000	RFQ	8043	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N4113		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 14.5 v									19 v	150オーム
jantx1n5534c-1/tr	17.0240	RFQ	2865	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n5534c-1/tr	ear99	8541.10.0050	1																1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 12.6 v									14 v	100オーム
JANTX2N5672	182.1967	RFQ	2126	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/488	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-204aa、to-3	2N5672		6 W	to-3	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																						120 v	30 a			10ma			npn	5V @ 6a 、30a	20 @ 20a 、5V	-
R42140TS	59.8350	RFQ	4581	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	DO-205AA	R42140	標準、逆極性		do-205aa	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns													1400 v		1.2 V @ 200 a		50 µA @ 1400 v	-65°C〜200°C	125a	-
1n958b/tr	2.2344	RFQ	7856	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AA			500 MW	do-7 （do-204aa）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N958B/TR	ear99	8541.10.0050	1																1.1 V @ 200 mA		75 µA @ 5.7 v									7.5 v	5.5オーム
jantxv1n963b-1/tr	3.2186	RFQ	4487	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n963b-1/tr	ear99	8541.10.0050	1																1.1 V @ 200 mA		1 µA @ 9.1 v									12 v	11.5オーム
1N5969US	39.4950	RFQ	5464	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf e			5 W	D-5B	-			影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																1.5 V @ 1 a		1 MA @ 4.74 v									6.2 v	1オーム
UZ8814	22.4400	RFQ	5567	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	穴を通して	A 、軸			1 W	A 、軸	-			影響を受けていない	150-UZ8814	ear99	8541.10.0050	1																		500 NA @ 10.1 v									14 v	12オーム
jantxv1n4965cus	26.4300	RFQ	4776	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b			5 W	e-melf	-			影響を受けていない	150-jantxv1n4965cus	ear99	8541.10.0050	1																1.5 V @ 1 a		2 µA @ 15.2 v									20 v	4.5オーム
1N5919bur-1	4.0650	RFQ	3811	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	1N5919		1.25 w	DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 3 V									5.6 v	2オーム
Jan1n4964us	-	RFQ	7923	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	sicで中止されました	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf e			5 W	D-5B	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																1.5 V @ 1 a		5 µA @ 13.7 v									18 v	4オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²