RFQ
ボム
お問い合わせ

Tel： +86-0755-83501315

メール：sales@sic-components.com

サインイン

日本語

離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	現在 -マックス	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	入力容量（ cies @ vce	@ @ if、f	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	静電容量比	静電容量比条件	Q @ vr、f
UFR7015	91.9200	RFQ	4200	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	UFR7015	標準			DO-5	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない	2266-UFR7015	ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns			150 v		975 mV @ 70 a	50 ns	25 µA @ 150 v	-65°C〜175°C	70a	300pf @ 10V、1MHz
jantxv1n6079	41.3850	RFQ	8811	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/503	バルク	アクティブ			穴を通して	g 、軸		標準			g 、軸	-			影響を受けていない	150-jantxv1n6079	ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns			50 v		1.5 V @ 37.7 a	30 ns	10 µA @ 50 V	-65°C〜155°C	2a	-
jantx1n4474us	15.0900	RFQ	1016	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/406	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf、a	1N4474		1.5 w		a sq-melf	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1							1.5 V @ 1 a		50 Na @ 19.2 v												24 v	16オーム
CD3821A	4.3624	RFQ	4347	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	死ぬ					死ぬ	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-CD3821A	ear99	8541.10.0050	1							1.2 V @ 200 mA		100 µA @ 1 V												3.3 v	10オーム
SMBG5365CE3/TR13	1.4400	RFQ	5799	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-215AA	SMBG5365		5 W		SMBG （DO-215AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000							1.2 V @ 1 a		500 NA @ 25.9 v												36 v	11オーム
MSASC100H80HX/TR	-	RFQ	6741	マイクロチップテクノロジー	*	テープ＆リール（ tr）	アクティブ										-			影響を受けていない	150-MSASC100H80HX/TR			100
1N2459	74.5200	RFQ	6736	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド		標準			do-5（do-203ab）	ダウンロード			影響を受けていない	150-1N2459	ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns			100 V		1.25 V @ 200 a		25 µA @ 100 V	-65°C〜200°C	70a	-
jan1n6348dus/tr	49.8300	RFQ	7980	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/533	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b			500 MW		B、sq-melf	-				150-jan1n6348dus/tr	ear99	8541.10.0050	100							1.4 V @ 1 a		50 Na @ 76 v												100 V	340オーム
jantx1n3044b-1	-	RFQ	3941	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	バルク	sicで中止されました	±5％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸			1 W		DO-41	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1							1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 76 v												100 V	350オーム
1n6004b/tr	2.0083	RFQ	4612	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW		DO-35	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N6004b/tr	ear99	8541.10.0050	1							1.1 V @ 200 mA		100 na @ 11 v												15 V	32オーム
jantx1n4476c	18.0150	RFQ	8562	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4476		1.5 w		DO-41	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1							1 V @ 200 mA		50 Na @ 24 V												30 V	20オーム
Jan1n6663us	-	RFQ	6340	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/587	バルク	アクティブ			表面マウント	sq-melf、a		標準			a sq-melf	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	1		標準回復> 500ns			600 V		1 V @ 400 Ma			-65°C〜175°C	500mA	-
aptgtq100da65t1g	56.4000	RFQ	4977	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	aptgtq100		250 W	標準	SP1	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	ブーストチョッパー												-	650 V	100 a	2.2V @ 15V 、100A			100 µA	はい			6 NF @ 25 V
APT2X60DQ120J	22.6100	RFQ	6543	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ			シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	APT2X60	標準			ISOTOP®	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns		2独立	1200 v	60a	3.1 V @ 60 a	265 ns	100 µA @ 1200 V
jan1n6326cus/tr	63.8550	RFQ	5700	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/533	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b			500 MW		B、sq-melf	-				150-jan1n6326cus/tr	ear99	8541.10.0050	100							1.4 V @ 1 a		1 µA @ 9 V												12 v	7オーム
GC4410-115-2	-	RFQ	2828	マイクロチップテクノロジー	-	トレイ	アクティブ		-55°C〜150°C		モジュール					-	-			影響を受けていない	150-GC4410-115-2	ear99	8541.10.0070	1			50 Ma									0.1pf @ 50V、1MHz					ピン -シングル	100V						600MOHM @ 100MA 、100MHz
jans1n6344dus	527.5650	RFQ	9979	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b			500 MW		B、sq-melf	-			影響を受けていない	150-jans1n6344dus	ear99	8541.10.0050	1							1.4 V @ 1 a		50 Na @ 52 v												68 v	155オーム
CDLL961	2.8650	RFQ	6748	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±20％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL961		500 MW		DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1							1.1 V @ 200 mA		2 µA @ 7.6 v												10 v	8.5オーム
MV31021-150A	-	RFQ	9516	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	死ぬ					チップ	-			影響を受けていない	150-MV31021-150ATR	ear99	8541.10.0040	1												3.7pf @ 4V、1MHz					シングル	22 v											11.5	C2/C20	2000 @ 4V、50MHz
2C6213	53.9850	RFQ	4704	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ										-			影響を受けていない	150-2C6213			1
JANSM2N222222AUBC	279.1520	RFQ	8932	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/255	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし			500 MW		UBC	-			影響を受けていない	150-JANSM2N2222AUBC			1														50 v	800 Ma				50NA						npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
1N4465US	11.3550	RFQ	5170	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf、a	1N4465		1.5 w		D-5a	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1							1.5 V @ 1 a		300 na @ 8 v												10 v	5オーム
jans1n4113d-1	101.3100	RFQ	2431	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW		do-35 （do-204ah）	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1							1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 14.5 v												19 v	150オーム
R34100	84.5850	RFQ	6196	マイクロチップテクノロジー	R34	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	R34100	標準、逆極性			do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns			1000 V		1.15 V @ 90 a		10 µA @ 1000 v	-65°C〜200°C	45a	-
2N4449UB	24.3523	RFQ	1842年年	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/317	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	-	2N4449		360 MW		ub	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1														20 v					400na						npn	450mv @ 10ma 、100ma	20 @ 100MA、1V	-
Jan1n986bur-1	4.4400	RFQ	1106	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N986		500 MW		DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1							1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 84 v												110 v	750オーム
jantxv1n6320cus	57.1050	RFQ	6210	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b	1N6320		500 MW		B、sq-melf	ダウンロード			影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1							1.4 V @ 1 a		2 µA @ 4 V												6.8 v	3オーム
1N5623E3/TR	6.5101	RFQ	5065	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ										-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N5623E3/TR	ear99	8541.10.0080	1
JANSF2N3439U4	413.4420	RFQ	2395	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし			800 MW		U4	-			影響を受けていない	150-Jansf2N3439U4			1														350 V	1 a				2µA						npn	500MV @ 4MA 、50MA	40 @ 20MA 、10V	-
2N2975	33.4200	RFQ	5445	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ					2N297					-			影響を受けていない	150-2N2975			1

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²