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離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	アプリケーション	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	電圧 -アノード -カソード（ vak ）（最大）	レギュレータ電流（最大）	電圧 -制限（最大）
R34100	84.5850	RFQ	6196	マイクロチップテクノロジー	R34	バルク	アクティブ				スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	R34100	標準、逆極性			do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns	1000 V	1.15 V @ 90 a		10 µA @ 1000 v	-65°C〜200°C	45a	-
1N4580	3.8850	RFQ	1166	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		穴を通して	DO-204AA			500 MW		DO-7	ダウンロード			影響を受けていない	150-1N4580	ear99	8541.10.0050	1						2 µA @ 3 V										6.4 v	25オーム
1N991bur-1/tr	14.3600	RFQ	3073	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	DO-213AA			400 MW		DO-213AA	-					ear99	8541.10.0050	100				1.3 V @ 200 mA		500 NA @ 137 v										180 v	2200オーム
Jan1n986bur-1	4.4400	RFQ	1106	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N986		500 MW		DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 84 v										110 v	750オーム
aptgtq100da65t1g	56.4000	RFQ	4977	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜175°C		シャーシマウント	モジュール	aptgtq100		250 W	標準	SP1	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	ブーストチョッパー									-	650 V	100 a	2.2V @ 15V 、100A	100 µA	はい			6 NF @ 25 V
jantx1n3913	-	RFQ	7032	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/308	バルク	アクティブ				スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド		標準			DO-5	-			影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns	400 V	1.4 V @ 50 a	200 ns		-65°C〜150°C	30a	-
UFR7015	91.9200	RFQ	4200	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ				スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	UFR7015	標準			DO-5	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない	2266-UFR7015	ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns	150 v	975 mV @ 70 a	50 ns	25 µA @ 150 v	-65°C〜175°C	70a	300pf @ 10V、1MHz
1N5073	23.4000	RFQ	6721	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		穴を通して	軸			3 W		軸	-			影響を受けていない	150-1N5073	ear99	8541.10.0050	1						5 µA @ 13.7 v										18 v	8オーム
jantx1n304444b-1/tr	9.0573	RFQ	4894	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C		穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸			1 W		DO-41	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n3044b-1/tr	ear99	8541.10.0050	1				1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 76 v										100 V	350オーム
jantxv1n989cur-1	-	RFQ	4400	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C		表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW		DO-213AA	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1				1.3 V @ 200 mA		500 NA @ 114 v										150 v	1500オーム
1N5925PE3/TR12	0.9150	RFQ	9454	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±20％	-65°C〜150°C		穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N5925		1.5 w		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	4,000				1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 8 V										10 v	4.5オーム
UES702	-	RFQ	7240	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	sicで中止されました				シャーシ、スタッドマウント	do-203aa		標準			DO-4	ダウンロード	ROHS準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns	100 V	950 mV @ 25 a	35 ns	20 µA @ 100 V	-55°C〜175°C	25a	-
UPS1100/TR13	0.6300	RFQ	7588	マイクロチップテクノロジー	*	テープ＆リール（ tr）	アクティブ						UPS1100					-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,000
jans1n4977us/tr	92.1900	RFQ	7853	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/356	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	sq-melf b			5 W		e-melf	-				150-jans1n4977us/tr	ear99	8541.10.0050	50				1.5 V @ 1 a		2 µA @ 47.1 v										62 v	42オーム
jantxv1n3028dur-1	56.9100	RFQ	5390	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	バルク	アクティブ	±1％	-55°C〜175°C		表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	1N3028		1 W		do-213ab	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1				1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 16.7 v										22 v	23オーム
jantx1n3044b-1	-	RFQ	3941	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	バルク	sicで中止されました	±5％	-55°C〜175°C		穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸			1 W		DO-41	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1				1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 76 v										100 V	350オーム
jantx1n4474us	15.0900	RFQ	1016	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/406	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	sq-melf、a	1N4474		1.5 w		a sq-melf	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 1 a		50 Na @ 19.2 v										24 v	16オーム
Jan1n4964us	-	RFQ	7923	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	sicで中止されました	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	sq-melf e			5 W		D-5B	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 1 a		5 µA @ 13.7 v										18 v	4オーム
jan1n5806us	6.6900	RFQ	7577	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/477	バルク	アクティブ				表面マウント	sq-melf、a	1N5806	標準			D-5a	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns	150 v	975 mV @ 2.5 a	25 ns	1 µA @ 150 V	-65°C〜175°C	2.5a	25pf @ 10V、1MHz
UZ808	22.4400	RFQ	8019	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-	-65°C〜175°C		穴を通して	A 、軸			3 W		A 、軸	-			影響を受けていない	150-UZ808	ear99	8541.10.0050	1
jantxv1n4970d	23.4600	RFQ	4057	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		穴を通して	E 、軸			5 W		E 、軸	-			影響を受けていない	150-jantxv1n4970d	ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 1 a		2 µA @ 25.1 v										33 v	10オーム
jantxv1n6341us	22.3050	RFQ	6511	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	sq-melf b	1N6341		500 MW		B、sq-melf	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1				1.4 V @ 1 a		50 Na @ 39 v										51 v	85オーム
1N5536A	1.8150	RFQ	9643	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW		do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-1N5536A	ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 13 V										16 v
APTGL700U120D4G	303.3100	RFQ	4905	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜175°C		シャーシマウント	D4	aptgl700		3000 w	標準	D4	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	シングル									トレンチフィールドストップ	1200 v	910 a	2.2V @ 15V 、600A	4 Ma	いいえ			37.2 nf @ 25 v
aptgt50sk120tg	83.4000	RFQ	6175	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ		シャーシマウント	SP4	aptgt50		277 W	標準	SP4	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	シングル									トレンチフィールドストップ	1200 v	75 a	2.1V @ 15V 、50a	250 µA	はい			3.6 nf @ 25 v
1n6012ur-1/tr	3.7400	RFQ	4052	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C		表面マウント	DO-213AA			500 MW		DO-213AA	-					ear99	8541.10.0050	264				1.1 V @ 200 mA												33 v
jan1n5299-1/tr	31.6650	RFQ	2073	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/463	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜175°C	-	穴を通して	DO-204AA	1N5299		500MW		DO-7	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n5299-1/tr	ear99	8541.10.0070	1																							100V	1.32ma	1.45V
2N4449UB	24.3523	RFQ	1842年年	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/317	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		表面マウント	-	2N4449		360 MW		ub	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1											20 v			400na					npn	450mv @ 10ma 、100ma	20 @ 100MA、1V	-
SMBG5343A/TR13	2.2200	RFQ	9792	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜150°C		表面マウント	DO-215AA	SMBG5343		5 W		SMBG （DO-215AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000				1.2 V @ 1 a		10 µA @ 5.4 v										7.5 v	1.5オーム
SG2024J-883B	-	RFQ	5841	マイクロチップテクノロジー	-	トレイ	アクティブ		-55°C〜125°C		穴を通して	16-CDIP （0.300 "、7.62mm）	SG2024		-		16-cerdip	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-SG2024J-883B	ear99	8541.29.0095	1											95V	500mA		-					7 npnダーリントン	1.6V @ 500µA、350MA	1000 @ 350MA 、2V	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²