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離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	テスト条件	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	電圧 -破壊（ V	現在の - ドレイン（IDSS @ vds（vgs = 0）	電圧-Cutoff（ VGSオフ） @ id	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	入力容量（ cies @ vce	抵抗-RDS （オン）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
CDLL4920	34.3800	RFQ	6155	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA	CDLL4920			500 MW		DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																15 µA @ 12 V																	19.2 v	300オーム
2N2976	33.4200	RFQ	8254	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ					2N297						-			影響を受けていない	150-2N2976			1
2N6187	287.8650	RFQ	4924	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-	スタッドマウント	TO-210AA				60 W		to-59	-			影響を受けていない	150-2N6187	ear99	8541.29.0095	1																					80 v	10 a									-						PNP	-	-	-
SBR6030LE3	123.0900	RFQ	5427	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド			ショットキー			DO-5	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-SBR6030LE3	ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns												30 V	480 mV @ 60 a	5 ma @ 30 v	-65°C〜150°C	60a	-
cdll5520d/tr	16.3950	RFQ	4464	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA				500 MW		DO-213AA	-			影響を受けていない	150-cdll5520d/tr	ear99	8541.10.0050	100															1.1 V @ 200 mA	1 µA @ 1 V																	3.9 v	22オーム
MIC94031CYW	-	RFQ	2150	マイクロチップテクノロジー	tinyfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜150°C	-	-			モスフェット（金属酸化物）			-	-	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.21.0095	3,000			pチャネル		16 v	1a（ta）	-	450mohm @ 100ma 、10V	1.4V @ 250µA	-		-	568MW
APT50GN60BDQ2G	7.2700	RFQ	8192	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜175°C	穴を通して	TO-247-3	apt50gn60	標準		366 W		to-247 [b]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1				400V 、50A 、4.3OHM、15V																トレンチフィールドストップ	600 V	107 a	150 a	1.85V @ 15V 、50a	1185µj（1565µj（オフ）	325 NC	20NS/230NS
jantxv1n6338	14.6700	RFQ	5470	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N6338			500 MW		do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1															1.4 V @ 1 a	50 Na @ 30 V																	39 v	55オーム
jan1n2804b	-	RFQ	2194	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/114	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	To-204ad	1N2804			50 W		TO-204AD（to-3）	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1															1.5 V @ 2 a	150 µA @ 4.5 v																	6.8 v	0.2オーム
1N1372	44.3850	RFQ	8953	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-	スタッドマウント	do-203aa	1N137			10 W		do-203aa	-			影響を受けていない	150-1N1372	ear99	8541.10.0050	1																																	75 v	20オーム
MSASC100H45HX/TR	-	RFQ	7178	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	Thinkey™1			ショットキー、逆極性			Thinkey™1	-			影響を受けていない	150-MSASC100H45HX/TR	ear99	8541.10.0080	100		高速回復= <500ns												45 v	650 mV @ 100 a	10 mA @ 45 v	-65°C〜150°C	100a	-
1N6334US/TR	14.7900	RFQ	9909	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b				500 MW		B、sq-melf	-					ear99	8541.10.0050	100															1.4 V @ 1 a	50 Na @ 21 V																	27 v	27オーム
jantx1n3028dur-1/tr	41.5359	RFQ	4732	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-55°C〜175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）				1 W		do-213ab	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n3028dur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1															1.2 V @ 200 mA	10 µA @ 16.7 v																	22 v	23オーム
1 PMT4105CE3/TR13	0.4950	RFQ	7739	マイクロチップテクノロジー	PowerMite®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-216AA	1PMT4105			1 W		DO-216	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,000															1.1 V @ 200 mA	50 Na @ 8.44 v																	11 v	200オーム
jansf2n2221aubc/tr	238.6406	RFQ	8291	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/255	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし				500 MW		UBC	-			影響を受けていない	150-jansf2n2221aubc/tr			50																					50 v	800 Ma									50NA						npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
1N4964CUS/TR	13.3600	RFQ	4668	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b				5 W		e-melf	-					ear99	8541.10.0050	100															1.5 V @ 1 a	5 µA @ 13.7 v																	18 v	4オーム
CDLL4743C/TR	7.7100	RFQ	7892	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）				1 W		do-213ab	-			影響を受けていない	150-CDLL4743C/TR	ear99	8541.10.0050	123															1.2 V @ 200 mA	500 NA @ 9.9 v																	13 v	10オーム
UZ5810	32.2650	RFQ	8960	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	穴を通して	b 、軸				5 W		b 、軸	-			影響を受けていない	150-UZ5810	ear99	8541.10.0050	1																75 µA @ 7.6 v																	10 v	2オーム
1N5524CUR-1/TR	11.4400	RFQ	4875	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA				500 MW		DO-213AA	-					ear99	8541.10.0050	100															1.1 V @ 200 mA	2 µA @ 3.5 v																	5.6 v	30オーム
jan1n4469cus	27.6750	RFQ	3693	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf、a	1N4469			1.5 w		D-5a	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1															1 V @ 200 mA	500 NA @ 12 V																	15 V	9オーム
MQ2N4859	54.6231	RFQ	5386	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/385	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206aa				360 MW		TO-18（to-206aa	-			影響を受けていない	150-MQ2N4859			1			nチャネル		30 V						18pf @ 10V																	30 V	50 mA @ 15 v	4 V @ 500 Pa						25オーム
CD3018b	3.6043	RFQ	8528	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	死ぬ				1 W		死ぬ	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-CD3018B	ear99	8541.10.0050	1															1.2 V @ 200 mA	5 µA @ 6.2 v																	8.2 v	4.5オーム
jan1n747aur-1/tr	4.0831	RFQ	5060	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/127	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）				500 MW		DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n747aur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1															1.1 V @ 200 mA	3 µA @ 1 V																	3.6 v	24オーム
CDLL3035A	15.3000	RFQ	7909	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-55°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL3035			1 W		DO-213AB	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1															1.2 V @ 200 mA	500 NA @ 32.7 v																	43 v	70オーム
2N4037	15.8550	RFQ	8438	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ											-			影響を受けていない	150-2N4037			1
2N6547T1	349.2000	RFQ	9125	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		200°C （TJ）	穴を通して	to-204aa、to-3						TO-204AD（to-3）	-			影響を受けていない	150-2N6547T1	ear99	8541.29.0095	1																					400 V	15 a									-						npn	-	-	-
jansl2n3810u	262.3106	RFQ	4590	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/336	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	6-SMD 、リードなし	2N3810			350MW		u	-			影響を受けていない	150-Jansl2N3810U			1																					60V	50ma									10µa（icbo）						2 PNP （デュアル）	250MV @ 100µA、1MA	150 @ 1MA 、5V	-
APTGL325A120D3G	316.5800	RFQ	4966	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜175°C	シャーシマウント	D-3モジュール	APTGL325			1500 w	標準	D3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	ハーフブリッジ																			トレンチフィールドストップ	1200 v	420 a		2.2V @ 15V 、300A							5 Ma	いいえ			18.6 nf @ 25 v
aptgt75tl60t3g	93.2700	RFQ	10	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ		-40°C〜175°C	シャーシマウント	SP3	aptgt75			250 W	標準	SP3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	3つのレベルインバーター																			トレンチフィールドストップ	600 V	100 a		1.9V @ 15V 、75a							250 µA	はい			4.62 NF @ 25 V
jan2n3867p	32.4919	RFQ	2924	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/350	バルク	アクティブ		-55°C〜200°C	穴を通して	to-205aa、to-5-3				1 W		to-5aa	-			影響を受けていない	150-jan2n3867p	ear99	8541.29.0095	1																					40 v	3 a									1µA						PNP	1.5V @ 250MA 、2.5a	50 @ 500MA、1V	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²