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離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	電圧 -破壊（ V	現在の - ドレイン（IDSS @ vds（vgs = 0）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	抵抗-RDS （オン）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
CDLL746	3.0300	RFQ	4668	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL746		500 MW	DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1												1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 1 V									3.3 v	28オーム
1 PMT5940A/TR7	2.2200	RFQ	4755	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-216AA	1PMT5940		3 W	DO-216AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000												1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 32.7 v									43 v	53オーム
jantxv1n4619ur-1/tr	10.8262	RFQ	3010	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C（タタ	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n4619ur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1												1.1 V @ 200 mA		400 na @ 1 v									3 v	1.6オーム
jan1n4624444ur-1/tr	5.9451	RFQ	8999	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n4624ur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1												1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 3 V									4.7 v	1550オーム
MV2N4092	70.7693	RFQ	9741	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/431	バルク	アクティブ		-65°C〜175°C	穴を通して	to-206aa	MV2N4092		360 MW	TO-18（to-206aa	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1			nチャネル	40 v					16pf @ 20V											40 v	15 mA @ 20 v				50オーム
Jan1n3036d-1	29.6550	RFQ	1133	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	バルク	アクティブ	±1％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N3036		1 W	DO-41	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1												1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 35.8 v									47 v	80オーム
1N4752P/TR8	1.8600	RFQ	6345	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4752		1 W	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500												1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 25.1 v									33 v	45オーム
jantxv1n4494	19.7400	RFQ	5539	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4494		1.5 w	DO-41	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1												1 V @ 200 mA		250 na @ 128 v									160 v	1000オーム
1N5277bur-1	5.1900	RFQ	5555	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA	1N5277		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1												1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 122 v									160 v	1700オーム
jantx1n6076	21.0300	RFQ	4368	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/503	バルク	アクティブ			穴を通して	A 、軸	1N6076	標準		a-pak	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns									50 v	1.76 V @ 18.8 a	30 ns	5 µA @ 50 V	-65°C〜155°C	1.3a	-
jantxv1n4994d	-	RFQ	7093	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	E 、軸			5 W	E 、軸	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1												1.5 V @ 1 a		2 µA @ 251 v									330 v	1175オーム
1N3308ra	49.3800	RFQ	8652	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	1N3308		50 W	DO-5	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1												1.5 V @ 10 a		25 µA @ 6.1 v									9.1 v	0.5オーム
jantx1n6620us	15.1350	RFQ	1163	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/585	バルク	アクティブ			表面マウント	sq-melf、a	1N6620	標準		D-5a	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns									220 v	1.4 V @ 1.2 a	30 ns	500 NA @ 220 V	-65°C〜150°C	2a	10pf @ 10V、1MHz
2N4029	8.4189	RFQ	9046	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206aa	2N4029		500 MW	TO-18	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																		80 v	1 a			10µa（icbo）				PNP	1V @ 100MA、1a	100 @ 100MA 、5V	-
MSCSM70AM19CT1AG	119.8700	RFQ	4586	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ		-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	MSCSM70	炭化シリコン（原文）	365W	SP1F	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	150-MSCSM70AM19CT1AG	ear99	8541.29.0095	1	2 n チャネル（位相レッグ）			700V	124a（tc）	19mohm @ 40a 、20V	2.4V @ 4MA	215NC @ 20V	4500pf @ 700V	-
JANSP2N4449	129.0708	RFQ	3847	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/317	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206ab、to-46-3金属缶			500 MW	to-46	-			影響を受けていない	150-JANSP2N4449			1																		15 V				400na				npn	450mv @ 10ma 、100ma	20 @ 100MA、1V	-
1N4748P/TR8	1.8600	RFQ	3907	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4748		1 W	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500												1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 16.7 v									22 v	23オーム
Jan1n758c-1	5.1900	RFQ	2338	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/127	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N758		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1												1.1 V @ 200 mA		1 µA @ 8 V									10 v	17オーム
SMAJ4754CE3/TR13	0.6450	RFQ	9891	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	SMAJ4754		2 W	DO-214AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	7,500												1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 29.7 v									39 v	60オーム
jan1n3994ra	-	RFQ	8136	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/124	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	スタッドマウント	do-203aa			10 W	do-213aa	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1												1.5 V @ 2 a		100 µA @ 500 mV									4.3 v	1.5オーム
Jan1n5543d-1	13.8000	RFQ	4358	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5543		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1												1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 22.4 v									25 v	100オーム
2N5795AU	71.0700	RFQ	3058	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜175°C	表面マウント	6-SMD 、リードなし	2N5795		600MW	u	-			影響を受けていない	150-2N5795AU	ear99	8541.21.0095	1																		60V	600MA			10µa（icbo）				2 PNP （デュアル）	1.6V @ 50ma 、500ma	40 @ 150ma 、10V	-
LSM540JE3/TR13	0.5700	RFQ	9191	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc	LSM540	ショットキー		DO-214AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns									40 v	520 mV @ 5 a		2 MA @ 40 V	-55°C〜150°C	5a	-
CDS5535CUR-1/TR	471.1800	RFQ	9738	マイクロチップテクノロジー	*	テープ＆リール（ tr）	アクティブ									-			影響を受けていない	150-CDS5535CUR-1/TR	ear99	8541.10.0050	50
CD5249B	1.4497	RFQ	4076	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	死ぬ			500 MW	死ぬ	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-CD5249B	ear99	8541.10.0050	1												1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 14 V									19 v	23オーム
1N3033B-1	8.1900	RFQ	5620	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N3033		1 W	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1												1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 27.4 v									36 v	50オーム
jantx1n4614-1/tr	4.4156	RFQ	1199	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n4614-1/tr	ear99	8541.10.0050	1												1.1 V @ 200 mA		3.5 µA @ 1 V									1.8 v	1200オーム
2N3439P	27.9750	RFQ	9958	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-55°C〜200°C	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶			800 MW	to-39	-			影響を受けていない	150-2N3439P	ear99	8541.21.0095	1																		350 V	1 a			2µA				npn	500MV @ 4MA 、50MA	40 @ 20MA 、10V	-
jantx1n4135ur-1/tr	8.5652	RFQ	9978	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n4135ur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1												1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 76 v									100 V	1600オーム
CDLL4119	3.5850	RFQ	3605	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL4119		500 MW	DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1												1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 21.3 v									28 v	200オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²