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離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	アプリケーション	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	電圧 -アノード -カソード（ vak ）（最大）	レギュレータ電流（最大）	電圧 -制限（最大）
jans2N7373	-	RFQ	9131	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/613	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		穴を通して	TO-254-3			4 w		TO-254	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1													80 v	50 µA		50µA					npn	1.5V @ 500MA 、5a	70 @ 2.5a 、5V	-
jantx1n6344cus/tr	39.9450	RFQ	6860	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/533	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C		表面マウント	sq-melf b			500 MW		B、sq-melf	-				150-jantx1n6344cus/tr	ear99	8541.10.0050	100						1.4 V @ 1 a		50 Na @ 52 v										68 v	155オーム
1N5343A/TR8	-	RFQ	5143	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜150°C		穴を通して	T-18 、軸	1N5343		5 W		T-18	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,000						1.2 V @ 1 a		10 µA @ 5.4 v										7.5 v	1.5オーム
CDLL823AE3	4.9500	RFQ	7808	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±4.84％	-65°C〜175°C		表面マウント	DO-213AA			500 MW		DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-CDLL823AE3	ear99	8541.10.0050	1								2 µA @ 3 V										6.2 v	15オーム
JANTX2N5153L	45.7653	RFQ	1662	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/545	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		穴を通して	to-205aa、to-5-3	2N5153		1 W		to-5	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1													80 v	2 a		50µA					PNP	1.5V @ 500MA 、5a	70 @ 2.5a 、5V	-
jan1n4483cus/tr	27.8250	RFQ	8297	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/406	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C		表面マウント	sq-melf、a			1.5 w		D-5a	-				150-jan1n4483cus/tr	ear99	8541.10.0050	100						1.5 V @ 1 a		250 NA @ 44.8 v										56 v	70オーム
jantxv2n3771	291.2000	RFQ	1906年年	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/518	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		穴を通して	to-204aa、to-3			6 W		to-3	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1													40 v	5 Ma		5MA					npn	4V @ 6a 、30a	15 @ 15a 、4V	-
jans1n5809us/tr	42.5100	RFQ	9597	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/477	テープ＆リール（ tr）	アクティブ				表面マウント	sq-melf b		標準			B、sq-melf	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jans1n5809us/tr	ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns		100 V		875 mV @ 4 a	30 ns		-65°C〜175°C	3a	-
jantxv1n7050-1	11.2350	RFQ	2928	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ											-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1
jan1n973d-1/tr	5.7722	RFQ	9842	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW		do-35 （do-204ah）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n973d-1/tr	ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 25 V										33 v	58オーム
CDLL747A	2.7450	RFQ	4831	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL747		500 MW		DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		3 µA @ 1 V										3.6 v	24オーム
2N5416S	30.2309	RFQ	3980	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶			750 MW		to-39	-			影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1													300 V	50 µA		50µA					PNP	2V @ 5MA 、50mA	30 @ 50ma 、10V	-
cdll253/tr	28.5000	RFQ	6727	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜175°C	-	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	CDLL25		500MW		do-213ab	-			影響を受けていない	150-cdll253/tr			100																									70V	7.48ma	4.9V
uft5005a	94.8750	RFQ	7920	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ				穴を通して	to-204aa、to-3		標準			to-204aa	-			影響を受けていない	150-UFT5005A	ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns	1ペア共通アノード	100 V	50a	1 V @ 25 a	35 ns	15 µA @ 50 V	-65°C〜175°C
1N3020B-1	-	RFQ	4300	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	sicで中止されました	±5％	-55°C〜175°C		穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N3020		1 W		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.2 V @ 200 mA		25 µa @ 7.6 v										10 v	7オーム
CD4743a	1.8354	RFQ	6332	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	死ぬ			1 W		死ぬ	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-CD4743A	ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 200 mA		500 NA @ 9.9 v										13 v	10オーム
SMBJ5926B/TR13	1.5600	RFQ	4322	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C		表面マウント	DO-214AA、SMB	SMBJ5926		2 W		smbj（ do-214aa）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000						1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 8.4 v										11 v	5.5オーム
1N7050-1	7.1700	RFQ	8476	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-		穴を通して	DO-204AA	1N7050		250 MW		DO-7	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																		4.8 v	35オーム
CD5230B	1.4630	RFQ	5796	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	死ぬ			500 MW		死ぬ	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-CD5230B	ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 200 mA		5 µA @ 2 V										4.7 v	19オーム
1N4992US	16.3350	RFQ	9207	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	sq-melf e	1N4992		5 W		D-5B	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 1 a		2 µA @ 206 v										270 v	800オーム
1N6023D	5.1900	RFQ	9663	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N6023		500 MW		DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 69 v										91 v	300オーム
APTGT100H170G	342.6400	RFQ	4165	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜150°C		シャーシマウント	SP6	aptgt100		560 w	標準	SP6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	フルブリッジインバーター											トレンチフィールドストップ	1700 v	150 a	2.4V @ 15V 、100A	350 µA	いいえ			9 nf @ 25 v
1N5266	2.1000	RFQ	8248	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW		do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-1N5266	ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 49 v										68 v	230オーム
jantxv1n6353us	-	RFQ	4873	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	sq-melf b			500 MW		B、sq-melf	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.4 V @ 1 a		50 Na @ 122 v										151 v	1200オーム
2N2814	117.9178	RFQ	9277	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ						2N2814					-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1
1N5524/tr	1.9950	RFQ	4061	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±20％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW		do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-1N5524/tr	ear99	8541.10.0050	477						1.1 V @ 200 mA		2 µA @ 3 V										5.6 v
681-6	280.3200	RFQ	2006年年	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ				シャーシマウント	nd	681-6	標準			nd	ダウンロード			影響を受けていない	150-681-6	ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns	1独立	600 V	15a	1.2 V @ 10 a		10 µA @ 600 V	-65°C〜150°C
1n4764ur-1/tr	3.6200	RFQ	1775	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C		表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）			1 W		do-213ab	-					ear99	8541.10.0050	272						1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 76 v										100 V	350オーム
1N5355BE3/TR13	0.9900	RFQ	5456	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C		穴を通して	T-18 、軸	1N5355		5 W		T-18	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,250						1.2 V @ 1 a		500 NA @ 13 V										18 v	2.5オーム
jantxv1n3040c-1	38.0400	RFQ	2665	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	バルク	アクティブ	±2％	-55°C〜175°C		穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N3040		1 W		DO-41	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 51.7 v										68 v	150オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²