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離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	アプリケーション	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	電圧 -アノード -カソード（ vak ）（最大）	レギュレータ電流（最大）	電圧 -制限（最大）
jantx1n3324rb	-	RFQ	8182	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/358	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド			50 W	DO-5	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 a		10 µA @ 22.8 v							30 V	3オーム
Jan1N6638	5.7000	RFQ	7866	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/578	バルク	アクティブ				穴を通して	d 、軸	1N6638	標準		D-5d	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	1	高速回復= <500ns	150 v	1.1 V @ 200 mA	20 ns	500 NA @ 150 V	-65°C〜175°C	300mA	2.5pf @ 0V、1MHz
1N4742UR	3.4650	RFQ	1539	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C		表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）			1 W	do-213ab	-			影響を受けていない	150-1N4742UR	ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 9.1 v							12 v	9オーム
jans1n4565aur-1	85.8150	RFQ	5436	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/452	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C（タタ		表面マウント	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V							6.4 v	200オーム
JANTX1N5541B-1	-	RFQ	5294	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	バルク	sicで中止されました	±5％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 19.8 v							22 v	100オーム
1N6031D	6.9600	RFQ	3762	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N6031		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 152 v							200 v	2000年
jansd2n222222aubc	231.8416	RFQ	7749	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/255	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		表面マウント	3-SMD 、リードなし			500 MW	UBC	-			影響を受けていない	150-jansd2n2222aubc			1									50 v	800 Ma	50NA			npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
1N5523C/TR	11.5500	RFQ	9196	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-1N5523C/TR	ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 mA		2 µA @ 2.5 v							5.1 v	26オーム
jantxv1n5296-1/tr	36.5700	RFQ	2604	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/463	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜175°C	-	穴を通して	DO-204AA	1N5296		500MW	DO-7	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n5296-1/tr	ear99	8541.10.0070	1																		100V	1.001ma	1.29V
cdll827/tr	10.4850	RFQ	3215	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±4.83％	-65°C〜175°C		表面マウント	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-cdll827/tr	ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V							6.2 v	15オーム
jantxv1n3824dur-1	62.0400	RFQ	1081	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	1N3824		1 W	do-213ab	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 1 V							4.3 v	9オーム
cdll5223c/tr	6.9150	RFQ	9793	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C		表面マウント	DO-213AA			10 MW	DO-213AA	-			影響を受けていない	150-CDLL5223C/TR	ear99	8541.10.0050	137			1.1 V @ 200 mA		75 µA @ 1 V							2.7 v	30オーム
jantxv1n4460d	38.4450	RFQ	7962	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4460		1.5 w	DO-41	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 mA		10 µA @ 3.72 v							6.2 v	4オーム
SG2003J	-	RFQ	8479	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ		150°C （TJ）		穴を通して	16-CDIP （0.300 "、7.62mm）	SG2003		-	16-CDIP	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	25									50V	500mA	-			7 npnダーリントン	1.6V @ 500µA、350MA	1000 @ 350MA 、2V	-
jantxv1n4994us	-	RFQ	7477	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	sq-melf e			5 W	D-5B	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 a		2 µA @ 251 v							330 v	1175オーム
CDLL5914B	3.9300	RFQ	6621	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL5914		1.25 w	DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 mA		75 µA @ 1 V							3.6 v	9オーム
jantxv1n304444444bur-1/tr	16.1196	RFQ	5993	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C		表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）			1 W	do-213ab	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-JANTXV1N3044444444444444444444444444444444444444444444444444444444444444	ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 76 v							100 V	350オーム
jantx1n6315us/tr	21.0750	RFQ	4118	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/533	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	sq-melf b			500 MW	B、sq-melf	-				150-jantx1n6315us/tr	ear99	8541.10.0050	100			1.4 V @ 1 a		2 µA @ 1 V							4.3 v	20オーム
1N6073US	17.7300	RFQ	6829	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ				表面マウント	sq-melf、a	1N6073	標準		D-5a	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns	50 v	2.04 V @ 9.4 a	30 ns	1 µA @ 50 V	-65°C〜155°C	3a	-
1N4563B	-	RFQ	6305	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	廃止	±5％	-65°C〜175°C		穴を通して	To-204ad	1N4563		50 W	TO-204AD（to-3）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 a		10 µA @ 2 V							6.8 v	0.16オーム
UFS330JE3/TR13	1.3200	RFQ	6312	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ				表面マウント	do-214ab 、mc	UFS330	標準		DO-214AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns	300 V	1.1 V @ 3 a	50 ns	10 µA @ 300 V	-55°C〜175°C	3a	-
2N4033ub	-	RFQ	1331	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	sicで中止されました		-65°C〜200°C （TJ）		表面マウント	3-SMD 、リードなし			500 MW	ub	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1									80 v	1 a	10µa（icbo）			PNP	1V @ 100MA、1a	100 @ 100MA 、5V	-
UES1105E3	16.4850	RFQ	5059	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ				穴を通して	軸		標準		A 、軸	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-US1105E3	ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns	300 V	1.25 V @ 1 a	50 ns	10 µA @ 300 V	-55°C〜150°C	1a	-
jans1n6330us	136.0950	RFQ	4921	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	sq-melf b			500 MW	B、sq-melf	-			影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 a		50 Na @ 14 V							18 v	14オーム
1 PMT4133E3/TR7	0.4950	RFQ	6312	マイクロチップテクノロジー	PowerMite®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C		表面マウント	DO-216AA	1PMT4133		1 W	DO-216	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000			1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 66.12 v							87 v	250オーム
JANTX1N4620DUR-1	29.6100	RFQ	4323	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N4620		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					3.5 µA @ 1.5 V							3.3 v	1650オーム
jans2n3499ub/tr	85.4706	RFQ	6794	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/366	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		表面マウント	3-SMD 、リードなし			1 W	ub	-			影響を受けていない	150-jans2n3499ub/tr			50									100 V	500 Ma	10µa（icbo）			npn	600MV @ 30MA、300MA	100 @ 150ma 、10V	-
jantx1n6325us	18.2700	RFQ	9376	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	sq-melf b	1N6325		500 MW	B、sq-melf	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 a		1 µA @ 8.5 v							11 v	7オーム
1N5919bp/TR8	1.8900	RFQ	9706	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C		穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N5919		1.5 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500			1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 3 V							5.6 v	2オーム
2N3724L	15.6541	RFQ	5447	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ				穴を通して	to-205aa、to-5-3	2N3724			to-5	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²